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低失调、高增益、宽共模：维安WA3199电流传感放大器，让分流<span style='color:red'>电阻</span>两端微弱信号“一览无余”

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低失调、高增益、宽共模：维安WA3199电流传感放大器，让分流电阻两端微弱信号“一览无余”

　　电流传感放大器(也称电流检测放大器)，是一种专门用于精准测量电路中电流的芯片。它就像一个嵌入电路里的“高精度电流表”，相比普通电流表，体积更小、抗干扰能力更强，并能直接与MCU(微控制器)联动，轻松适应工业、汽车等复杂应用场景。　　简单来说，它的核心作用是：将“分流电阻”两端产生的微小电压信号(通常只有几毫伏甚至微伏)，放大成MCU可以识别的标准电压信号，再通过计算反推出电流大小。　　维安 WA3199 电流传感放大器，可以精准捕捉电流变化，让电源管理更安心!　　产品特点　　维安 WA3199系列采用零漂移架构设计，内部集成了精确匹配的反馈电阻，可精准感应分流电阻器上的压降。支持高边或低边配置下的双向电流检测，且不受电源电压限制。　　高精度　　零漂移架构设计，最大增益误差仅±1.5%，偏移电压低至±100µV，温漂低至0.5µV/℃，微弱电流也能精准捕捉;　　增益可选　　提供50V/V、100V/V固定增益版本，适配不同分流电阻方案;　　低功耗　　静态电流典型值仅65µA;　　双向检测　　支持正向/反向电流测量，无需额外电路，简化电池充放电监测设计;　　高可靠性　　ESD防护能力高于HBM 4kV;　　工作原理　　维安 WA3199 系列用于测量分流电阻上的微小电压信号，通过内部反馈电阻设定的增益对其进行精确放大，便于后级电路进行信号处理。通过REF引脚可配置器件的输出电压，从而实现单向或双向的电流检测。　　封装形式　　　产品应用　　维安WA3199典型应用电路　　电池管理系统(BMS)应用　　蓝牙耳机充电舱应用　　手机电池应用　　维安电流传感放大器—WA3199，凭借零漂移技术突破精度与功耗的平衡难题，成为工业与消费电子领域的优选方案!

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维安

发布时间：2026-05-21 09:51 阅读量：313 继续阅读>>

插件<span style='color:red'>电阻</span>耐压值一般是多少?

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插件电阻耐压值一般是多少?

　　插件电阻作为电子电路中常用的元件，其耐压值是设计电路过程中必须考虑的重要参数之一，直接关系到电阻能否安全、稳定地工作，防止因过高电压引发电阻损坏，进而影响整个电路的性能和可靠性。那么，插件电阻耐压值一般是多少?　　一、插件电阻的耐压值定义　　耐压值，亦称额定电压，是指电阻能够承受的最大工作电压，超过该电压时电阻可能发生击穿、击穿或性能下降。耐压值取决于电阻的结构、材料、制造工艺以及额定功率等因素。　　二、插件电阻的耐压值一般是多少?　　插件电阻的耐压值存在一定范围，常见的额定耐压值一般为：　　1/4W(0.25瓦)电阻的耐压值：一般在250V左右　　1/2W(0.5瓦)电阻的耐压值：一般在350V左右　　1W及以上功率的电阻：耐压值可达到400V甚至更高　　具体耐压值会因制造商和型号有所不同，一些特殊规格的插件电阻(如高压电阻)耐压甚至可以达到几千伏。　　三、影响插件电阻耐压值的因素　　额定功率　　功率越大的电阻，其体积和结构越大，通常耐压能力也越强。　　电阻材料与结构　　不同材料和结构(碳膜、电阻丝、金属膜等)对应的耐压值不同。金属膜电阻的耐压一般较高。　　制造工艺　　绝缘层厚度、引脚距离及涂层工艺都会影响耐压水平。　　工作环境与使用条件　　温度、湿度、频率等也会影响电阻的耐压表现，极限耐压值是在理想条件下测得，实际应用中应留有安全裕量。　　四、如何选择合适的耐压值插件电阻?　　在电路设计时，应根据电路中实际电压条件选择耐压值合适的电阻：　　选用耐压值高于工作电压的插件电阻，保证安全裕量，避免损坏。　　对于高压电路，优先选择专用高耐压电阻。　　结合额定功率和耐压综合考量，确保电阻稳定工作。　　总结来说，插件电阻的耐压值因功率大小、材料和工艺不同而异，一般从250V到数百伏特不等。设计电路时，需根据实际工作电压选用合适耐压值的插件电阻，确保电路安全稳定运行。

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插件电阻

发布时间：2026-05-12 09:14 阅读量：358 继续阅读>>

村田面向车载UWB推出高准确度晶体谐振器与热敏<span style='color:red'>电阻</span>组合方案，并提供电路设计支持

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村田面向车载UWB推出高准确度晶体谐振器与热敏电阻组合方案，并提供电路设计支持

　　株式会社村田制作所(以下简称“村田”)开始提供面向车载UWB(Ultra Wide Band)用途的组合方案与电路设计支持。该方案在分立构成中将晶体谐振器「XRCGE55M200MZF1BR0」与热敏电阻「NCU03XH103F6SRL」组合使用，并提供相应编号建议及电路设计支持。本提案及支持主要面向利用UWB的车载应用，如数字钥匙、CPD(Child Presence Detection)、传感器以及Wireless BMS等。　　近年来，在车载UWB应用中，随着数字钥匙和安全功能的不断升级，对宽带通信中的高准确度定时控制需求不断增加。然而在高温环境下，仅依靠晶体谐振器本体较难满足所需精度，因此通常需要利用晶体谐振器内置的温度传感器进行补偿。　　另一方面，为了优化成本结构，部分客户希望采用晶体谐振器与外置热敏电阻的分立构成方式，但在电路设计及温度补偿方面存在一定难度。　　为此，村田开始提供晶体谐振器「XRCGE55M200MZF1BR0」与热敏电阻「NCU03XH103F6SRL」在分立构成中的组合方案，并提供用于温度特性补偿的电路设计支持。　　在本支持服务中，客户可通过支持链接进行咨询。村田可借用客户的安装基板，对安装本产品后的温度特性参数进行测量，并提供相关数据。　　通过上述支持，即使在分立构成条件下，也可以使用针对安装基板优化后的补偿参数，从而有助于实现客户的性能目标，并提高设计流程效率。　　此外，本组合方案中的晶体谐振器「XRCGE55M200MZF1BR0」为新产品，已于2026年3月开始量产。该产品实现了2016的小型尺寸、高可靠性以及低故障率，有助于车载应用设备的小型化以及安全功能的升级。　　组合提案产品的主要特点　　1.晶体谐振器「XRCGE55M200MZF1BR0」　　<特点>　　①支持高准确度温度补偿：通过专有切割技术，对高温环境下的温度特性曲线进行优化　　②面向车载应用的高可靠性：确保工作温度115℃，低故障率(无微粒)　　③设计支持：通过温度补偿电路的技术支持，使分立构成的设计更加容易实现　　④稳定供应　　⑤无铅　　<规格>　　2. 热敏电阻「NCU03XH103F6SRL」　　<特点>　　①适用于汽车等需要高可靠性部件的设备。　　②采用铜电极实现小型化：0.02 × 0.01英寸(0.6 × 0.3 mm)。　　③由于体积较小，可实现迅速响应。　　<规格>

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村田

发布时间：2026-05-11 14:19 阅读量：449 继续阅读>>

ROHM 研讨会预告 | 贴片<span style='color:red'>电阻</span>器热设计要点精讲

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ROHM 研讨会预告 | 贴片电阻器热设计要点精讲

　　1970年前后，大多数电子元器件是引脚式的，通孔安装是主流的安装方式。随着应用产品越来越复杂，所安装的元器件数量在增加，可实现高密度安装的表面贴装型元器件逐渐成为主流。　　相应地，贴片电阻器也趋向于更加小型、大功率的产品。然而，随着安装密度的提高，传统的基于环境温度的管理方法在很多情况下已经不再适用。如果电路板的散热不充分，即使施加的功率在额定范围内，电阻器的温升也会很大，从而可能导致产品故障。因此，对于贴片电阻器，尤其是发热量较大的大功率产品而言，如何有效地抑制温升、如何准确地测量温度至关重要。　　本次研讨会将向大家讲解贴片电阻器热设计方面的知识内容。扫描海报二维码即可报名，参与还有机会赢取精美礼品!　　01　　研讨会提纲　　1. 热对策的重要性　　2. 环境温度保证和引脚温度保证　　3. 关于电阻器的温度管理　　4. 电阻器的温度测量要点　　5. 关于热设计支持　　02　　研讨会主题　　实践篇：不可不知的贴片电阻器热设计要点　　03　　研讨会时间　　2026年5月27日上午10点　　04　　研讨会讲师　　05　　官方技术论坛　　不仅是Webinar相关内容，所有ROHM的产品和技术都可以在“ROHM官方技术论坛(ESH)”向ROHM的工程师直接提问。期待您的使用!

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发布时间：2026-05-06 13:13 阅读量：386 继续阅读>>

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ROHM开发出第5代SiC MOSFET，高温下导通电阻可降低约30%！

　　中国上海，2026年4月21日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，开发出新一代EcoSiC™——“第5代SiC MOSFET”，该产品非常适用于xEV(电动汽车)用牵引逆变器*等汽车电动动力总成系统以及AI服务器电源和数据中心等工业设备的电源。　　ROHM在开发第5代SiC MOSFET的过程中，通过改进器件结构并优化制造工艺，与以往的第4代产品相比，成功地将功率电子电路实际使用环境中备受重视的高温工作时(Tj=175℃)的导通电阻降低约30%(相同耐压、相同芯片尺寸条件下比较)。在xEV用牵引逆变器等需要在高温环境下使用的应用中，该产品有助于缩小单元体积，提高输出功率。　　第5代SiC MOSFET已于2025年起先行提供裸芯片样品，并于2026年3月完成开发。　　另外，ROHM计划从2026年7月起开始提供配有第5代SiC MOSFET的分立器件和模块的样品。未来，ROHM将进一步扩大产品阵容，同时完善设计工具，并强化针对应用产品设计的支持体系。　　<开发背景>　　近年来，在工业设备领域，随着生成式AI和大规模数据处理技术的普及，用于AI处理等的高性能服务器的引进速度不断加快。由于这类应用的功率密度不断提高，引发了业界对电力系统负荷加重以及局部供需紧张的担忧。作为解决这一难题的对策，将太阳能等可再生能源与供电网络等相结合的智能电网备受关注，但能源转换和蓄电过程中的损耗降低仍是一大挑战。在车载领域的下一代电动汽车中，除了延长续航里程和提升充电速度之外，还要求进一步降低逆变器损耗、提升OBC(车载充电器)性能。因此，在上述数千瓦到数百千瓦级大功率应用中，能够实现损耗降低与高效化兼顾的SiC器件正在加速普及。　　ROHM于2010年在全球率先开始量产SiC MOSFET，并很早就推出了符合车规级可靠性标准(AEC-Q101)的产品群，通过将SiC广泛应用于各种大功率应用中，助力降低能源损耗。此外，第4代SiC MOSFET于2020年6月开始提供样品，并在SiC的普及阶段就推出了分立器件和模块等丰富多样的产品阵容，目前已在全球车载设备和工业设备领域得到了广泛应用。此次ROHM开发出的第5代SiC MOSFET实现了业界超低损耗，将进一步扩大SiC的应用领域。　　未来，ROHM计划进一步扩充第5代SiC MOSFET的耐压和封装阵容，同时，通过推动已进入普及阶段的SiC在各个领域的实际应用，为提高各种大功率应用的电能利用效率持续贡献力量。　　<应用示例>　　车载设备：xEV用牵引逆变器、车载充电器(OBC)、DC-DC转换器、电动压缩机　　工业设备：AI服务器及数据中心等的电源、PV逆变器、ESS(储能系统)、UPS(不间断电源)　　eVTOL、AC伺服　　<关于“EcoSiC™”品牌>　　EcoSiC™是采用了因性能优于硅(Si)而在功率元器件领域备受关注的碳化硅(SiC)的元器件品牌。从晶圆生产到制造工艺、封装和品质管理方法，ROHM一直在自主开发SiC产品升级所必需的技术。另外，ROHM在制造过程中采用的是一贯制生产体系，目前已经确立了SiC领域先进企业的地位。　　EcoSiC™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。　　<术语解说>　　*) 牵引逆变器　　电动汽车的驱动电机采用的是相位差为120度的三相交流电驱动。将来自电池的直流电转换为交流电以实现这种三相交流电的逆变器即牵引逆变器。

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发布时间：2026-04-22 09:07 阅读量：530 继续阅读>>

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ROHM课堂 | 欧姆定律：电压、电流及电阻之间的关系

　　欧姆定律是电路的基本原理，用“电流=电压÷电阻”的公式来表述电流、电压与电阻三者之间的关系。电压越高电流越大，而电阻越大则电流越小。例如，在将干电池与灯泡串联连接的电路中，电池的电压和灯泡的电阻共同决定了流过灯泡的电流量。本文将从基础内容出发，利用计算工具和公式等，介绍欧姆定律在简单电路设计中的实际应用方法。　　欧姆定律的基本原理(直流)　　欧姆定律在现代物理学和电子工程学领域发挥着核心作用，被广泛应用于电路分析和设计等众多场景。其主要涉及电压V、电流I和电阻R三个变量。本节会先介绍在实际测量电流或分析电路时实用的“计算工具”，然后探讨电压、电流、电阻各要素之间的相互作用机制，其后介绍相关方程式及单位的定义。最后会提到“VRI三角形”和“VRIP轮盘”等可视化工具，通过这些直观的图表清晰地展示电阻电路的基本关系。　　串联电路和并联电路中的欧姆定律　　串联电路是指电子元器件以串联方式连接的电路，电流流经同一路径。而并联电路则是电子元器件并联连接、电流分流通过各并联支路的电路。串联电路的特性之一是电阻相加后的总电阻较高。并联电路通过计算各电阻的倒数之和即可求出总电阻。　　串联电路　　在串联电路中，电阻等元器件按顺序连接，共享同一通路。其特点如下：　　・电流：串联电路中所有元器件流过的电流相同。　　・分压：电压被分配给各元器件。根据欧姆定律，在串联电路中，由于所有元器件流过相同电流，因此各元器件的电压降遵循=关系式，与电阻值成正比。高电阻元器件需要分配较高电压。　　・总电阻计算：串联电路中各元器件的电阻值相加即为总电阻。也就是说，合成电阻只是各元器件电阻值相加得到的总和。　　欧姆定律在电路中的作用　　欧姆定律绝非单纯的理论，通过将电路分解为线性和稳态区间，便可借助欧姆定律对电压降和损耗等参数进行概算。通过明确电压、电流及电阻之间的相互关系，能够正确操作电路元器件，准确地掌握流过的电流和电压降等情况。本节将通过由电阻器和导线构成的电路实例，讲解如何求解相关参数。　　电阻器和导体实例　　电子设备中存在各种元器件，其中仅含电阻分量的电阻器可以说是最简单易懂的实例。电阻器上标有10Ω、1kΩ、100kΩ等色环标示值或印刷的标称值，这些电阻器在直流电路等应用场景中能通过多少电流，可通过公式“V=IR”立即计算得出。　　在电源电压恒定且电阻保持定值R的理想条件下，电流I也将保持恒定。然而，由于导线及其他元器件本身也存在非常微小的电阻，在高精度应用和大功率应用场景，需要考虑到这些“残余电阻”。例如，在驱动远端设备的长距离布线电路中，导线自身的电阻往往会成为不可忽视的电流损耗源。

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发布时间：2026-04-16 09:52 阅读量：643 继续阅读>>

8通道开漏和推挽应用电平转换 | 力芯微推出内置上拉<span style='color:red'>电阻</span>适用于开漏和推挽的自动双向电平转换

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8通道开漏和推挽应用电平转换 | 力芯微推出内置上拉电阻适用于开漏和推挽的自动双向电平转换

　　产品概述　　在通信技术跨越式发展的今天，5G的高速连接、AI的实时决策与物联网的泛在组网，正推动电子设备向更高速、更智能、更融合的方向演进。信号传输系统作为数字世界的“神经网络”，不仅需要处理多电压、多协议的复杂兼容挑战，更面临着低延时、高能效与极致集成化的严苛要求。　　力芯微推出一款8通道自动双向适用于推挽和开漏应用的电平转换芯片 ETS0108，纳秒级传输延时，自动双向传输无需额外控制，内置10kΩ上拉电阻减少外围器件，可在1.8V到5V之间转换电平，兼容I²C、UART、SPI等多种通信协议，显著降低系统集成复杂度，推挽应用下支持24Mbps信号传输，其在消费电子、工业控制与自动化等领域广泛适用。　　产品特点　　无需控制自动转换传输方向　　输入输出端口内置10kΩ上拉电阻　　最大传输速率：　　24Mbps (Push Pull)　　2Mbps (Open Drain)　　VCCA工作电压1.65V到3.6V (VVCCA ≤ VVCCB)　　VCCB工作电压2.3V到5.5V　　B端口ESD能力 HBM达到8kV　　封装尺寸TSSOP20 (4.4mm × 6.5mm)　　典型应用图1：典型应用电路　　管脚定义图2：管脚定义　　功能框图图3：功能框图　　其他亮点　　one-shot功能：输出单稳态触发器(one-shot)检测A或B输入端口的上升沿，在上升沿期间，单稳态触发器(one-shot)会短暂接通输出上拉MOS管，可加快输出信号从低电平到高电平的转换速度。

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发布时间：2026-02-28 09:16 阅读量：668 继续阅读>>

ARK方舟微丨DMZ(X)0622E：70V耗尽型MOSFET，一颗替代“三极管+齐纳+<span style='color:red'>电阻</span>”，高压辅助电源优选

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ARK方舟微丨DMZ(X)0622E：70V耗尽型MOSFET，一颗替代“三极管+齐纳+电阻”，高压辅助电源优选

　　产品简介　　DMZ(X)0622E是ARK(方舟微)推出的70V N沟道耗尽型MOSFET，在0615基础上将阈值电压再提升一档：VGS(OFF) 典型–22V(–25V~–19V)，可以钳位18V~23V输出，完全覆盖QC4.0/Type-C PD3.1快充、工业24V总线、伺服驱动等高压辅助电源需求。SOT-23与SOT-89两种封装，一颗器件替代“三极管+齐纳+电阻”三元组。　　产品特性　　· 产品类型：N沟道耗尽型MOSFET。　　· 超高阈值电压：-25V≤VGS(OFF)@ID=8μA≤-19V。　　· 输入耐压： BVDSX≥70V。　　· 导通电阻：RDS(on)(MAX)≤15Ω。　　· 饱和电流：IDSS≥120mA　　QC4.0/Type-C快充 PWM IC 供电　　Ø采用三极管+齐纳二极管+电阻的传统供电电路　　图2为Type-C PD充电器的示意图。其中采用三极管、电阻、齐纳二极管等组成电压调节器，给PWM IC的VCC供电。由于充电器的输出电压较宽，可达3.3-20V，因此偏置绕组的输出电压变化范围也较大。在充电器输出较高电压时，齐纳二极管击穿，将电压钳位，给VCC提供稳定的电压。此方案采用较多元件，增加BOM成本和PCB面积，占用较多的宝贵空间，同时耗能较多，降低能效。　　Ø采用DMZ(X)0622E的新型供电电路　　成都方舟微电子有限公司利用其专有技术开发的具有超高阈值电压(超高关断电压)的耗尽型MOSFET DMZ(X)0622E，仅用此一个器件就实现了宽电压输入电压调节器的功能。对追求极致最小尺寸的充电器或适配器的设计工程师，是一个理想的选择。此方案不仅节约空间及面积，而且更加节能。图3是DMZ(X)0622E在Type-C PD充电器的典型应用电路。　　图3中的双极型晶体管、齐纳二极管及限流电阻网络可被单颗耗尽型MOSFET DMZ(X)0622E直接取代，从而在减少元器件数量的同时显著压缩PCB占用面积，并降低整体BOM成本。　　启动阶段由耗尽型MOSFET DMZ6005E负责：当充电器接入市电并开始工作后，辅助绕组随即建立电压并向PWM IC供电;此时DMZ6005E自动关断，将通路电流降至漏电流级别，使系统待机功耗大幅降低。DMZ6005E的详细技术资料可在ARK(方舟微)官网获取。　　电流/电压源　　Ø 电流/电压源　　DMZ(X)0622E可用作电流或电压源，为负载提供电力，如图4所示。　　输出电压Vout由负载RL、电流ID以及VGS(关断状态)决定：　　ID=IDSS*(1+ID*RL/VGS(OFF))2　　其中：ID*RL=-VGS=Vout　　由上述关系可见，耗尽型MOSFET工作于亚阈值区(弱反型区)，其输出电压Vout始终被限制在略低于或接近于栅-源截止电压VGS(OFF) 的电位，且与输入电压Vout的变化无关。因此，器件除为后级IC提供工作电源外，还利用VGS(OFF)实现主动钳位，有效抑制输入瞬态或负载突变引起的电压、电流波动，对IC起到次级保护作用。DMZ(X)0622E最高可承受70V输入，Vin与Vout的关系满足以下公式：　　If Vin<∣VGS(OFF)∣, then Vout≈Vin　　If Vin≥∣VGS(OFF)∣, then Vout≤VGS(OFF)　　DMZ(X)0622E是ARK(方舟微)基于其专利工艺开发的超高阈值耗尽型功率MOSFET。器件关断电压VGS(OFF)分布在−19V至−25V之间，可为反激变换器中的PWM IC等负载提供足够的栅-源驱动电压。　　由于VGS(OFF)呈工艺正态分布，不同批次器件的钳位电压存在差异。图6给出了VGS(OFF)最高(−19V)与最低(−25V)两颗样品的输出电压Vout随结温Tj变化的曲线，表明 Vout的钳位值会随温度及VGS(OFF)漂移而相应变化。　　图7和图8分别展示了DMZ(X)0622E的输出电压Vout与负载电流IRL以及结温TJ的关系特性，这两款MOSFET的VGS(OFF)分别为，最高-19V，最低-25V。

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发布时间：2026-01-27 13:24 阅读量：699 继续阅读>>

赛尔特(SETsafe | SETfuse)热保护型熔断<span style='color:red'>电阻</span>器 (TRXF)

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赛尔特(SETsafe | SETfuse)热保护型熔断电阻器 (TRXF)

　　IEC 62368-1新标准要求：　　用于主电路做保护的 “熔断电阻器” 应符合IEC 60127-8标志的要求。　　赛尔特公司的---热保护型熔断电阻器 Thermal-Link & Fusing Resistor (TRXF) 符合标准要求，产品已按IEC 60127-8的标准通过TUV认证。　　背景IEC 62368-1 标准升级，对产品的安全观点从“基于事故”的评估转变为“基于危害”的评估，同时对要求进行了相应调整，以适应现有技术但又不限制新兴技术的发展。这与以前的标准相比有很大的不同。从选择超出此标准要求的 AC/DC 电源开始，大幅简化了设计工程团队的任务，并将最终产品的审批风险降至最低。　　IEC 62368-1 标准涉及的行用应用产品　　IEC 62368-1 Audio/video, information and communication technology equipment标准涉及到的终端产品有以下(包含但不限于)：　　计算产品和网络产品：服务器、PC、路由器、笔记本、平板电脑及其电源……　　消费类电子产品：放大器、家庭影院系统、数码相机、个人音乐播放器……　　显示屏和显示装置：显示器、电视和数字投影仪……　　电信产品：网络基础设施设备、无绳电话和手机，以及类似的通信设备，包括电池供电的设备……　　办公设备：复印机、碎纸机……　　家庭、学校以及类似机构和环境中所用的各种类型音频/视频、信息和通信技术设备……　　IEC 62368-1 标准新要求　　IEC 62368-1 Audio/video, information and communication technology equipment – Part 1: Safety requirements 第4版中G3.5 针对 “熔断电阻器” 做出如下明确规定：　　IEC 62368-1，G3.5.1 要求　　这类保护装置[例如，熔断电阻器，未包括在IEC 60127(所有部分)，IEC60269(所有部分)中的熔断体，或小型熔断器]应具有足够的额定值，包括分断能力。　　对不可复位的保护装置，例如熔断体，应按照F 3.5.3 的要求提供标志。　　IEC 62368-1，G3.5.2 试验方法和合格判据。　　通过检查，以及通过进行B.4 规定的单一故障条件的试验来检验。　　进行三次试验，不允许出现不合格。　　IEC 62368-1新标准的结论　　用于主电路做保护的 “熔断电阻器” 应符合IEC 60127-8标志的要求。　　参考：IEC 62368-1英文原文件描述　　符合 IEC 62368-1 新标准、IEC 60127-8 的电路保护安全产品　　赛尔特(SETsafe | SETfuse)公司的-热保护型熔断电阻器 Thermal-Link & Fusing Resistor (TRXF) 产品率先符合此标准，且已批量交付诸多客户。欢迎洽谈!　　热保护型熔断电阻器 Thermal-Link & Fusing Resistor (TRXF) 简介：　　TRXF产品中文名称：　　热保护型熔断电阻器。　　TRXF产品英文名称与缩写：　　Thermal-Link & Fusing Resistor (TRXF)。　　TRXF产品特色：　　小尺寸：TRXF具有与普通线绕熔断电阻器相同的小尺寸。　　小故障电流保护：可有效解决普通线绕熔断电阻器在小故障电流下所产生异常持续高温的安全隐患。　　TRXF产品功能：　　同时具有过温度，过电流保护功能(2种功能)的热保护型熔断电阻器。　　TRXF产品在赛尔特(SETsafe | SETfuse)公司官网页面链接：　　https://www.setsafe.cn/Products/Over-Current-Protection/Miniature-Fuses/Thermal-Link-Fusing-Resistor-TRXF.html　　TRXF知识产权：　　赛尔特独创。　　TRXF产品工作原理：　　过温度保护是采用-合金型温度保险丝 Thermal-Link - Alloy Type(ATCO)易熔合金熔断原理。TRXF在正常工作时起固定电阻器作用，当电路出现短路时，TRXF的电阻丝(过电流)迅速熔断，切断电路;当电路出现异常过载时，TRXF的电阻丝发热，并将热量传递给内置的ATCO并可及时熔断，保护电路。　　TRXF产品构成：　　TRXF由合金型温度保险丝(ATCO)、瓷基体、电阻丝、电极帽、封口树脂、绝缘涂层、色环等组成。　　TRXF产品原理：　　TRXF产品技术参数-TRXF1 (轴向型) 系列　　功率类型 (P): 1 W/ 2 W。　　标称阻值 (R): 0.27 ~ 800 Ω/1000Ω。　　阻值精度: 5% / 10%。　　额定动作温度 (Tf): 221 ℃。　　TRXF产品获得的认证：　　UL、TUV、 CQC。其中TUV认证按 IEC 60127-8标准执行，完全符合IEC 62368-1 G3.5要求的规定。　　TRXF产品环保：　　符合RoHS、REACH。

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发布时间：2026-01-23 16:38 阅读量：811 继续阅读>>

ARK （方舟微）丨DMB16C20A：对标IXTH16N20D2的高性能耗尽型MOSFET，80mΩ低<span style='color:red'>电阻</span>与高载流能力优异

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ARK （方舟微）丨DMB16C20A：对标IXTH16N20D2的高性能耗尽型MOSFET，80mΩ低电阻与高载流能力优异

　　01 产品简介　　DMB16C20A是ARK(方舟微)推出的一款高压、低导通电阻、大电流的耗尽型MOSFET，具有常通特性。该产品采用TO-263封装，具有高功率耗散，连续功耗可达230W。因产品的亚阈值特性及高载流能力，其广泛应用于大电流场景的过流保护及浪涌抑制。　　02 产品特性　　· 低导通电阻：导通电阻仅80mΩ　　· 高载流能力：饱和电流达16A以上，适用于大电流应用　　· 高功率耗散：连续功耗可达230W　　· 完美替代：IXYS-IXTT16N20D2　　03 应用领域　　· 保护电路、抑制浪涌电流　　· 音频放大器　　· 恒流源　　· 斜坡发生器　　· 电流调节器　　· 常闭开关　　04 典型应用电路及原理　　DMB16C20A可作为常通开关对电容电荷进行泄放，当需要断开时使用负电荷泵或者光MOS驱动器给栅极提供负电压，超过阈值电压即可关闭。　　如图2所示为DMB16C20A的典型应用，仅使用2颗耗尽型MOSFET+电阻R构成双向保护电路，就能限制流过负载回路的电流大小，还可有效抑制电路浪涌，为负载回路提供过流保护。电路可通过的最大电流IOUT(Max.)与DMB16C20A的阈值电压VGS(OFF)及R的阻值相关，IOUT(Max.)≈|VGS(OFF)|/R。该系列MOSFET响应速度快，电路结构简单、成本低。　　05 DMB16C20A的典型应用方案　　Ø 电子雷管电容电荷泄放电路的应用　　电子雷管控制电路由充电电路、起爆电路和放电电路组成，其工作原理如下：　　充电电路：通过电容(C)储存能量，为电子雷管起爆提供瞬时大电流。通过控制器驱动PMOS管Q1实现电容充电开关控制，由电容C实现充电储能。　　起爆电路：将电容储存的能量瞬间释放，引爆雷管。核心部件为NMOS管Q3，通过点火指令驱动NMOS管Q3导通。　　泄电电路：泄放电容电荷，防止静电积累引发误触发。主要由光MOS驱动及耗尽型MOS管组成常闭继电器，断电时耗尽型MOS管开通，自动泄电，防止电容C静电积累。　　Ø 半导体测试设备应用　　在一些应用中，采用自恢复保险丝作为过流浪涌抑制保护，当后级电路出现损坏或短路，该保护电路不能立刻断开电源，需要等待自恢复保险丝升温，直到电阻足够大时才断开接触，起到保护作用。在此期间电路的过载电流还会持续对电路产生破坏。通过DMB16C20A构成的过流保护电路，其过流保护反应灵敏，反应时间短，能够快速过滤浪涌电压和电流以防止过载电流对电路的损坏。

关键词：

ARK

发布时间：2026-01-16 15:11 阅读量：854 继续阅读>>

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