让驱动状态可视可控，纳芯微发布集成电源状态反馈的隔离半桥驱动NSI6602Ux

Release time：2026-05-22
author：AMEYA360
source：纳芯微
reading：306

　　纳芯微推出车规级隔离半桥驱动芯片NSI6602Ux系列，该系列基于明星产品NSI6602全面升级，驱动侧电压提升至32V，相比上一代产品具备更强的抗冲击能力与系统适配能力。

　　此外，NSI6602Ux集成输入/输出侧电源状态反馈功能，并兼具高隔离电压、低延时、死区可配、输入互锁、欠压阈值可选等特性，适用于驱动SiC、IGBT等器件，可广泛应用于新能源汽车OBC、DC-DC、主动悬架等场景。

让驱动状态可视可控，纳芯微发布集成电源状态反馈的隔离半桥驱动NSI6602Ux

　　输入/输出侧电源状态反馈，

　　助力功率器件开关安全

　　在OBC/DC-DC、工业电源、电机驱动等功率电子系统中，驱动芯片的可靠性直接决定功率器件的开关安全。随着SiC、GaN等第三代功率器件的应用，器件驱动阈值更敏感、响应速度更快，这使得系统对驱动芯片的状态监测精度和响应及时性的要求大幅提升。

　　传统方案通常依赖外部电压监测电路来判断驱动芯片是否就绪，这不仅增加系统复杂度，还可能因延迟或干扰带来误驱动风险，进而引发功率器件损坏、系统失控等潜在安全隐患，同时也限制了第三代功率器件性能的充分发挥。

　　纳芯微NSI6602Ux创新性集成了RDY状态反馈功能，可实时输出芯片供电状态，直接反馈至MCU/DSP，实现芯片级“就绪可见”。无需额外监测电路，即可有效避免未就绪驱动、误触发等风险，从系统架构层面提升功率器件开关安全性。

让驱动状态可视可控，纳芯微发布集成电源状态反馈的隔离半桥驱动NSI6602Ux

　　NSI6602Ux(右图)与NSI6602(左图)功能框图对比

　　高性能驱动与多重保护协同，

　　提升系统可靠性与效率

　　NSI6602Ux具备4A峰值拉电流与6A峰值灌电流的强劲驱动能力，可直接驱动IGBT、SiC等功率器件，支持最高2MHz开关频率，无需额外增设缓冲器或驱动放大电路，显著简化外围设计。

　　器件支持最高32V驱动电压，并集成欠压锁定(UVLO)保护，可有效应对高压冲击场景。同时，内置输入侧IN+/IN-互锁功能，从硬件层面避免上下桥臂直通风险，大幅提升了系统的可靠性和抗干扰能力。此外，通过DT引脚可灵活配置死区时间，搭配多档UVLO阈值选择，进一步提升系统设计的安全裕量与适配能力。

　　在性能方面，NSI6602Ux具备45ns传播延时、5ns延迟匹配、4ns脉宽失真，处于行业领先水平。并支持±150kV/μs高CMTI，有效抑制共模干扰，避免延时波动，在复杂工况下仍可保持稳定运行。

　　灵活控制与接口兼容设计，

　　降低系统复杂度与BOM成本

　　NSI6602Ux支持DIS/EN两种使能逻辑配置，可灵活适配不同控制架构;输入侧支持2.8V~5.5V宽电压供电，可直接兼容MCU、DSP，无需额外电平转换电路。

　　通过减少外围器件、简化接口设计与控制逻辑，有效降低系统设计复杂度与BOM成本，同时提升整体方案的通用性与可扩展性。

　　NSI6602Ux产品特性：

　　5.7kVrms隔离耐压，可驱动高压SiC和IGBT

　　高CMTI：150kV/μs

　　输入侧电源电压：2.8V~5.5V并支持欠压2.35V保护

　　驱动侧电源电压：最高可达 32V

　　峰值拉灌电流：+4A/-6A

　　驱动电源欠压：8V/17V两档可选

　　支持输入、输出侧电源监控上报RDY

　　可编程死区时间

　　支持使能逻辑控制

　　典型传播延时：45ns

　　工作环境温度：-40℃~125℃

　　符合面向汽车应用的AEC-Q100 标准

　　符合RoHS标准的封装类型：SOW14/16，SOP16

　　通过UL、VDE、CQC等多项安全认证

让驱动状态可视可控，纳芯微发布集成电源状态反馈的隔离半桥驱动NSI6602Ux

　　NSI6602Ux典型应用电路

　　封装与选型

　　纳芯微NSI6602Ux系列现已全面量产，产品覆盖多种隔离电压等级、UVLO选项及封装，可灵活适配不同应用场景。进一步咨询NSI6602Ux产品，可邮件sales@novosns.com;更多产品信息、技术资料敬请访问www.novosns.com。

让驱动状态可视可控，纳芯微发布集成电源状态反馈的隔离半桥驱动NSI6602Ux

　　NSI6602Ux系列选型表

让驱动状态可视可控，纳芯微发布集成电源状态反馈的隔离半桥驱动NSI6602Ux


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全球出货量Top4，纳芯微磁传感器如何贯穿整车系统？
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全球出货量Top4，纳芯微磁传感器如何贯穿整车系统？

　　随着汽车电动化、智能化、网联化持续深入，电流、位置、角度、速度等核心状态感知需求快速攀升，磁传感器已成为汽车电子系统的基础器件。据Yole Group《2026 磁传感器产业报告》预测，2031年全球汽车与移动出行领域磁传感器出货量将突破42亿颗。　　目前，纳芯微磁传感器已可覆盖整车关键系统，应用于车身、底盘、动力总成及热管理等领域。Yole Group数据显示，纳芯微在汽车磁传感器市场出货量全球第四、营收全球第七，位居国产厂商首位。　　构建多维技术体系：支撑复杂应用需求　　完整磁传感器产品矩阵：围绕汽车多样化感知需求，纳芯微已构建覆盖电流、角度、位置与速度的磁传感器产品矩阵。　　多技术路线协同布局：纳芯微持续布局并推进多种磁感知技术协同发展，包括平面霍尔、垂直霍尔、AMR、TMR及电感式传感技术在内的多个关键技术路线，结合自研BendingMag™ BFC聚磁技术，实现不同应用场景的精准适配，在精度、功耗与抗干扰能力之间取得平衡。　　同时，依托自主IP与核心专利，纳芯微磁传感器在温度补偿、低噪声信号链及零点漂移控制等关键环节持续优化，进一步提升产品在复杂车规环境下的稳定性与一致性。　　规模量产，全球市场领先：纳芯微磁传感器累计出货量超过20亿颗，市场表现位居全球前列。　　多场景渗透，磁传感器贯穿整车系统　　动力域：关键电流检测　　在逆变器、电驱、OBC/DC-DC及电池管理系统中，磁传感器广泛应用于新能源汽车动力系统的各类电流监测场景。纳芯微提供高精度的电流传感器产品系列：　　NSM201x与NSM211x系列集成式电流传感器：覆盖约5A至200A电流检测范围，兼具高带宽与精度表现。NSM211x可支持MHz级带宽，满足快速响应需求;　　NSM204x系列集成式电流传感器：通过小型化封装与稳定性能输出，提升系统集成度，适配多样化电流检测场景;　　MT9519系列线性电流传感器：支持不同结构下的开环电流检测方案，具备250kHz高带宽与快速响应能力，可覆盖几十安培至1000A电流检测范围，适用于电驱系统等高可靠性电流检测场景;　　NSM203x系列线性电流传感器：面向基于聚磁环的大量程电流检测场景，面向电驱系统等大电流检测场景，具备400kHz高带宽、1.5μs快速响应及优异噪声表现。　　车身域：高频位置检测　　在车身控制系统中，磁传感器广泛应用于车窗、门把手、电动尾门、天窗及座椅等位置检测场景。针对高可靠感知、低干扰传输的核心诉求，纳芯微提供丰富磁开关产品系列：　　MT72xx系列：采用两线制电流型输出，降低线束复杂度，提升长线束抗干扰能力;　　MT73xx系列：基于3D霍尔技术，提供双路正交信号输出，可同步获取速度与方向信息，提升检测精度与系统响应一致性;　　NSM101x系列：三线制霍尔开关/锁存器，支持宽电压输入与灵活参数配置，具备完善保护机制与良好系统兼容性。　　底盘域：高精度安全感知　　在电动助力转向、制动及悬架系统中，磁传感器承担关键角度、轮速与位置检测任务，对精度、实时性及可靠性要求严苛。　　NSM4xxx轮速传感器系列：集成功能安全诊断机制及振动抑制模块，具备良好的抗干扰能力与宽温稳定性，为ABS、ESP等系统提供可靠速度信号;　　MT6511 角度传感器：基于差分霍尔技术，角度检测精度<±1°max，提供<10μs的低系统延时，具备较强抗杂散磁场干扰能力及多接口输出特性;　　MT652x角度传感器：基于水平霍尔与BendingMag™ BFC聚磁技术，实现多平面磁场感知与高精度角度测量(精度<±1°)，支持灵活曲线编程与多接口输出。　　热管理系统：执行层关键感知　　随着热管理系统复杂度提升，执行部件对角度与电流感知的要求持续提高。纳芯微角度传感器支持高精度位置检测与多接口输出，满足复杂控制需求;同时配合电流传感器实现从高隔离到高带宽的检测能力覆盖，支撑系统高效稳定运行。　　传统动力系统：稳定角度检测　　在燃油车及混动车动力系统中，磁传感器广泛应用于电子节气门、EGR阀及涡轮增压器系统中的角度检测场景。纳芯微角度传感器支持0–360°连续测量，具备良好的温度稳定性与抗干扰能力，并提供多种接口形式，兼顾控制精度与长期可靠性。
2026-05-21 09:44 reading：323
开赛！纳芯微NSSine™MCU助力电力电子大赛
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开赛！纳芯微NSSine™MCU助力电力电子大赛

　　第十二届高校电力电子应用设计大赛启动仪式正式开幕!纳芯微作为合作伙伴，全程支持本届以新能源与储能竞赛的赛事开展。　　纳芯微将以实时控制 MCU、隔离栅极驱动等芯片为核心支撑，为参赛团队提供技术支持，助力学子完成方案设计。　　优选芯片|用 MCU & 栅极驱动，赢在自适应与损耗优化　　纳芯微NSSine™系列实时控制 MCU/DSP —— 用作高速策略大脑　　• 高性能实时 M7 内核;高速 ADC+高精度 PWM;自研 IDE Novo Studio。　　• 赛场用途：导通压降检测、工况识别、自适应驱动算法调度、保护逻辑管理。　　• 更多信息：www.novosns.com/real-time-mcu　　纳芯微隔离栅极驱动 —— 驱动模块核心器件　　• 针对宽禁带器件开发;2kV 工作耐压 + 5700V 冲击耐压;高集成化;驱动能力强、延时低。　　• 赛场用途：SiC MOSFET 开关控制、负压关断、串扰抑制、快速短路保护。　　• 更多信息：www.novosns.com/gate-drivers
2026-05-15 10:22 reading：491
纳芯微推出固态继电器NSI7117，以卓越EMC性能应对汽车BMS系统电磁挑战
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纳芯微推出固态继电器NSI7117，以卓越EMC性能应对汽车BMS系统电磁挑战

　　纳芯微今日正式推出新一代固态继电器NSI7117系列，新器件面向新能源汽车电池管理系统(BMS)等关键应用场景，针对性地优化了电磁兼容性能(EMC)，在电磁干扰抑制(EMI)与电磁抗扰度(EMS)两方面实现系统级提升，全面满足新能源汽车日益严苛的电磁兼容要求，为高可靠的汽车应用提供坚实支撑。　　新能源汽车BMS系统由于直接连接高压电池包，本身就对电磁兼容性能有着极高要求，需要在复杂电磁环境下保证采样、检测与控制功能的稳定运行。　　如今，在新能源汽车轻量化的趋势下，其电池系统正加速向多材料电池壳体架构演进，复合材料的引入在实现轻量化与结构集成的同时，也削弱了传统金属壳体对电磁干扰的天然屏蔽能力，使BMS系统面临更加复杂和严苛的电磁环境。　　在此背景下，纳芯微新一代固态继电器NSI7117通过优化的EMC设计，助力整车厂与电池厂商在多材料结构趋势下实现更高水平的系统可靠性。　　卓越的EMC性能，　　适配多材料电池系统的严苛电磁环境　　纳芯微NSI7117针对BMS高压应用中的电磁干扰特性进行了系统级优化，实现了业内卓越的电磁兼容性能。在和头部客户基于实际应用场景的系统联调测试中，NSI7117在电磁干扰发射(EMI)方面表现优异：　　静电放电抗扰(ESD，ISO 10605)在下电模式下通过±8kV测试;　　电快速瞬变脉冲群(EFT，IEC 61000-4-4)达到Class 4等级;　　传导与辐射发射(CISPR 25)分别达到电压法Class 3或4(根据不同频点)、电流法Class 5及辐射发射Class 5水平，有效降低开关过程中引入的系统级电磁辐射。　　得益于优异的EMI控制能力，客户在整机开发过程中可显著减少滤波、屏蔽等板级整改措施，降低EMC调试复杂度，缩短开发周期。　　在电磁抗扰度(EMS)方面，NSI7117同样具备出色的系统鲁棒性。器件可在全频段范围内通过200mA大电流注入测试(BCI，ISO 11452-4，Class A)，并顺利通过辐射抗扰测试(RI，ISO 11452-2，Class A)及手持发射机抗扰测试(PTI，ISO 11452-9，Class 2)。　　在多材料电池壳体导致屏蔽能力下降、系统电磁环境更加复杂的背景下，NSI7117能够有效降低误触发与异常开关风险，为BMS系统提供更高裕量的电磁可靠性与安全保障。同时，其高抗扰设计有助于减少系统层面的防护冗余设计，进一步简化硬件架构与验证流程。　　可靠性全面升级，　　加速替代机械继电器与光耦继电器　　相较机械继电器与光耦继电器，固态继电器在新能源汽车BMS中具备更优的综合性能。机械继电器存在触点磨损、寿命有限和响应较慢等问题;光耦继电器虽提升隔离能力，但在耐压、漏电流及长期稳定性方面仍有局限。　　固态继电器基于半导体无触点开关，具备更高可靠性与更长寿命，并可在高压、高温等严苛工况下稳定工作，有效降低系统失效风险，正成为高压BMS系统中开关器件的重要选择。　　在此基础上，纳芯微NSI7117进一步在高压能力与极端工况可靠性方面实现突破。产品内部集成两颗SiC MOSFET，每颗器件支持高达1700V耐压，具有优秀的抗雪崩能力与瞬态过压承受能力。这一特性使其在电池系统异常工况(如浪涌、电压尖峰)下仍能保持稳定运行，有效提升系统安全边界。　　同时，NSI7117在高压高温条件下的漏电控制能力同样表现突出。在1000V工作电压、125℃高温环境下，器件漏电流可控制在1μA以内，显著优于传统方案。这一特性有助于提升电池包整体绝缘阻抗水平，降低系统误判风险，并提高绝缘检测精度，从而增强整车在高压状态下的人机交互安全性。　　满足各类安规要求，　　降低系统验证时间　　NSI7117提供SOW12封装，兼容市场主流光耦继电器，便于客户无缝替换升级。在SOW12封装下，NSI7117实现5.91mm副边爬电距离，原边副边爬电距离也达到8mm，满足IEC 60747-17相关要求。　　结合纳芯微成熟的电容隔离技术，NSI7117隔离耐压能力高达5kVrms，并满足UL、CQC及VDE等权威认证标准要求，有助于客户简化系统级认证流程，缩短产品开发与上市周期。　　同时，NSI7117采用全国产供应链，进一步提升供应安全性与交付稳定性。NSI7117即将进入量产阶段，车规版本NSI7117-Q1满足AEC-Q100 Grade 1要求，支持–40°C至125°C宽工作温度范围，同时亦提供工规版本，满足不同应用场景需求。　　NSI7117现已支持送样，请登录纳芯微官网(www.novosns.com)，进行样片申请。
2026-05-13 10:19 reading：460
纳芯微丨ADC 采样电压为何偏离理论值？实时控制 MCU/DSP 输入阻抗解析
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纳芯微丨ADC 采样电压为何偏离理论值？实时控制 MCU/DSP 输入阻抗解析

　　“为什么我在学习板/开发板上面测试都是正常的，上工程样机的时候，ADC采样就会有问题?”　　工程师在使用DSP进行ADC采样测试的时候，有可能会遇到以上难以理解的问题。导致ADC采样不准确的因素众多，本文将着重讨论其中一种影响因素——输入阻抗对ADC采样的影响。　　下文将以纳芯微实时控制MCU/DSP NS800RT503x 系列芯片为例，结合分压采样电路设计与实测现象，解析输入源阻抗对 ADC 采样精度的影响，帮助工程师更好地完成 ADC 采样电路设计与参数匹配。　　01　　ADC电压采样范围　　ADC的电压采样范围由其参考电压决定。当参考电压为3V，ADC的采样范围为0~3V。对于NS800RT503x系列芯片，ADC默认使用外部参考电压，接入的外部参考电压应在1.65V~3.3V之间，或者通过软件，选择使用内部的1.65V或2.5V参考电压。　　如何测量输入电压　　小电压测量当检测电压在0-5V范围内时，可通过两个电阻进行简单的分压，并通常在 ADC 输入端并联电容进行滤波，如下图所示。　　Ui为检测端电压，Uo为ADC的输入端电压：　　分压后的Uo电压应小于或等于ADC的参考电压。　　同时，需要考虑分压电流大小，电流最大为20mA，且ADC的输入阻抗不宜过大(相关原因将在下文进行分析)。通过ADC采集到分压后的电压，可进一步换算得到输入端电压。如采集到的电压为xV，则输入端的电压为：　　图1-ADC分压输入　　大电压测量对于450V的高电压，仅使用两个电阻进行分压并不适用，需考虑单个电阻的额定功率和耐压值。　　电阻的功率(P)计算公式为：P=UI　　当大电压加在单个电阻上时，会导致其功率超过额定值，电阻发热。因此，需要使用多个电阻进行分压，ADC获取的数值与上节同理，可推出输入端电压。如下图所示，450V的输入电压分压后为2.778V。　　电路中的两个稳压二极管处于反向偏置状态，用于电路保护。当电路电压超过稳压二极管的反向击穿电压时，稳压二极管两端的电压处于一个固定值，这个值取决于二极管的材料与结构，从而保护GPIO端口，下图稳压二极管分别用作防止正电压和负电压过大。ADC的输入端使用了RC低通滤波电路，可将高频信号滤去，截止频率为：　　图2-电阻分压　　下图同理：　　图3-电阻分压　　注：等效阻抗的计算包括电阻阻抗、容抗、感抗　　02　　ADC的输入阻抗选择参考　　基于 NS800RT503x 系列芯片的 ADC 输入特性，在合适的 ADC 时钟与采样窗口时间配置下，ADC 输入阻抗最高可支持至 1100kΩ。　　需要注意的是，不同 ADC 时钟与采样窗口时间对应的最大输入阻抗并不相同，实际设计时应根据具体配置查表确认，部分典型配置如下表所示。　　表1-输入电阻匹配表　　当ADC的输入阻抗过大时，会出现采集到的电压不精确的问题，以下 ADC 电压采集电路可作为典型示例。　　设计目的是将前端电路的最大400V电压进行分压，得到最大5V再进行分压，输入到ADC1。　　理论上该电路Vout-s经过电路中的200K和360K电阻分压，最大5V输入最后给到ADC1的电压为3.1V，最小0V输入最后给到ADC1的电压为0V。　　图4 ADC输入阻抗偏大电路设计举例　　实际使用万用表测试发现，ADC1在5V输入的情况下，最终的分压在2.2V，出现明显压降;在0V输入的情况下，最终的分压为0.4V，出现明显压升。在这种测试环境下，ADC的检测并不准确。　　通过等效转换可得知上图ADC的输入阻抗为128.57kΩ，阻抗较大。　　配置ADC采样窗口时间为65个ADC_CLK，测试过程中，移除电阻，将0V至3V的电压直接施加到ADC输入端，测得电压正常，排除了ADC配置问题导致的测量不准确。　　随后测试减少阻抗的方式，将ADC输入电阻阻抗调整为12.18kΩ()，如下图所示。　　在GPIO端口测得的电压值在转换时间为大于65个ADC_CLK周期内正常。　　进一步减小ADC输入电阻后，在更短的ADC转换周期内，ADC输入端电压值也可正常，与上述阻抗匹配表一致。　　图5 电阻分压　　将ADC配置为使用定时器进行定时触发转换。随着定时频率的增加，ADC输入端口电压逐渐减少。　　即使输入阻抗为128.57kΩ，只要定时器触发频率足够低，输入电压后，ADC输入端的电压依然能够正常。因此初步分析，该现象与ADC采样过程中端口的电压有关系。　　进一步测试：端口不接任何外围器件，使用ADCA_CH0，ADCB_CH0，ADCC_CH0进行测试。　　ADCA与ADCB配置为相同参数，转换时间为1个ADC周期，测得ADCA_CH0与ADCB_CH0的电压为1.4xV，ADCC_CH0电压与其他未配置的IO端口电压一致为0.3xV的电压;　　将ADCA的转换时间逐次增大，ADCA_CH0的电压逐渐减小，ADCB_CH0与ADCC_CH0电压不变。当ADCA转换时间增大到65个ADC周期时，ADCA_CH0处电压减少到1.0xV。上文采用21kΩ电阻与29kΩ电阻进行分压ADC输入时，若配置转换时间为1-33个ADC周期时，端口分电压存在异常;只有配置为65个ADC周期以上时，端口分电压才是正常的理论电压;　　当将ADCA停止，ADCA_CH0处电压等于ADCB_CH0电压，ADCC_CH0电压不变。这时可解释为何ADC未初始化时，端口检测到的电压为正常的分压值——因为ADC不运作，端口处无额外的电压生成。测试中，输入阻抗过大时，ADC在运行时端口处的分压值会偏离理论值，只有ADC不运作时，该端口处的分压才恢复理论值。而输入阻抗较小时，端口电压不受ADC是否运作的影响，始终保持正常的理论值;　　将ADCA、ADCB都停止：　　ADCA_CH0 = ADCB_CH0 = ADCC_CH0　　测试现象表明：当ADC运行时，随着准换时间的变化，端口上会出现不同的残留电压。准换时间越短，残留电压越大。　　当通过接入电阻进行分压时，分压值是否准确，取决于该端口产生的残留电压大小和输入阻抗的大小。输入阻抗越小，分压值受该端口残留电压的影响越小;反之，输入阻抗越大，分压值受该端口残留电压的影响越大。　　03　　ADC采样时出现残留电压原因分析　　ADC的输入模型如下所示：　　如上图所示，ADC内部通常包含采样电容，该电容会在采样时进行充电或放电。电容充电/放电过程会在采样瞬间引起输入端口电压的瞬时变化。　　当采样频率越大，充放电的过程跟不上采样速度，此时采样电容上会有相应的残留电荷，会导致端口电压由额外的电压残留。　　因此，采样频率越快，残留电压也越大，只有当输入阻抗较小时才能抵消这个残留电压。　　结言　　当 ADC 输入源阻抗过大时，容易出现采样电压偏差。这与 ADC 的内部采样结构有关：ADC 采样时，内部采样电容需要快速完成充放电;如果前端驱动能力不足，采样电容上的残余电荷会影响当前输入信号，从而导致采样结果出现偏差。当输入信号驱动能力足够时，这种影响会明显减小。　　因此，在 ADC 前端电路设计时，需要结合具体芯片型号与应用需求，综合考虑输入源阻抗、采样窗口时间、ADC 时钟频率以及前端滤波参数，确保前端采样电路设计合理，从而提升采样稳定性与测试结果一致性。
2026-05-12 09:31 reading：465
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