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上海雷卯丨小封装<span style='color:red'>大功率</span>低钳位Snap-back TVS：储能与BMS 系统过压防护核心方案

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上海雷卯丨小封装大功率低钳位Snap-back TVS：储能与BMS 系统过压防护核心方案

　　在储能系统、锂电池管理(BMS)、新能源汽车电子等关键场景中，设备长期处于高压、高频、连续不间断运行状态，雷击浪涌、抛负载、感性负载切换等瞬态过压事件，极易造成BMS 主控MCU、AFE采样芯片、MOSFET 等核心器件击穿失效，直接导致系统宕机、设备损坏甚至安全风险。　　具备Snap-back(回扫)特性的TVS 是解决此类问题的最优防护方案。上海雷卯电子聚焦电路保护核心需求，自主研发并量产小封装、大功率、超低钳位电压Snap-back TVS，技术性能全面对标力特(Littelfuse)、Vishay、Semtech 等国际一线品牌，为储能与BMS 系统提供高可靠、高性价比的国产替代防护方案。　　作为电路防护第一道防线，TVS的低钳位电压是衡量保护能力的核心指标，直接决定后端芯片的安全上限。雷卯Snap-back TVS通过极低Vc值，确保浪涌冲击下核心芯片始终处于安全工作区，筑牢电路防护网。下图为雷卯Snap-back TVS VI特性曲线。　　一、Snap-back TVS：储能与BMS 精准防护核心　　普通TVS 在浪涌冲击下，钳位电压会随电流上升持续升高，往往超出后端敏感芯片的耐压范围，无法实现真正有效的安全防护。　　雷卯Snap-back TVS具备独特的负阻回扫特性：器件被触发击穿后，电压快速回落至更低的维持电压，以纳秒级速度泄放浪涌电流，将钳位电压压至极限低位，从根源上避免高压应力损伤核心元器件。　　核心保护优势　　1. 极速响应：纳秒级导通，快速泄放雷击、抛负载等高能瞬态电流　　2. 超低钳位：回扫后电压远低于常规TVS，芯片安全裕量大幅提升　　3. 无闩锁风险：浪涌冲击后快速恢复，适配7×24h 不间断运行场景　　4. 高可靠性：反复冲击不失效，满足车规、储能级长期使用要求　　二、雷卯13LM 系列Snap-back TVS 产品介绍　　针对储能/BMS 高密度布局、大功率防护、低残压保护的三重核心需求，上海雷卯电子推出13KW SMC 封装Snap-back TVS，包含13LM78CA、13LM87CA、13LM102CA三款主力型号，实现小体积、大功率、低钳位的技术统一。　　产品核心技术优势分析　　1、超低钳位电压　　对比常规SMC封装的8.0SMDJ78CA(钳位电压126V)，新品13LM78CA在功率提升超过60%的同时，将钳位电压大幅降低至100V。这意味着在同等浪涌下，后端芯片承受的电压应力降低了20%以上，安全裕量显著提升。　　2、更优的功率密度　　若以13KW的功率等级为标准，传统方案需采用尺寸更大的DO-218AB封装(如SM15S78CA，尺寸15.5mm x 10mm)。而13LM78CA在保持SMC紧凑封装(8.0mm x 6.0mm)的同时，不仅实现了13KW的大功率，其钳位电压(100V)也远低于DO-218AB封装方案(126V)，真正做到了“小身材，大能量，低残压”。　　三、雷卯Snap-back TVS 三大应用价值　　1、提升系统可靠性，延长设备寿命　　有效抑制瞬态电压峰值，减少高压冲击对MCU、AFE、MOS 管的损伤，显著降低系统失效率，满足储能/BMS 7×24h 不间断运行需求，延长整机使用寿命。　　2、降低设计冗余，优化物料成本　　传统设计中，为应对TVS较高的钳位电压，工程师往往被迫选用耐压等级更高、成本也更贵的后端MOSFET或IC。而低VC的TVS提供了一个更优解，它允许工程师选用耐压等级更低、性能更优、成本更低的元器件，从而有效优化整体物料清单(BOM)成本。　　3、应对更严苛的标准，满足功能安全要求　　随着汽车和储能行业对功能安全(如ISO 26262)的要求日益严格，电路保护方案也必须达到更高标准。低VC的TVS凭借其卓越的保护性能，能够帮助系统设计轻松通过各类严苛的浪涌和瞬态测试，为产品认证和市场准入扫清障碍。　　四、典型应用场景　　◆储能系统：储能变流器(PCS)、电池包、BMS 主控板、高压采样回路　　◆ 新能源汽车：车载BMS、OBC、DC-DC、48V/800V 高压系统　　◆工业控制：光伏逆变器、工控电源、高压传感器、通信电源　　◆高端电子：医疗设备、工业机器人、安防监控、智能电网设备　　五、雷卯电子品牌与服务优势　　上海雷卯电子是专注ESD/EMC/过压保护器件的国家高新技术企业，核心技术对标Littelfuse、Vishay、Semtech：　　1. 自研技术：Snap-back TVS 核心工艺自主研发，性能比肩国际品牌　　2. 品质保障：通过AEC-Q101 车规认证、ISO 9001、ISO 14001 体系认证　　3. 服务优势：FAE 团队全程支持，提供选型、方案设计、测试验证一站式服务　　4. 交期与成本：国产现货供应，交期更稳、性价比更高，替代优势明显　　5. 实验室支持：自建EMC 实验室，免费为客户提供浪涌、静电、抛负载测试　　上海雷卯电子以小封装、大功率、低钳位的核心技术，打造行业领先的Snap-back TVS 产品，为新能源储能、汽车电子、工业控制提供更安全、更稳定、更具竞争力的电路保护方案，成为国产替代国际品牌的首选合作伙伴。　　附上其中一页规格书参数如下：

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上海雷卯

发布时间：2026-05-20 09:37 阅读量：340 继续阅读>>

维安双面散热MOSFET：<span style='color:red'>大功率</span>应用首选

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维安双面散热MOSFET：大功率应用首选

　　随着智能硬件产品快速迭代，MOSFET 小型化、高功率密度、低功耗已成为核心发展趋势。　　新能源汽车与 AI 服务器的爆发式增长，进一步推动了各类新型PowerPack 一体化功率模块的快速发展。30V–100V 低压大功率 MOSFET应用需求持续旺盛，功率和散热成为一大难点。　　维安推出双面散热 MOSFET ，通过封装创新进一步优化散热性能，推动器件整体方案升级。　　双面散热与顶部散热：　　1.两种散热方式在散热器端都需要进行绝缘处理。　　2.双面散热的冷却效果最好。　　3.顶部散热冷却效果次之，但背部可以放置元器件。　　传统PDFN56使用底部散热时，MOSFET 产生的大部分热量只会传递到 PCB，由于其热阻大，因此 PCB 温度会升高。　　PDFN56双面散热DSC增加了另一条散热路径(底部通过 PCB 散热，顶部通过外露铜夹片和散热片散热)，以快速消散 MOSFET 芯片中产生的热量，通过热仿真得出，约有 30% 的热量通过顶部传递，而传递到 PCB 的热量明显减少。　　双面散热封装设计，与传统PDFN5060相比，显示更优的Thermal能力：　　1.Rthjc_Bottom 改善10%　　2.Rthjc_Top 改善将近 23%　　3.Rthja 改善将近3.5倍　　空气自然对流(顶部无散热片)器件温升对比：　　*在顶部无散热片的情况下，采用PDFN56双面散热较传统的PDFN56底部散热，至少可以降低近9℃。　　顶部加散热片器件温升对比：　　* 顶部增加散热片，用热电偶测量散热片贴合器件顶部的位置，此时将器件和散热片视为一个系统，整体的温升用来和顶部无散热片进行对比分析，具体分析数据如下：　　*采用PDFN56双面散热，可以将大于30%的热量通过顶部散热片传导出去，较传统的PDFN56底部散热的热传导提升了近28%，可以更好的保障器件温度平衡，提升可靠性及稳定性。　　1/ 双面散热　　2/ 顶部散热　　产品特点　　WAYON 双面散热MOSFET　　卓越的品质因数(FOMs)　　业界领先低导通电阻　　高可靠性、高品质　　先进的厚铜clip技术　　封装兼容传统 PDFN5060 & LFPAK5060　　热性能改善将近3.5倍　　典型应用　　WAYON 双面散热MOSFET　　BMS　　高性能开关电源DC转换与整流　　机器人关节电机驱动　　无人机电调　　成功案例　　典型应用AGV(电机驱动器)　　型号：WMBD030N10HG4　　项目背景　　一、系统电压48V，充饱和电压60V，考虑到反电动势，客户要求选用100V产品;由于最大相电流52A，堵转电流为最大电流1.3倍;　　二、MOS测试条件：考虑到电机堵转(类似举重物达到最大扭矩，速度最低的时候)，MOS需要在这个条件下持续2秒时间不失效。　　项目结果　　在新一代机型上，所开发的双面散热产品WMBD030N10HG4，客户已测试OK，开始批量应用。

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维安

发布时间：2026-04-21 10:26 阅读量：528 继续阅读>>

海凌科电子丨<span style='color:red'>大功率</span>DC-DC电源：为工业设备注入强劲动力

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海凌科电子丨大功率DC-DC电源：为工业设备注入强劲动力

　　在现代电子设备中，电源模块就像人体的心脏，负责为整个系统稳定供血。而在工业、通信、轨道交通等高可靠性场景中，大功率DC-DC电源更是不可或缺的核心部件。它们需要在高电压、宽范围、恶劣环境下稳定运行，同时还要兼顾效率、体积和散热。　　一、大功率电源　　大功率DC-DC电源是一种能够将宽范围输入电压高效转换为稳定直流输出的供电模块，通常功率在几十瓦到数百瓦以上。它广泛应用于工业控制、轨道交通、通信基站、医疗设备及军工等领域，要求具备高转换效率、宽工作温度、高隔离电压及完善的保护功能(如过压、过流、短路保护等)，以满足严苛环境下的长期可靠运行需求。　　砖块电源为其中一种大功率电源，它是指按照行业标准尺寸设计的模块化电源，常见的有全砖、半砖、1/4砖和1/8砖等规格。它们采用标准化封装，便于集成和散热设计，尤其适合对空间和可靠性要求严苛的场景。　　海凌科的大功率DC-DC半砖和1/4砖电源输入电压覆盖9-36V、36-75V、43-160V、66-160V、180-425V乃至300-900V等多个宽压范围，输出电压从5V到48V，功率范围从100W到600W。所有产品均采用稳压单路输出，无最小负载要求，可在-40℃至+105℃的严苛温度下稳定工作。　　二、半砖与1/4砖系列　　1. 半砖系列　　海凌科半砖DC-DC模块主要面向中高功率需求，功率覆盖100W至600W。根据输入电压范围，可分为多个子系列：　　低压输入系列：输入9-36V、16-40V和36-75V，输出功率最高600W，典型型号如300W输出的300H-24S24A，典型效率高达90%以上，适用于电池供电或车载设备。　　高压输入系列：输入43-160V、66-160V，功率最高400W，广泛用于轨道交通和工业控制。例如400W输出的400H-110S24，输入66-160V，输出24V/16.6A，典型效率达90%。　　超高压输入系列：输入180-425V或300-900V，功率最高350W，适用于光伏、电力等高电压场景。　　2. 1/4砖系列　　1/4砖系列体积更小，适合空间受限但功率需求较高的场景，功率覆盖50W至250W。海凌科的1/4砖产品同样提供多种输入范围：　　宽压输入：14-160V、43-160V等，典型型号如200Q-110S24，输入66-160V，输出24V/200W，典型效率高达90%。该型号专为铁路应用设计，符合EN50155标准，具备高隔离电压(输入-输出3000VAC)。　　超宽输出范围：支持5V、12V、15V、24V、28V、48V等多种电压。　　3.型号解读　　以“200Q-110S24”为例：　　开头的数字“200”代表输出功率为200W;　　紧随其后的字母“Q”表示该产品为1/4砖系列(若为“H”则代表半砖系列);　　末尾的数字“24”表示输出电压为24V;　　若型号尾缀带有字母“A”，则代表该产品具备4:1的宽电压输入范围。　　这两个系列模块均标配输入欠压保护、输出过流、过压、过温、短路保护，并支持远程遥控、远端补偿和输出电压调节功能，满足复杂系统的灵活设计需求。　　三、应用场景　　海凌科大功率DC-DC电源模块凭借高可靠性和宽适应性，在多个关键行业得到广泛应用：　　轨道交通：列车系统对电源的可靠性要求极高。海凌科的半砖和1/4砖产品符合EN50155铁路标准，具备宽压输入(66-160V)和高隔离电压，广泛应用于列车控制系统、信号设备、车载显示屏等。　　电力系统：在变电站、储能设备、光伏逆变器中，高压输入(如300-900V)的电源模块可将高压直流转换为低压稳定电源，为监控、通信和保护装置供电。　　通讯设备：基站、交换机、路由器等需要高效率和宽压输入的电源模块，海凌科9-36V和36-75V输入产品可满足供电架构和电池备份场景。　　医疗设备：医疗仪器对电源的安全性和稳定性要求严苛。高隔离电压、低纹波噪声的特性，使其适用于影像设备、监护仪、手术机器人等。　　四、总结　　海凌科电子依托多年电源研发经验，结合严格的品质管控，为用户提供性能优异、可靠性高的大功率DC-DC砖块电源。除了半砖和1/4砖系列外，海凌科还拥有全砖、1/8砖等多种规格，以及AC-DC电源模块、定制电源等丰富的产品线，可满足不同场景的多样化需求。未来，海凌科将继续深耕电源技术，不断推出更高效、更紧凑、更可靠的电源解决方案，为中国高端制造注入源源不断的动力。

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海凌科电子

发布时间：2026-04-02 10:49 阅读量：652 继续阅读>>

华润微电子推出第五代高效RC-IGBT系列产品，赋能<span style='color:red'>大功率</span>家电能效升级

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华润微电子推出第五代高效RC-IGBT系列产品，赋能大功率家电能效升级

　　近两年，我国家电消费市场呈现持续回暖态势，家电行业正加速向智能化、高端化、绿色化转型，市场对更高质量、更低能耗的产品需求日益迫切。华润微电子功率集成事业群(简称PIBG)瞄准家电行业对高效节能技术的迫切需求，推出第五代RC-IGBT(逆导型绝缘栅双极晶体管)系列产品。该系列产品兼具高耐压、低损耗、参数一致性好、优异的温升控制特性以及出色的过电流能力等优势，有助于构建低碳、高效、安全的大功率家电应用场景，在电磁炉、微波炉、电饭煲等家电中具有非常好的应用适配性。　　一、产品优点　　PIBG第五代RC-IGBT系列(以下简称RC5)基于先进的8英寸微沟槽栅双面光刻工艺平台，在设计上采用优化的VLD高可靠性终端结构，相比第三代RC产品，RC5的元胞电流密度、产品参数一致性以及器件可靠性均实现大幅提升。依托平台及工艺优势，该系列器件在常温及高温工况下展现出显著的性能优势：耐压能力更强、静态导通损耗与动态开关损耗更低、过电流能力大幅提升、产品VF一致性更优。此外在高温环境下，其集成的续流二极管 (FRD) 具有低压降和软恢复特性，与正面IGBT的开关性能形成协同优化效应，显著提升器件在谐振及软开关拓扑应用中的并联一致性。　　二、产品性能　　选取RC5系列中的CRG25T135AKR5H产品与国外厂商的同类RC-IGBT产品进行了实测对比。　　(一)静态特性　　根据静态参数实测对比(如图1-3)，PIBG的CRG25T135AKR5H的关键参数优于友商同规格、同封装产品。具体表现为：耐压值较竞品提升2.5%，饱和压降VCE(sat)较竞品降低6.7%，二极管正向导通压降较竞品降低13%。　　(二)动态特性　　如图4所示，CRG25T135AKR5H在常温、高温条件下关断损耗具有明显优势、Trade-off有显著提升;其动态参数中的开关损耗均优于友商产品。　　以CRG25T135AKR5H为代表的RC5系列产品均通过严格的可靠性考核，特别在HV_HAST和HV_H3TRB等关键可靠性考核项目中表现出很强的参数稳定性。RC5系列产品可覆盖家用、商用大功率电器应用。　　(三)整机测试　　在2100W电磁炉样机上进行应用对比测试，在不同测试电压下，CRG25T135AKR5H壳温和散热片温度均表现良好，且明显低于友商产品。目前，该产品已在国内主流品牌的微波炉、电磁炉中实现量产应用。　　三、产品列表　　PIBG基于第五代RC-IGBT平台进行产品系列化，推出了15A、 25A、30A三款产品，以满足不同应用需求，为客户提供更灵活的选择。　　四、结语　　PIBG第五代高效RC-IGBT系列器件具备正温度系数特性、稳定的高温特性、高可靠性和优异的并联适配性等核心优势，为多种大功率家电提供了高性价比解决方案，共创高效、低碳、安全的智能家居未来。PIBG将于近期推出面向高集成化智能家电市场的650V RC-IGBT Gen5单管及IPM模块，敬请期待!

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华润微

发布时间：2026-02-26 14:48 阅读量：846 继续阅读>>

鲁光MDC100A-16整流管模块：<span style='color:red'>大功率</span>工业应用的可靠核心

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鲁光MDC100A-16整流管模块：大功率工业应用的可靠核心

　　在现代工业电力系统的核心，整流管模块扮演着将交流电转换为直流电的关键角色。鲁光电子推出的MDC100A-16整流管模块正是为工业而生的一款高可靠性功率器件。凭借其大电流承载能力、出色的电气绝缘性能，成为众多高功率密度应用的解决方案。　　二、特性曲线　　三、应用场景：驱动关键行业的直流动力　　MDC100A-16整流管模块在以下关键领域发挥着不可替代的作用。　　1.工业变频器与电机驱动　　在自动化产线、大型风机、水泵压缩机等设备中，变频器是调节电机速度、实现节能的核心。MDC100A-16负责将交流电高效、稳定地转换为直流电。其大电流能力和优良的热性能，确保了变频器在频繁启停、长期重载运行下的可靠性。　　2.大功率整流电源与电化学装置　　电解、电镀、金属冶炼等工业过程需要大电流的直流电源。同样，大型直流电机、励磁系统也需要稳定的直流供电。在多相整流电源柜中，多个MDC100A-16模块并联工作，是构建输出数千安培直流电源系统的基石。　　3.电力系统直流操作电源　　在发电厂、变电站中，需要极其可靠的直流电源系统，为高压开关的分合闸操作、继电保护装置、事故照明等关键负载供电。MDC100A-16将交流进线转换为直流，一方面为实时负载供电，另一方面为蓄电池组充电。　　四、总结　　鲁光MDC100A-16整流管模块如同一颗强有力的能量转换基石。它所承载的不仅是上千安培的电流，更是现代工业对效率、可靠性与安全性的极致追求。

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发布时间：2026-01-07 10:20 阅读量：705 继续阅读>>

体积更小且支持<span style='color:red'>大功率</span>！ROHM开始量产TOLL封装的SiC MOSFET

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体积更小且支持大功率！ROHM开始量产TOLL封装的SiC MOSFET

　　2025年10月16日，全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)宣布，已开始量产TOLL(TO-LeadLess)封装的SiC MOSFET“SCT40xxDLL”系列产品。与同等耐压和导通电阻的以往封装产品(TO-263-7L)相比，其散热性提升约39%，虽然体型小且薄，却能支持大功率。该产品非常适用于功率密度日益提高的服务器电源、ESS(储能系统)以及要求扁平化设计的薄型电源等工业设备。　　与以往封装产品相比，新产品的体积更小更薄，器件面积削减了约26%，厚度减半，仅为2.3mm。另外，很多TOLL封装的普通产品的漏-源额定电压为650V，而ROHM新产品则达到750V。因此，即使考虑到浪涌电压等因素仍可抑制栅极电阻，从而有助于降低开关损耗。产品阵容中包括13mΩ至65mΩ导通电阻的共6款机型的产品，并已于2025年9月开始量产(样品价格：5,500日元/个，不含税)。另外，新产品也已开始电商销售，可从Ameya360平台购买。另外，ROHM官网还提供6款新产品的仿真模型，助力客户快速推进电路设计。　　<开发背景>　　在AI服务器和小型光伏逆变器等应用中，功率呈日益提高的趋势，同时，与之相矛盾的小型化需求也与日俱增，这就要求功率MOSFET具有更高的功率密度。特别是被称为“卡片式”的超薄电源，其图腾柱PFC电路*1需要满足厚度4mm以下的严苛要求。为满足这些市场需求，ROHM开发出厚度仅为2.3mm、远低于以往封装产品4.5mm的TOLL封装SiC MOSFET。　　<产品阵容>　　<应用示例>　　・工业设备：AI服务器和数据中心等电源、光伏逆变器、ESS(储能系统)　　・消费电子：一般电源　　<电商销售信息>　　电商平台：Ameya360　　开始销售时间：2025年9月起逐步发售　　<术语解说>　　*1) 图腾柱型PFC电路　　一种高效率的功率因数校正电路方式，通过采用MOSFET作为整流器件来降低二极管损耗。通过采用SiC MOSFET，可实现高耐压、高效率及支持高温运行的电源。　　<关于“EcoSiC™”品牌>　　EcoSiC™是采用了因性能优于硅(Si)而在功率元器件领域备受关注的碳化硅(SiC)的元器件品牌。从晶圆生产到制造工艺、封装和品质管理方法，ROHM一直在自主开发SiC产品升级所必需的技术。另外，ROHM在制造过程中采用的是一贯制生产体系，已经确立了SiC领域先进企业的地位。・EcoSiC™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。

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发布时间：2025-10-20 11:02 阅读量：957 继续阅读>>

Littelfuse推出IX3407B隔离栅极驱动器简化<span style='color:red'>大功率</span>设计

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Littelfuse推出IX3407B隔离栅极驱动器简化大功率设计

　　Littelfuse宣布推出IX3407B单通道电隔离栅极驱动器。该产品专为高压电源应用设计，可提供高速开关性能并简化系统设计。　　IX3407B栅极驱动器通过独立输出引脚提供高达7A的峰值拉电流和灌电流输出，并集成Littelfuse专有2.5kV电容隔离技术，确保信号完整性与安全性。该器件具备快速传播延迟、高共模瞬态抗扰度(CMTI)及增强的热稳定性，可在宽范围开关频率和温度条件下实现高效可靠的运行。　　“凭借IX3407B，我们的客户能够设计出更安全、更紧凑、更高效的电源系统，”Littelfuse集成电路事业部产品经理June Zhang表示。“在太阳能逆变器、电机驱动器、工业自动化及高效UPS系统等快速增长的市场中，IX3407B将助力企业加速产品上市进程，降低整体系统成本。”　　IX3407B通过在控制级与驱动级之间提供电隔离，解决了低压逻辑与高压功率器件接口的难题，无需采用笨重的光耦合器或基于变压器的隔离方案。这种集成设计不仅节省电路板空间、减少元件数量、降低系统复杂度，同时提供更高的设计灵活性和长期可靠性。　　主要功能与特色：　　· 7A典型峰值拉/灌电流，配备独立输出引脚实现精准栅极控制;　　· 2.5kVrms电容隔离确保可靠电气隔离与高速信号传输;　　· 兼容TTL/CMOS逻辑(3.3V阈值)，输入电压容差高达VCC;　　· 主动关断(ASD)与欠压锁定(UVLO)功能防范故障状态;　　· 高达150kV/µs的CMTI等级，支持高噪声工业环境;· 宽输出供电范围(13V-35V)兼容Si/SiC MOSFET及IGBT器件。　　目标应用领域：　　IX3407B适用于广泛的工业和可再生能源应用，包括：　　· 交流与无刷直流电机驱动系统;　　· 太阳能逆变器与储能系统;· 高压直流/直流转换器;　　· LLC与图腾柱式功率因数校正功率级;　　· 感应加热系统、焊接设备及不间断电源(UPS);　　· 楼宇与工厂自动化系统。　　通过替代传统的光耦合器解决方案，IX3407B可提供卓越性能、更小占位面积和更低系统成本，成为工程师设计新一代高效电源系统的理想选择。

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发布时间：2025-10-09 10:17 阅读量：1321 继续阅读>>

电摩充电器：维安1200W LLC<span style='color:red'>大功率</span>电源解决方案

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电摩充电器：维安1200W LLC大功率电源解决方案

　　近年来，工业自动化、新能源汽车充电桩、数据中心、电动交通工具等领域快速发展，各类大功率设备层出不穷，这些设备对电源的功率需求日益攀升。　　传统的电源拓扑在面对1200W这样的大功率时，往往面临效率低下、散热困难等问题，而LLC谐振变换器具有软开关等特性，凭借其高效、低损耗等优势，成为大功率电源方案设计的理想选择。　　本文介绍的1200W LLC电源主要面向电摩充电器市场，电摩作为日常出行工具，其充电场景多样且复杂，包括电网波动、电池容量、安全性能等因素。　　基于以上应用考量，维安利用自研产品LLC谐振半桥控制器WD1901SJR、PFC控制器WD1605ASR、原边反馈控制器WD1802CSR和高性能充电管理芯片WY32F1030KBU7开发了一款基于APFC + LLC 谐振拓扑的电摩充电器方案，该方案同时整合维安多个产品线产品，电源实物样机以及产品线名称如图1所示。　　图1：维安1200W LLC大功率电源实物图　　“系统架构及方案优势　　WAYON 1200W LLC大功率电源解决方案　　1、WAYON 1200W LLC大功率电源解决方案　　功率控制芯片PFC (WD1605ASR)　　+ LLC (WD1901SJR)：　　高效节能　　LLC控制器WD1901SJR、PFC控制器WD1605ASR以及PSR控制器WD1802CSR的协同工作，使得方案的峰值效率高达95%。极大提升了用户的适应便利性。　　稳定可靠　　得益于WD1901SJR和WD1605ASR 优秀的动态响应能力，该方案能在电网电压波动较大的情况下，始终保持输出电压和电流的稳定。　　安全可靠　　功率控制芯片具备丰富的保护功能，包括过压保护、恒压恒流双闭环、短路保护，保证充电过程的安全可靠。　　延长电池使用寿命　　WD1901SJR实现精准的充电控制，能根据电池的特性和状态进行智能化充电。WD1605ASR提高了功率因数，整体方案的PF值高达0.99。　　2、WAYON 1200W LLC大功率电源解决方案　　智能充电管理MCU(WY32F1030KBU7)　　动态输出调节　　精确控制输出电压 (60V-88V) 和输出电流 (最大13A) 的动态设定值，满足不同电池组和充电阶段的需求。　　高级保护功能　　实现过压保护 (OVP)、过流保护 (OCP)、过温保护 (OTP)、电池反接保护、超时保护等，并与初级侧保护形成双重保障机制。　　状态监测与通信　　实时监测输入/输出电压电流、温度等关键参数;提供本地显示(如LED/LCD)或通信接口(如UART)用于状态上报、参数配置等。　　输入输出规格　　WAYON 1200W LLC大功率电源解决方案　　1、输入电压　　110-240Vac　　2、输出规格　　60V-88V，恒流13A　　(100VAC输入规格下恒流7.5A)　　3、功率因数PF　　>0.99　　4、峰值整机效率　　95.0 %　　“方案设计及优势　　WAYON 1200W LLC大功率电源解决方案　　APFC方案设计　　1200W电源方案的PFC部分采用自研产品WD1605ASR作为控制器，应用于连续传导模式(CCM)，具备平均电流模式控制、快速响应、低功耗、低成本等特性。　　WD1605ASR采用固定的频率模式(65kHz)控制PFC模块的MOS管导通时间(PWM)并依赖于瞬时电感电流，有助于达到电磁干扰标准。此外，CCM模式减少了应用中产生的di/dt。　　采用boost拓扑作为APFC结构，WD1605ASR通过精确检测PFC电感电流，从而控制PWM输出，使得输入电流波形跟随输入电压波形同样呈现标准的正弦变化，其PF值高达0.99，大幅提高了整机的功率因数，其波形如图3所示。　　此外，WD1605ASR具有良好的动态响应性能，当电网电压变化时，可以快速调整PWM的输出，保证直流母线电压的稳定。　　LLC谐振变换方案设计　　1200W电源方案的LLC部分采用自研产品WD1901SJR作为控制器。WD1901SJR提供两个驱动信号通道，以略小于50%的占空比输出互补信号驱动高压侧和低压侧MOS，同时在高低端MOS的开关之间插入一个固定的死区时间来保证软开关的实现。　　LLC方案同样具备完善的保护功能，当输出电压过压，触发系统的过压锁死保护，等待辅源掉电方可复位;同时系统具备恒压恒流双闭环，实现电压电流的稳定输出;另外也具备短路保护、过温保护等功能。　　当LLC谐振变换器工作在谐振状态，谐振电容电压和谐振电感电流都呈现正弦波的形状，且两者之间具有90°相位差，此时，系统的开关损耗最小，效率最高。　　以及谐振电流(Vin:220VAC, Vout:88V/13A)　　MCU智能充电管理系统设计　　为了实现更智能、更安全的充电过程，并满足动态调节输出电压电流以及高级保护的需求，本方案引入了高性能微控制器单元 (MCU) 作为充电管理核心。其系统框架如图5所示：　　1、MCU智能充电管理系统设计　　核心功能实现　　动态电压电流控制 (DVS/DVC)　　MCU通过高精度ADC实时采集输出电压和输出电流，实现MCU动态计算并设定目标输出电压和目标输出电流。　　智能充电策略　　MCU内置充电状态机，管理整个充电流程，可根据电池温度自动调整温度补偿。　　全面保护机制　　MCU可持续监测输出电压、电流、关键点温度、电池防反接，一旦发生相应故障，可快速响应动作实现对系统的保护。　　用户交互与通信　　MCU可实时反馈系统充电状态，搭配LED指示灯或小型LCD屏，显示充电进程以及参数信息。同时，MCU可提供UART和一线通通信接口，用于不同应用场景的上位机通信，进行参数配置、状态监控和远程控制。另外，本套方案MCU智能管理模块也支持固件升级(OTA)。　　“总结　　WAYON 1200W LLC大功率电源解决方案　　本方案设计的主要面向电摩的充电器支持最大功率1200W充电，凭借WD1901SJR、WD1605ASR与高性能智能充电管理芯片WY32F1030KBU7的出色性能和协同工作，使得方案具有整机效率高、功率因数高、充电过程智能可控、保护功能完善、安全稳定可靠等优点。

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维安半导体

发布时间：2025-08-08 10:33 阅读量：1362 继续阅读>>

海凌科：24G人体存在感应开关 10A<span style='color:red'>大功率</span>继电器

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海凌科：24G人体存在感应开关 10A大功率继电器

海凌科24G人体存在感应开关RP03，精准感知人体存在状态，实现人在灯亮，人走灯灭

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海凌科

发布时间：2025-07-14 14:03 阅读量：1251 继续阅读>>

森国科推出<span style='color:red'>大功率</span>IGBT分立器件

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森国科推出大功率IGBT分立器件

　　日前，森国科隆重推出IGBT分立器件新品，兼具功率MOSFET易于驱动、控制简单、开关频率高和功率双极型晶体管(BJT)低饱和压降、大电流运输能力及低损耗的优点。IGBT多被工程师们用来进行功率变换，以提高整体的用电效率和质量，因而在电力系统的传输、变换、配送、机车牵引、工业节能及智能电路控制系统等中高压领域中较为常见，IGBT的出现也给产业解决能源短缺、降低碳排放的等问题提供了关键支撑技术之一。　　森国科KG050Z12P1M1、KG075Z12P1M1 ，采用精细沟槽栅场截止型IGBT芯片结构，结构如下图示，在12寸硅晶圆生产制造。在实际场景应用中，它相当于电路开关，具有稳定控制电压，耐压性强等热点，多在直流电压为500伏或以上的变流系统中使用。　　森国科IGBT采用软穿通FS层的设计，可有效提升开关速度，降低开关损耗;　　森国科采用精细沟槽栅元胞结构提升电流密度使的IGBT具有低导通压降，更小的导通损耗;　　森国科优化了终端结构设计和材料匹配，提升了器件的长期可靠性;　　森国科优化了芯片设计，使器件具备优秀的短路能力。　　森国科IGBT新品采用行业标准化的封装形式，便于器件在不间断电源、储能、光伏逆变器等多个领域的应用。具体应用可参考：　　1.IGBT在不间断电源(UPS)中的应用　　2.IGBT在光伏逆变器中的应用　　3.IGBT在变频器中的应用　　4.IGBT在储能中的应用　　5.IGBT在电焊机中的应用　　森国科深耕集成电路领域多年，目前已与国内外多家著名的FAB厂达成紧密的合作关系。秉承着“做最合适的功率器件”的理念，致力于打造性能优越、尺寸体积可控的功率器件全系列产品，助力来自OBC、工业电源、数据电源、储能逆变器、变频驱动、快充头、适配器等多个领域的客户实现高耐压、耐高温、耐高频、低功耗、低成本的应用需求，持续赋能低碳发展。

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森国科

发布时间：2025-05-07 09:12 阅读量：1080 继续阅读>>

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RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
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BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
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ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
BP3621	ROHM Semiconductor
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