让驱动状态可视可控，<span style='color:red'>纳芯微</span>发布集成电源状态反馈的隔离半桥驱动NSI6602Ux
行业新闻

让驱动状态可视可控，纳芯微发布集成电源状态反馈的隔离半桥驱动NSI6602Ux

　　纳芯微推出车规级隔离半桥驱动芯片NSI6602Ux系列，该系列基于明星产品NSI6602全面升级，驱动侧电压提升至32V，相比上一代产品具备更强的抗冲击能力与系统适配能力。　　此外，NSI6602Ux集成输入/输出侧电源状态反馈功能，并兼具高隔离电压、低延时、死区可配、输入互锁、欠压阈值可选等特性，适用于驱动SiC、IGBT等器件，可广泛应用于新能源汽车OBC、DC-DC、主动悬架等场景。　　输入/输出侧电源状态反馈，　　助力功率器件开关安全　　在OBC/DC-DC、工业电源、电机驱动等功率电子系统中，驱动芯片的可靠性直接决定功率器件的开关安全。随着SiC、GaN等第三代功率器件的应用，器件驱动阈值更敏感、响应速度更快，这使得系统对驱动芯片的状态监测精度和响应及时性的要求大幅提升。　　传统方案通常依赖外部电压监测电路来判断驱动芯片是否就绪，这不仅增加系统复杂度，还可能因延迟或干扰带来误驱动风险，进而引发功率器件损坏、系统失控等潜在安全隐患，同时也限制了第三代功率器件性能的充分发挥。　　纳芯微NSI6602Ux创新性集成了RDY状态反馈功能，可实时输出芯片供电状态，直接反馈至MCU/DSP，实现芯片级“就绪可见”。无需额外监测电路，即可有效避免未就绪驱动、误触发等风险，从系统架构层面提升功率器件开关安全性。　　NSI6602Ux(右图)与NSI6602(左图)功能框图对比　　高性能驱动与多重保护协同，　　提升系统可靠性与效率　　NSI6602Ux具备4A峰值拉电流与6A峰值灌电流的强劲驱动能力，可直接驱动IGBT、SiC等功率器件，支持最高2MHz开关频率，无需额外增设缓冲器或驱动放大电路，显著简化外围设计。　　器件支持最高32V驱动电压，并集成欠压锁定(UVLO)保护，可有效应对高压冲击场景。同时，内置输入侧IN+/IN-互锁功能，从硬件层面避免上下桥臂直通风险，大幅提升了系统的可靠性和抗干扰能力。此外，通过DT引脚可灵活配置死区时间，搭配多档UVLO阈值选择，进一步提升系统设计的安全裕量与适配能力。　　在性能方面，NSI6602Ux具备45ns传播延时、5ns延迟匹配、4ns脉宽失真，处于行业领先水平。并支持±150kV/μs高CMTI，有效抑制共模干扰，避免延时波动，在复杂工况下仍可保持稳定运行。　　灵活控制与接口兼容设计，　　降低系统复杂度与BOM成本　　NSI6602Ux支持DIS/EN两种使能逻辑配置，可灵活适配不同控制架构;输入侧支持2.8V~5.5V宽电压供电，可直接兼容MCU、DSP，无需额外电平转换电路。　　通过减少外围器件、简化接口设计与控制逻辑，有效降低系统设计复杂度与BOM成本，同时提升整体方案的通用性与可扩展性。　　NSI6602Ux产品特性：　　5.7kVrms隔离耐压，可驱动高压SiC和IGBT　　高CMTI：150kV/μs　　输入侧电源电压：2.8V~5.5V并支持欠压2.35V保护　　驱动侧电源电压：最高可达 32V　　峰值拉灌电流：+4A/-6A　　驱动电源欠压：8V/17V两档可选　　支持输入、输出侧电源监控上报RDY　　可编程死区时间　　支持使能逻辑控制　　典型传播延时：45ns　　工作环境温度：-40℃~125℃　　符合面向汽车应用的AEC-Q100 标准　　符合RoHS标准的封装类型：SOW14/16，SOP16　　通过UL、VDE、CQC等多项安全认证　　NSI6602Ux典型应用电路　　封装与选型　　纳芯微NSI6602Ux系列现已全面量产，产品覆盖多种隔离电压等级、UVLO选项及封装，可灵活适配不同应用场景。进一步咨询NSI6602Ux产品，可邮件sales@novosns.com;更多产品信息、技术资料敬请访问www.novosns.com。　　NSI6602Ux系列选型表
关键词：
发布时间：2026-05-22 10:31 阅读量：312 继续阅读>>
全球出货量Top4，<span style='color:red'>纳芯微</span>磁传感器如何贯穿整车系统？
行业新闻

全球出货量Top4，纳芯微磁传感器如何贯穿整车系统？

　　随着汽车电动化、智能化、网联化持续深入，电流、位置、角度、速度等核心状态感知需求快速攀升，磁传感器已成为汽车电子系统的基础器件。据Yole Group《2026 磁传感器产业报告》预测，2031年全球汽车与移动出行领域磁传感器出货量将突破42亿颗。　　目前，纳芯微磁传感器已可覆盖整车关键系统，应用于车身、底盘、动力总成及热管理等领域。Yole Group数据显示，纳芯微在汽车磁传感器市场出货量全球第四、营收全球第七，位居国产厂商首位。　　构建多维技术体系：支撑复杂应用需求　　完整磁传感器产品矩阵：围绕汽车多样化感知需求，纳芯微已构建覆盖电流、角度、位置与速度的磁传感器产品矩阵。　　多技术路线协同布局：纳芯微持续布局并推进多种磁感知技术协同发展，包括平面霍尔、垂直霍尔、AMR、TMR及电感式传感技术在内的多个关键技术路线，结合自研BendingMag™ BFC聚磁技术，实现不同应用场景的精准适配，在精度、功耗与抗干扰能力之间取得平衡。　　同时，依托自主IP与核心专利，纳芯微磁传感器在温度补偿、低噪声信号链及零点漂移控制等关键环节持续优化，进一步提升产品在复杂车规环境下的稳定性与一致性。　　规模量产，全球市场领先：纳芯微磁传感器累计出货量超过20亿颗，市场表现位居全球前列。　　多场景渗透，磁传感器贯穿整车系统　　动力域：关键电流检测　　在逆变器、电驱、OBC/DC-DC及电池管理系统中，磁传感器广泛应用于新能源汽车动力系统的各类电流监测场景。纳芯微提供高精度的电流传感器产品系列：　　NSM201x与NSM211x系列集成式电流传感器：覆盖约5A至200A电流检测范围，兼具高带宽与精度表现。NSM211x可支持MHz级带宽，满足快速响应需求;　　NSM204x系列集成式电流传感器：通过小型化封装与稳定性能输出，提升系统集成度，适配多样化电流检测场景;　　MT9519系列线性电流传感器：支持不同结构下的开环电流检测方案，具备250kHz高带宽与快速响应能力，可覆盖几十安培至1000A电流检测范围，适用于电驱系统等高可靠性电流检测场景;　　NSM203x系列线性电流传感器：面向基于聚磁环的大量程电流检测场景，面向电驱系统等大电流检测场景，具备400kHz高带宽、1.5μs快速响应及优异噪声表现。　　车身域：高频位置检测　　在车身控制系统中，磁传感器广泛应用于车窗、门把手、电动尾门、天窗及座椅等位置检测场景。针对高可靠感知、低干扰传输的核心诉求，纳芯微提供丰富磁开关产品系列：　　MT72xx系列：采用两线制电流型输出，降低线束复杂度，提升长线束抗干扰能力;　　MT73xx系列：基于3D霍尔技术，提供双路正交信号输出，可同步获取速度与方向信息，提升检测精度与系统响应一致性;　　NSM101x系列：三线制霍尔开关/锁存器，支持宽电压输入与灵活参数配置，具备完善保护机制与良好系统兼容性。　　底盘域：高精度安全感知　　在电动助力转向、制动及悬架系统中，磁传感器承担关键角度、轮速与位置检测任务，对精度、实时性及可靠性要求严苛。　　NSM4xxx轮速传感器系列：集成功能安全诊断机制及振动抑制模块，具备良好的抗干扰能力与宽温稳定性，为ABS、ESP等系统提供可靠速度信号;　　MT6511 角度传感器：基于差分霍尔技术，角度检测精度<±1°max，提供<10μs的低系统延时，具备较强抗杂散磁场干扰能力及多接口输出特性;　　MT652x角度传感器：基于水平霍尔与BendingMag™ BFC聚磁技术，实现多平面磁场感知与高精度角度测量(精度<±1°)，支持灵活曲线编程与多接口输出。　　热管理系统：执行层关键感知　　随着热管理系统复杂度提升，执行部件对角度与电流感知的要求持续提高。纳芯微角度传感器支持高精度位置检测与多接口输出，满足复杂控制需求;同时配合电流传感器实现从高隔离到高带宽的检测能力覆盖，支撑系统高效稳定运行。　　传统动力系统：稳定角度检测　　在燃油车及混动车动力系统中，磁传感器广泛应用于电子节气门、EGR阀及涡轮增压器系统中的角度检测场景。纳芯微角度传感器支持0–360°连续测量，具备良好的温度稳定性与抗干扰能力，并提供多种接口形式，兼顾控制精度与长期可靠性。
关键词：
发布时间：2026-05-21 09:44 阅读量：326 继续阅读>>
开赛！<span style='color:red'>纳芯微</span>NSSine™MCU助力电力电子大赛
行业新闻

开赛！纳芯微NSSine™MCU助力电力电子大赛

　　第十二届高校电力电子应用设计大赛启动仪式正式开幕!纳芯微作为合作伙伴，全程支持本届以新能源与储能竞赛的赛事开展。　　纳芯微将以实时控制 MCU、隔离栅极驱动等芯片为核心支撑，为参赛团队提供技术支持，助力学子完成方案设计。　　优选芯片|用 MCU & 栅极驱动，赢在自适应与损耗优化　　纳芯微NSSine™系列实时控制 MCU/DSP —— 用作高速策略大脑　　• 高性能实时 M7 内核;高速 ADC+高精度 PWM;自研 IDE Novo Studio。　　• 赛场用途：导通压降检测、工况识别、自适应驱动算法调度、保护逻辑管理。　　• 更多信息：www.novosns.com/real-time-mcu　　纳芯微隔离栅极驱动 —— 驱动模块核心器件　　• 针对宽禁带器件开发;2kV 工作耐压 + 5700V 冲击耐压;高集成化;驱动能力强、延时低。　　• 赛场用途：SiC MOSFET 开关控制、负压关断、串扰抑制、快速短路保护。　　• 更多信息：www.novosns.com/gate-drivers
关键词：
发布时间：2026-05-15 10:22 阅读量：491 继续阅读>>
<span style='color:red'>纳芯微</span>推出固态继电器NSI7117，以卓越EMC性能应对汽车BMS系统电磁挑战
行业新闻

纳芯微推出固态继电器NSI7117，以卓越EMC性能应对汽车BMS系统电磁挑战

　　纳芯微今日正式推出新一代固态继电器NSI7117系列，新器件面向新能源汽车电池管理系统(BMS)等关键应用场景，针对性地优化了电磁兼容性能(EMC)，在电磁干扰抑制(EMI)与电磁抗扰度(EMS)两方面实现系统级提升，全面满足新能源汽车日益严苛的电磁兼容要求，为高可靠的汽车应用提供坚实支撑。　　新能源汽车BMS系统由于直接连接高压电池包，本身就对电磁兼容性能有着极高要求，需要在复杂电磁环境下保证采样、检测与控制功能的稳定运行。　　如今，在新能源汽车轻量化的趋势下，其电池系统正加速向多材料电池壳体架构演进，复合材料的引入在实现轻量化与结构集成的同时，也削弱了传统金属壳体对电磁干扰的天然屏蔽能力，使BMS系统面临更加复杂和严苛的电磁环境。　　在此背景下，纳芯微新一代固态继电器NSI7117通过优化的EMC设计，助力整车厂与电池厂商在多材料结构趋势下实现更高水平的系统可靠性。　　卓越的EMC性能，　　适配多材料电池系统的严苛电磁环境　　纳芯微NSI7117针对BMS高压应用中的电磁干扰特性进行了系统级优化，实现了业内卓越的电磁兼容性能。在和头部客户基于实际应用场景的系统联调测试中，NSI7117在电磁干扰发射(EMI)方面表现优异：　　静电放电抗扰(ESD，ISO 10605)在下电模式下通过±8kV测试;　　电快速瞬变脉冲群(EFT，IEC 61000-4-4)达到Class 4等级;　　传导与辐射发射(CISPR 25)分别达到电压法Class 3或4(根据不同频点)、电流法Class 5及辐射发射Class 5水平，有效降低开关过程中引入的系统级电磁辐射。　　得益于优异的EMI控制能力，客户在整机开发过程中可显著减少滤波、屏蔽等板级整改措施，降低EMC调试复杂度，缩短开发周期。　　在电磁抗扰度(EMS)方面，NSI7117同样具备出色的系统鲁棒性。器件可在全频段范围内通过200mA大电流注入测试(BCI，ISO 11452-4，Class A)，并顺利通过辐射抗扰测试(RI，ISO 11452-2，Class A)及手持发射机抗扰测试(PTI，ISO 11452-9，Class 2)。　　在多材料电池壳体导致屏蔽能力下降、系统电磁环境更加复杂的背景下，NSI7117能够有效降低误触发与异常开关风险，为BMS系统提供更高裕量的电磁可靠性与安全保障。同时，其高抗扰设计有助于减少系统层面的防护冗余设计，进一步简化硬件架构与验证流程。　　可靠性全面升级，　　加速替代机械继电器与光耦继电器　　相较机械继电器与光耦继电器，固态继电器在新能源汽车BMS中具备更优的综合性能。机械继电器存在触点磨损、寿命有限和响应较慢等问题;光耦继电器虽提升隔离能力，但在耐压、漏电流及长期稳定性方面仍有局限。　　固态继电器基于半导体无触点开关，具备更高可靠性与更长寿命，并可在高压、高温等严苛工况下稳定工作，有效降低系统失效风险，正成为高压BMS系统中开关器件的重要选择。　　在此基础上，纳芯微NSI7117进一步在高压能力与极端工况可靠性方面实现突破。产品内部集成两颗SiC MOSFET，每颗器件支持高达1700V耐压，具有优秀的抗雪崩能力与瞬态过压承受能力。这一特性使其在电池系统异常工况(如浪涌、电压尖峰)下仍能保持稳定运行，有效提升系统安全边界。　　同时，NSI7117在高压高温条件下的漏电控制能力同样表现突出。在1000V工作电压、125℃高温环境下，器件漏电流可控制在1μA以内，显著优于传统方案。这一特性有助于提升电池包整体绝缘阻抗水平，降低系统误判风险，并提高绝缘检测精度，从而增强整车在高压状态下的人机交互安全性。　　满足各类安规要求，　　降低系统验证时间　　NSI7117提供SOW12封装，兼容市场主流光耦继电器，便于客户无缝替换升级。在SOW12封装下，NSI7117实现5.91mm副边爬电距离，原边副边爬电距离也达到8mm，满足IEC 60747-17相关要求。　　结合纳芯微成熟的电容隔离技术，NSI7117隔离耐压能力高达5kVrms，并满足UL、CQC及VDE等权威认证标准要求，有助于客户简化系统级认证流程，缩短产品开发与上市周期。　　同时，NSI7117采用全国产供应链，进一步提升供应安全性与交付稳定性。NSI7117即将进入量产阶段，车规版本NSI7117-Q1满足AEC-Q100 Grade 1要求，支持–40°C至125°C宽工作温度范围，同时亦提供工规版本，满足不同应用场景需求。　　NSI7117现已支持送样，请登录纳芯微官网(www.novosns.com)，进行样片申请。
关键词：
发布时间：2026-05-13 10:19 阅读量：462 继续阅读>>
<span style='color:red'>纳芯微</span>丨ADC 采样电压为何偏离理论值？实时控制 MCU/DSP 输入阻抗解析
行业新闻

纳芯微丨ADC 采样电压为何偏离理论值？实时控制 MCU/DSP 输入阻抗解析

　　“为什么我在学习板/开发板上面测试都是正常的，上工程样机的时候，ADC采样就会有问题?”　　工程师在使用DSP进行ADC采样测试的时候，有可能会遇到以上难以理解的问题。导致ADC采样不准确的因素众多，本文将着重讨论其中一种影响因素——输入阻抗对ADC采样的影响。　　下文将以纳芯微实时控制MCU/DSP NS800RT503x 系列芯片为例，结合分压采样电路设计与实测现象，解析输入源阻抗对 ADC 采样精度的影响，帮助工程师更好地完成 ADC 采样电路设计与参数匹配。　　01　　ADC电压采样范围　　ADC的电压采样范围由其参考电压决定。当参考电压为3V，ADC的采样范围为0~3V。对于NS800RT503x系列芯片，ADC默认使用外部参考电压，接入的外部参考电压应在1.65V~3.3V之间，或者通过软件，选择使用内部的1.65V或2.5V参考电压。　　如何测量输入电压　　小电压测量当检测电压在0-5V范围内时，可通过两个电阻进行简单的分压，并通常在 ADC 输入端并联电容进行滤波，如下图所示。　　Ui为检测端电压，Uo为ADC的输入端电压：　　分压后的Uo电压应小于或等于ADC的参考电压。　　同时，需要考虑分压电流大小，电流最大为20mA，且ADC的输入阻抗不宜过大(相关原因将在下文进行分析)。通过ADC采集到分压后的电压，可进一步换算得到输入端电压。如采集到的电压为xV，则输入端的电压为：　　图1-ADC分压输入　　大电压测量对于450V的高电压，仅使用两个电阻进行分压并不适用，需考虑单个电阻的额定功率和耐压值。　　电阻的功率(P)计算公式为：P=UI　　当大电压加在单个电阻上时，会导致其功率超过额定值，电阻发热。因此，需要使用多个电阻进行分压，ADC获取的数值与上节同理，可推出输入端电压。如下图所示，450V的输入电压分压后为2.778V。　　电路中的两个稳压二极管处于反向偏置状态，用于电路保护。当电路电压超过稳压二极管的反向击穿电压时，稳压二极管两端的电压处于一个固定值，这个值取决于二极管的材料与结构，从而保护GPIO端口，下图稳压二极管分别用作防止正电压和负电压过大。ADC的输入端使用了RC低通滤波电路，可将高频信号滤去，截止频率为：　　图2-电阻分压　　下图同理：　　图3-电阻分压　　注：等效阻抗的计算包括电阻阻抗、容抗、感抗　　02　　ADC的输入阻抗选择参考　　基于 NS800RT503x 系列芯片的 ADC 输入特性，在合适的 ADC 时钟与采样窗口时间配置下，ADC 输入阻抗最高可支持至 1100kΩ。　　需要注意的是，不同 ADC 时钟与采样窗口时间对应的最大输入阻抗并不相同，实际设计时应根据具体配置查表确认，部分典型配置如下表所示。　　表1-输入电阻匹配表　　当ADC的输入阻抗过大时，会出现采集到的电压不精确的问题，以下 ADC 电压采集电路可作为典型示例。　　设计目的是将前端电路的最大400V电压进行分压，得到最大5V再进行分压，输入到ADC1。　　理论上该电路Vout-s经过电路中的200K和360K电阻分压，最大5V输入最后给到ADC1的电压为3.1V，最小0V输入最后给到ADC1的电压为0V。　　图4 ADC输入阻抗偏大电路设计举例　　实际使用万用表测试发现，ADC1在5V输入的情况下，最终的分压在2.2V，出现明显压降;在0V输入的情况下，最终的分压为0.4V，出现明显压升。在这种测试环境下，ADC的检测并不准确。　　通过等效转换可得知上图ADC的输入阻抗为128.57kΩ，阻抗较大。　　配置ADC采样窗口时间为65个ADC_CLK，测试过程中，移除电阻，将0V至3V的电压直接施加到ADC输入端，测得电压正常，排除了ADC配置问题导致的测量不准确。　　随后测试减少阻抗的方式，将ADC输入电阻阻抗调整为12.18kΩ()，如下图所示。　　在GPIO端口测得的电压值在转换时间为大于65个ADC_CLK周期内正常。　　进一步减小ADC输入电阻后，在更短的ADC转换周期内，ADC输入端电压值也可正常，与上述阻抗匹配表一致。　　图5 电阻分压　　将ADC配置为使用定时器进行定时触发转换。随着定时频率的增加，ADC输入端口电压逐渐减少。　　即使输入阻抗为128.57kΩ，只要定时器触发频率足够低，输入电压后，ADC输入端的电压依然能够正常。因此初步分析，该现象与ADC采样过程中端口的电压有关系。　　进一步测试：端口不接任何外围器件，使用ADCA_CH0，ADCB_CH0，ADCC_CH0进行测试。　　ADCA与ADCB配置为相同参数，转换时间为1个ADC周期，测得ADCA_CH0与ADCB_CH0的电压为1.4xV，ADCC_CH0电压与其他未配置的IO端口电压一致为0.3xV的电压;　　将ADCA的转换时间逐次增大，ADCA_CH0的电压逐渐减小，ADCB_CH0与ADCC_CH0电压不变。当ADCA转换时间增大到65个ADC周期时，ADCA_CH0处电压减少到1.0xV。上文采用21kΩ电阻与29kΩ电阻进行分压ADC输入时，若配置转换时间为1-33个ADC周期时，端口分电压存在异常;只有配置为65个ADC周期以上时，端口分电压才是正常的理论电压;　　当将ADCA停止，ADCA_CH0处电压等于ADCB_CH0电压，ADCC_CH0电压不变。这时可解释为何ADC未初始化时，端口检测到的电压为正常的分压值——因为ADC不运作，端口处无额外的电压生成。测试中，输入阻抗过大时，ADC在运行时端口处的分压值会偏离理论值，只有ADC不运作时，该端口处的分压才恢复理论值。而输入阻抗较小时，端口电压不受ADC是否运作的影响，始终保持正常的理论值;　　将ADCA、ADCB都停止：　　ADCA_CH0 = ADCB_CH0 = ADCC_CH0　　测试现象表明：当ADC运行时，随着准换时间的变化，端口上会出现不同的残留电压。准换时间越短，残留电压越大。　　当通过接入电阻进行分压时，分压值是否准确，取决于该端口产生的残留电压大小和输入阻抗的大小。输入阻抗越小，分压值受该端口残留电压的影响越小;反之，输入阻抗越大，分压值受该端口残留电压的影响越大。　　03　　ADC采样时出现残留电压原因分析　　ADC的输入模型如下所示：　　如上图所示，ADC内部通常包含采样电容，该电容会在采样时进行充电或放电。电容充电/放电过程会在采样瞬间引起输入端口电压的瞬时变化。　　当采样频率越大，充放电的过程跟不上采样速度，此时采样电容上会有相应的残留电荷，会导致端口电压由额外的电压残留。　　因此，采样频率越快，残留电压也越大，只有当输入阻抗较小时才能抵消这个残留电压。　　结言　　当 ADC 输入源阻抗过大时，容易出现采样电压偏差。这与 ADC 的内部采样结构有关：ADC 采样时，内部采样电容需要快速完成充放电;如果前端驱动能力不足，采样电容上的残余电荷会影响当前输入信号，从而导致采样结果出现偏差。当输入信号驱动能力足够时，这种影响会明显减小。　　因此，在 ADC 前端电路设计时，需要结合具体芯片型号与应用需求，综合考虑输入源阻抗、采样窗口时间、ADC 时钟频率以及前端滤波参数，确保前端采样电路设计合理，从而提升采样稳定性与测试结果一致性。
关键词：
发布时间：2026-05-12 09:31 阅读量：465 继续阅读>>
<span style='color:red'>纳芯微</span>携汽车电子一站式解决方案亮相2026北京车展
行业新闻

纳芯微携汽车电子一站式解决方案亮相2026北京车展

　　2026年4月24日至5月3日，以 “领时代・智未来” 为主题的 2026 北京国际汽车展览会，在中国国际展览中心(顺义馆)与首都国际会展中心举办。本届车展总展出面积达 38 万平方米，规模居全球车展首位，成为汽车产业技术演进与生态协同的重要平台。　　深耕国产汽车模拟芯片领域，纳芯微稳居行业领先地位。本次车展，公司全面展示适配三电系统、ADAS、智能座舱、车身控制、车灯系统的一站式芯片解决方案。此外，纳芯微联合中国汽车芯片联盟、吉利汽车等行业伙伴，共同发布车载视频 SerDes 白皮书，持续推动国产车载芯片规模化普及，为汽车行业升级迭代与未来发展筑牢核心技术根基。　　欢迎莅临纳芯微1+1展台(B2馆E21主展位 + A3馆“中国芯”展区)。　　面向电动化、智能化与座舱体验升级　　提供一站式系统解决方案　　从信号感知到系统互联，从实时控制到功率驱动，纳芯微为汽车的各大系统提供传感器、信号链、隔离、MCU、驱动、电源等丰富的芯片组合，以汽车芯片系统级解决方案能力帮助客户打造更强竞争力。　　尤其值得一提的是，公司此次带来了“灯光、音频和视频”的组合座舱体验：　　音乐律动氛围灯：针对氛围灯从点光源、线光源向面光源、区域化控制发展的趋势，纳芯微NSUC1500-Q1 LED驱动芯片单芯片集成MCU、LDO、LIN-PHY及4路LED驱动，采用ARM Cortex-M3内核，支持256色高精度调光运算，满足智能座舱对高集成度与细腻动态光效的设计需求。面对大面积、多区域灯效控制要求，NSUC1527芯片集成27路高精度恒流驱动(单路64mA)，可独立控制18颗RGB灯珠(最多81颗)，满足贯穿式灯带与音乐律动等复杂交互场景的设计需求。　　车载音频功放：针对车载音响高音质与高能效需求，纳芯微NSDA6934-Q1 D类音频功放支持四通道输出与低延迟模式，内置多重保护机制并优化RNC性能，配合同步推出的Buck、LDO等配套芯片构成一站式方案，满足高解析音质、低能耗与可靠音频系统的设计需求。　　视频高速传输：纳芯微推出了车规级SerDes高速传输方案——基于HSMT公有协议的NLS9116(加串器)与NLS9246(解串器)芯片组。该方案支持高达6.4Gbps的串行链路，可为多通道高清信号提供高可靠、低延时的实时传输，充分满足智能驾驶与座舱系统对数据带宽和稳定性的严苛要求。　　聚焦技术生态交流　　以高速SerDes赋能智能汽车产业协同　　车展期间，在中国汽车工程学会主办的“2026北京车展科技创新论坛”上，纳芯微围绕“多模态感知驱动方案，高速接口赋能生态融合”进行分享。　　纳芯微隔离与接口 丁浩 在“2026北京车展科技创新论坛”分享　　随着智能汽车进入AI原生与舱驾一体阶段，多模态感知对数据传输提出更高要求。传统车载网络已难以支撑高带宽与低时延需求，高速SerDes成为关键基础技术。　　围绕这一趋势，纳芯微提出三大判断，并以此进行业务规划：　　速率要求日渐提升：3.2/6.4Gbps产品已量产，12.8Gbps即将推出，25/50Gbps更高速率的产品正在规划;　　可靠性成为系统刚需：优秀的ESD性能、链路诊断、信号监测等能力正成为芯片标配;　　生态开放与自主可控同步推进：本土供应链与兼容性设计提升交付确定性与系统效率。　　目前，公司SerDes产品矩阵已通过头部客户验证，并基于高可靠性设计和集成丰富的维测技术，实现从“数据通道”向“系统关键节点”的能力升级。　　参与生态共建　　推动行业标准与产业协同　　在“中国芯”展区，纳芯微参与吉利汽车SerDes白皮书发布，与整车厂、Tier1及产业链伙伴共同推进车载高速互联标准化进程，助力构建开放、统一的智能汽车基础架构。　　4月26日 纳芯微出席吉利汽车Serdes白皮书发布仪式　　同期，公司NSI67x0系列智能栅极隔离驱动芯片荣获“2026年度影响力汽车芯片”奖项，体现了该产品在性能、可靠性及量产应用方面的综合实力。　　2026年度影响力汽车芯片：智能栅极隔离驱动芯片NSI67x0系列　　2025 年，纳芯微全年营收达 33.68 亿元，汽车业务营收占比突破 35%。全年汽车芯片出货量超 7.5 亿颗，累计汽车芯片出货量突破 14.18 亿颗。现阶段，国内新能源汽车单车平均搭载纳芯微芯片约 50 颗，单车产品价值量约 2000 元。　　依托完善的汽车芯片产品矩阵、成熟的系统级解决方案、严苛的质量管理体系、深厚的产品定制化能力，以及完备的技术研发体系与专业人才架构，纳芯微持续夯实核心竞争力，致力于从国产标杆迈向全球优选合作伙伴，以高品质芯片与一体化服务，赋能汽车产业高质量发展。
关键词：
发布时间：2026-04-29 09:52 阅读量：573 继续阅读>>
<span style='color:red'>纳芯微</span>丨三电应用首选：PrimeDrive™再获权威认可
行业新闻

纳芯微丨三电应用首选：PrimeDrive™再获权威认可

　　荣誉加持，产品实力再获认可　　凭借强劲综合产品力，纳芯微PrimeDrive™隔离栅极驱动NSI67xx在北京车展荣获「2026 年度影响力汽车芯片」。随着新能源汽车动力系统向高压高效、高集成可靠、平台化低成本进阶，隔离驱动芯片迎来全面升级需求，纳芯微 PrimeDrive™系列精准匹配行业需求，持续交付高可靠的汽车芯片解决方案。　　高性价比之选：智能隔离栅极驱动NSI67xx　　更小体积：封装尺寸缩小约40%　　更低成本：集成隔离采样，节约IC成本>30%　　实现系统级ASIL C功能安全：集成ASC功能，助力客户实现系统级ASIL C功能安全(已通过德凯权威评估)　　更高可靠：PPM<0.1，抗EOS/抗干扰能力行业领先　　进阶顶配之选：ASIL D隔离栅极驱动NSI6911F　　ASIL D认证：国内首颗通过TÜV莱茵认证　　平台化设计：“One for all”，参数灵活配置　　高压高可靠：5.7kV隔离耐压，150kV/μs CMTI　　抗干扰 & 抗EOS能力领先　　产品实力背书，隔离驱动首选PrimeDrive™　　目前，纳芯微PrimeDrive™隔离栅极驱动已连续三年稳居中国市场份额第一，累计出货量已超14亿颗，国内汽车市场份额持续领先。
关键词：
发布时间：2026-04-29 09:44 阅读量：459 继续阅读>>
<span style='color:red'>纳芯微</span>丨SafeNovo® 功能安全系统中的芯片选型考量：从系统概念到硬件要素评估
行业新闻

纳芯微丨SafeNovo® 功能安全系统中的芯片选型考量：从系统概念到硬件要素评估

　　随着汽车电子电气系统复杂度的不断提升，功能安全已成为汽车行业不可或缺的技术要求。ISO 26262标准作为汽车功能安全的基石，为电子电气系统的安全开发提供了全面框架。　　在此框架下进行系统设计时，开发团队首先面临一个非常实际的芯片选型问题：针对系统中需要实现的安全功能，是应直接选用符合特定ASIL等级的功能安全芯片，还是可以采用满足质量管理(QM)级别的芯片来实现?这一决策将深刻影响系统的安全架构与开发路径。　　本文将从系统安全概念、ISO 26262硬件要素评估方法论及典型测试实践三个层面展开解析，为功能安全系统中的芯片选型提供系统化的考量框架与决策依据。　　功能安全系统的整体性逻辑　　ISO 26262标准强调的是系统层面的安全属性，安全目标，或高层级的安全需求，通常是赋予一个完整的安全功能，而该功能往往由多个硬件、软件组件协同实现，并非依赖于单一芯片。　　无论哪个层面，实现功能安全的核心之一都是设计和验证一系列安全机制。这些机制用于检测、诊断和控制系统内可能发生的危险故障。从系统视角来看，芯片内部的诊断功能是这些机制的一部分，但绝非全部。系统层面的安全需求通常需要结合硬件和软件安全机制共同满足。　　以一个ASIL D电驱系统为例。在逆变器层面，其关断路径通常按照ASIL等级分解进行分级执行：　　Primary Shut Off Path ASIL A(D)：用于处理非严重故障。常见方案是通过MCU发送PWM波控制6个驱动芯片进入相应安全状态(ASC或Freewheeling)　　Redundant Shut Off Path ASIL C(D): 冗余关断路径，仅在MCU失效、关键供电异常或主关断路径失效等严重故障时触发。此路径通常设计为纯硬件控制，通过硬件安全逻辑电路直接驱动芯片的特定安全引脚(例如副边或原边的ASC pin)。　　Note：　　上述ASIL等级分解非唯一方案，仅做示例。　　安全状态的成功进入不由单个驱动芯片承担，此处不针对单个驱动芯片的ASIL等级分解进行展开。　　图中的Level 1、Level 2、Level 3指代EGAS三层架构中的应用层和监控层。　　在此案例中，驱动芯片的ASC功能，直接承担了高ASIL等级关断需求的一部分，因此其自身应继承相应的ASIL等级要求。这体现了安全概念和安全需求对芯片功能安全等级的直接影响。　　反之，通过合理的系统设计，例如冗余和跨组件的合理性校验，采用QM等级的组件同样可以实现高级别的安全目标。下图展示了一种目前行业内广泛使用的驱动电机相电流传感器监控方案：　　这是一个非常典型的通过采用多个QM传感器芯片，配合系统层级安全措施达到高ASIL等级的实例。硬件层面可以采取以下措施实现安全需求：　　U/V/W三相电流采样所使用的ADC0/ADC1/ADC2应为MCU内相互独立的ADC组.　　U/V/W三相电流信号的Level1和Level2采样要使用MCU内相互独立的ADC组　　U/V/W三相电流采样的Level1和Level2硬件采样电路应采用不同的设计参数　　U/V/W三相电流采样的硬件采样电路在Layout时应独立走线并注意包地等处理　　U/V/W三相电流采样的芯片建议采用不同供应商或不同原理的传感器以避免同质冗余　　……　　同步，软件层面采取以下安全机制，配合实现整体ASIL D的电流采样功能：　　可见，实现功能安全系统的路径并非单一。一方面，某些直接承担关键安全需求的芯片，必须具备相应的ASIL等级。另一方面，通过严谨的系统级安全概念定义与架构设计，结合必要的冗余和多层次诊断策略，成熟可靠的QM等级芯片完全可以在系统中承担特定角色，并在系统层面助力满足整体功能安全要求。　　因此，“选择ASIL芯片还是QM芯片”并非一个非此即彼的命题，其决策必须基于具体的系统安全概念、ASIL等级分解、目标芯片在架构中的具体职责及其复杂度进行综合权衡。这对开发团队提出了较高要求，不仅需要深入理解ISO 26262标准方法，还要能够准确推导安全需求与概念，并深刻理解芯片功能与系统架构之间的匹配关系。　　硬件要素评估：方法论与落地实践　　基于前文对系统级路径的探讨，芯片选型的决策需在具体的技术评估中落地。这引出了功能安全工程中的一个关键实践问题：如何对计划集成到安全相关系统中的各类硬件要素——尤其是并非专为功能安全设计的现成组件——进行符合性论证?　　例如，应用于VCU、OBC-DCDC、Inverter等安全关键系统中的CAN通信芯片、隔离接口、电流传感器芯片，其本身通常仅为QM等级。而ISO26262提出的硬件要素评估正是为解决这一挑战而提出的规范性方法。　　该方法的本质，是复用开发过程中的已有验证证据，其评估侧重点在于工作性能验证与系统性失效控制。它遵循“分而治之”的逻辑，即依据硬件要素的类别实施差异化评估策略，从而在确保安全的前提下，优化开发资源分配，提升工程效率。　　硬件要素分类及特点解析　　ISO 26262-8:2018将硬件要素根据其复杂度和内部安全机制的有无等条件分为三类，这一分类同时也反映了安全验证的难度。　　I类要素：简单无安全机制的硬件　　I类要素是最简单的硬件组件，其特点是运行状态极少且没有内部安全机制。这类要素的工作状态可以从安全角度充分表征、测试和分析，或者是直接通过查询行业标准得到，无需了解其实现细节和生产过程。　　典型实例包括：电阻、电容、二极管、晶体管、晶振以及NTC/PTC温度传感器等。对I类要素的评估要求最为宽松——只要集成后的硬件要素满足相关安全需求即可，通常不需要对要素本身进行独立评估。　　标准原文13.4.1.1 Classification of the evaluated hardware element　　The hardware element shall be classified as one of the following classes:　　a) Class I if:　　— the element has at the maximum a few states which can be fully characterized, tested and analysed from a safety perspective;　　— safety related failure modes can be identified and evaluated without knowledge about details of the implementation and the production process of the element; and　　— the element has no internal safety mechanisms which are relevant for the safety concept to control or detect internal failures.　　NOTE This does not include safety mechanisms that monitor properties outside of the element.　　II类要素：中等复杂度无安全机制的硬件　　II类要素具有少数几种运行状态，介于简单和复杂之间，但仍没有用于检测和控制要素内部失效模式的内部安全机制。　　标准原文The element has no internal safety mechanisms which are relevant for the safety concept to control or detect internal failures.　　NOTE This does not include safety mechanisms that monitor properties outside of the element.　　值得注意的是，II类器件可以具备针对要素外部参数的安全机制/诊断功能，换言之，这个参数不属于该II类器件本身。　　与I类要素的关键区别在于，II类要素需要依赖现有文档(如datasheet、user manual、application guide)从安全角度进行充分分析。这里对于分析的要求就明显上了一个台阶。　　标准原文b) Class II if:　　— the element has e.g. few operating modes, small value ranges, few parameters and can be analysed from safety perspective without knowing implementation details;　　— available documentation allows valid assumptions supporting evaluation of systematic faults by testing and analysis without knowledge about details of the implementation and the production process of the element; and　　EXAMPLE Datasheets, user manuals, application notes.　　II类要素的典型实例包括：电流传感器、运算放大器、ADC/DAC、CAN/LIN收发器、简单高低边驱动等，且以上要素不集成与安全概念相关的内部安全机制。对II类要素需要制定评估计划，通过分析和测试证明其工作性能，并记录评估证据。这可能会引起工程师对额外工作量的担忧，但事实上，硬件组件评估中的测试大多可复用已有的合规证据(如开发过程中进行的各层级硬件测试)，具体方法将在下一章节详细论述。　　III类要素：复杂且有内部安全机制的硬件　　III类要素是最复杂的硬件组件，具有多种运行模式和直接关联安全概念的内部安全机制。这意味着开发人员在不了解这类要素的实现细节情况下完全无法分析，因此评估要求最为严格。　　标准原文c) Class III if:　　— the element has e.g. many operating modes, wide value ranges or many parameters which are impossible to analyse without knowing implementation details,　　— sources for systematic faults can only be understood and analysed by knowledge about detailed implementation, the development process and/or the production process, or　　— the element has internal safety mechanisms which are relevant for the safety concept to control or detect internal failures.　　典型实例包括：MCU、带有内部安全机制的复杂栅极驱动、多通道PMIC、带内部安全机制的高精度磁编码器等。　　对于III类要素，标准建议优先采用符合ISO26262硬件开发流程的方法进行开发，而非依靠后续的评估方法进行论证。换句话说，这种情况下标准强烈建议采用带ASIL等级的硬件要素。　　标准原文13.4.4.1 Class III hardware elements should be developed in compliance with ISO 26262.　　NOTE This means that the “evaluation of class III elements” is not the preferred approach and therefore the next version of the hardware element is planned to be developed in compliance with ISO 26262.　　值得注意的是，在III类硬件要素评估中，标准特别强调需要论证系统性失效导致的风险足够低，而对随机硬件失效的关注则放在更高集成层面，通过系统级FMEDA计算去进行论证整体硬件架构与安全目标等级的符合性。　　标准原文13.4.4.3 Additional measures shall be provided to argue that the risk of a safety goal violation or the risk of a safety requirement violation due to systematic faults is sufficiently low.　　这一区别对待背后有着深刻的考量。这里就需要提到系统性失效与随机失效的区别。系统性失效往往来自于不良的开发或生产。常见例子包括：开发过程中的人为失误，需求规范错误、设计缺陷或生产问题。　　相比之下，随机硬件失效是由物理过程(如老化)导致的，其发生时间不确定但遵循概率分布。对于III类要素，由于其高度复杂性，因此对于开发过程、生产制造等环节均提出很高的挑战，每个环节都可能引入系统性缺陷。因此出现系统性失效的概率显著高于简单硬件组件。这也是标准对于III类要素评估特别关注系统性失效的原因所在。　　表：三类硬件要素的评估要求对比　　硬件要素评估　　测试要求与实例分析　　前述提到，对于II类和III类硬件要素，硬件要素评估需要通过测试和分析证明其工作性能符合安全需求。这些测试活动通常围绕两个维度展开。　　基本功能性能测试　　基本功能性能测试旨在确认硬件要素在特定工作环境下能否按预期工作并符合性能要求。这类测试关注的是硬件要素的固有性能，与具体安全需求无关，但为安全应用提供基础信心。　　对于一个具备成熟开发能力的零部件供应商或整车厂，通常在进行硬件电路开发时，均会进行硬件模块级别、集成级别、整机系统级别的测试，测试条件涵盖不同电压、不同温度、不同负载等等。分别以一个典型Class II和Class III要素举例测试应涵盖的项目(示例非穷尽)。　　Class II要素 - QM电流传感器　　供电电压精度　　三温下的零漂/静态精度/动态精度　　三温下的单板和整机响应时间　　整机采样精度(带软件算法)　　相间串扰　　其他　　Class III要素 - 功能安全PMIC/SBC　　三温下，不同唤醒源下的上、下电特性，包含电平/边沿唤醒有效性、电源输出、安全Pin正确置位和通信建立时间等　　三温下，不同供电电压下分别组合空载/轻载/重载/跳载条件下的各级Buck/LDO等电源输出精度，包括平均电压及纹波等　　三温下，各通道LDO的过欠压/过载保护的响应特性，包含其对应的安全状态输出　　三温下，芯片内部集成的CAN/LIN/SPI/MSC等通信接口的信号特性，包括高低电平、差分电平、上升下降时间、不同条件的抗短路特性等　　三温下，集成看门狗及关联Reset功能逻辑的故障响应正确性　　整机运行时，PMIC/SBC不同唤醒源下的上、下电特性，各主要功能输出的建立是否符合预期　　整机运行时，PMIC/SBC带实际负载的电源输出稳定性，包括平均值、纹波等等　　整机运行时，PMIC/SBC的通信接口输出是否符合预期，能否进行正确读写　　整机运行时，PMIC/SBC各安全机制的响应是否符合预期，是否能正确响应　　其他　　由此可见，芯片复杂度的提升，对测试验证工作的全面性提出了更高要求。对于具备成熟开发经验的公司，其制定的测试规范(Test Specification)通常已系统性地涵盖了各类验证场景与标准。因此，在开展评估时，完全可以优先利用这些现有的、成熟的测试证据，从而避免重复工作，显著提升效率。　　安全需求评估测试　　安全需求符合性测试旨在验证分配给特定硬件要素的具体安全需求。在功能安全开发中，高层级的安全需求会逐步分解并最终分配给到具体的硬件组件，这些分配的需求就是此类测试的验证目标。　　测试内容可能包括针对关联安全需求的诊断功能进行故障注入测试等，目的是确保该机制能够有效检测失效模式，并触发正确的系统响应。例如，上述提到的电驱系统冗余关断路径设计中，一种常见方案是采用数字隔离器(如纳芯微NSI82xx数字隔离器系列，属于Class II硬件要素)来传递来自逆变器低压侧的安全关断信号，给到驱动芯片副边的安全引脚(ASC PIN)来实现紧急关断。此时，该数字隔离器承担了一项关键的安全需求：当原边输入信号开路或原边供电丢失时，其副边输出必须为预设的高电平，以确保能可靠触发后续的紧急ASC，使系统进入安全状态。　　为验证此需求，需开展以下安全需求相关测试：　　硬件单元测试：　　正常功能测试，如隔离芯片传输时间、输入高低电平阈值、输出高低电平阈值等　　故障注入测试，如输入电阻开路、隔离芯片输入PIN开路、输入侧电源丢失，观察输出是否为默认高电平　　硬件集成测试：　　无低压KL30，只上高压，数字隔离芯片输出信号及冗余关断路径工作状态　　上下电时序测试，如原副边供电建立时间不一致，数字隔离芯片输出是否默认进入安全状态　　何种条件下强烈建议　　采用功能安全芯片　　通过上述的介绍，我们已经了解到功能安全是一个整体性概念。在进行芯片选型时，需要结合相关的安全功能和架构设计进行权衡。在强调实现系统功能安全的多种路径时，必须明确指出，在特定条件下，直接采用功能安全芯片是更优甚至必要的选择。这并非否定系统级设计的重要性，而是为了在效率、可靠性和成本之间取得最佳平衡。　　表-何种条件下建议采用功能安全芯片　　结论与展望　　本文旨在阐明，在功能安全系统中，选择功能安全芯片或QM等级芯片是取决于具体的系统安全概念与架构设计的结果。通过合理的系统级设计并结合ISO 26262的硬件要素评估方法，成熟可靠的QM芯片能够被安全地集成，并在系统层面满足安全要求。然而，这通常也会在系统级带来一定的额外开发代价，例如需要增加额外的硬件电路、引入新的软件监控机制，并提供充分的验证论据。因此，在实际开发中，Tier1与OEM的功能安全团队需进行多维度的审慎权衡，包括：目标ASIL等级、系统复杂度、开发成本、验证投入等，以选择最适配的整体解决方案。　　在芯片功能安全层面，纳芯微已建立起从管理体系到工程实践的完整能力框架，实现了从方法论到产品落地的成功闭环。纳芯微SafeNovo®产品组合覆盖传感器、信号链、电源管理，功能安全产品品类仍在持续拓展中，已发布的产品矩阵包括：　　ASIL D 隔离式栅极驱动 NSI6911F　　ASIL B 超声波雷达探头芯片 NSUC1800　　ASIL B 线性LED驱动 NSL21912/16/24FS　　ASIL B(D)ABS轮速传感器 NSM41xx　　深耕汽车模拟芯片，纳芯微始终将功能安全作为核心能力深度融入产品与技术布局。纳芯微已通过ISO 26262 ASIL D “Defined-Practiced”能力认证，建立起覆盖产品定义、开发到验证的完整工程体系,为客户提供从安全关键芯片到系统解决方案的完整支持。
关键词：
发布时间：2026-04-29 09:19 阅读量：453 继续阅读>>
把一台汽车热管理ECU拆给你看！<span style='color:red'>纳芯微</span>热管理Demo实测
行业新闻

把一台汽车热管理ECU拆给你看！纳芯微热管理Demo实测

　　汽车热管理早已不是"加个水泵、装个风扇"那么简单。模块化集成 + 智能控制正在成为主流，系统架构也在从单点控温，一步步演进为电池-电驱-座舱一体化热管理：　　• 电池要在 -20℃ 到 45℃ 才能跑出最好的续航;　　• 电驱在高速工况下的瞬时发热，决定了峰值功率能不能顶住;　　• 座舱温度和氛围感，直接影响着用户的五感体验。　　系统总览：　　一块 ECU 要干哪些活?　　这是一套基于纳芯微NSUC1602与NSUC1610 打造的汽车热管理动态Demo，核心是一块基于 NSUC1602 的主控板，它在系统里的角色不是"单纯的 MCU"，而是担负着热管理 ECU的角色：　　闭环是怎么闭上的：　　从发热到散热的全链路　　热管理系统不仅要能动，而且要动得稳，就需要把发热 → 散热 → 温控的整个反馈环做到闭环：　　1. 温度采集：温度传感器实时把水温、环境温度送给 NSUC1602;　　2. 策略计算：NSUC1602 根据预设策略(PID / 阈值曲线)，决定加热板功率、水泵转速和风扇 PWM;　　3. 执行输出：直接驱动水泵 + PWM 调速风扇(400W~1500W 可调)，同时控制加热板功率;　　4. 水流监测：水流计回传流量数据，作为"水路是否真的流起来"的二次校验;　　5. 异常保护：过温保护、反接防护在芯片内部硬件级生效。　　亚克力壳内部的加热板和水冷管路，这就是闭环的"被控对象"　　核心芯片拆解：　　NSUC1602/1610/1612/1500　　NSUC1602 - 热管理ECU的中枢　　NSUC1602 是国内首颗 175℃ 结温量产的 BLDC 电机控制“MCU+”芯片，专门啃下水泵/油泵/风扇这类高温、大负载的硬骨头。　　为什么175℃重要?热管理系统工作的地方往往不是空调房 —— 机舱温度 85℃ 起步，靠近水泵本体再叠加 30~50℃ 不奇怪。结温 175℃ 意味着 Tc 逼近 150℃ 时依然有安全裕量，这是过去只有少数海外厂商能给出的规格。　　另一个容易被低估的点：NSUC1602 内置了"最小系统"——MCU 核 + 驱动 + 保护 + 诊断集成在一颗里。PCBA 的 BOM 和布局压力显著减轻，对空间敏感的 ECU(比如水泵本体集成式方案)尤其友好。　　NSUC1610 - 12V直供的执行器　　NSUC1610 全集成、12V 直接供电，不用额外 LDO，天然适配电子水阀、空调出风口这类"直挂 12V 总线"的执行器。　　和 1602 是什么关系?一个扛高温重载，一个接 12V 末端——共同构成了汽车热管理系统中高效可靠的分布式执行层，分担上位机的算力负担。　　NSUC1612 - 更强EMC+双功率+低功耗休眠　　NSUC1612 在 NSUC1610 基础上升级的新一代，EMC 更强、双功率规格可选、带低功耗休眠。这代表着：　　• 更强 EMC：意味着在整车复杂线束环境下，可简化布线与滤波设计，减少铜材使用并优化整体 BOM 成本;　　• 双功率规格：同一套软件 / 同一套 PCB footprint，就可以覆盖"小执行器"和"大执行器"两档;　　• 低功耗休眠：可使执行器在整车 KL30 常电供电状态下运行，不会显著增加系统暗电流，满足主流整车厂严苛的暗电流考核要求。　　Demo 里它被预留给了步进电机、座椅通风等可拓展场景。　　NSUC1500-Q1 - 座舱氛围灯的“5 颗外围元件方案”　　如果说 NSUC1602/1610/1612 系列是注重高效的硬核解决方案，那么NSUC1500-Q1 则是Demo中点亮色彩的点睛之笔。　　NSUC1500 是车规级 RGB 氛围灯驱动，仅需 5 个外围元件 即可点亮一条灯;±40V 抗反压，为汽车复杂电路下的反向浪涌兜底。　　这颗芯片在 Demo 里有两个关键用途：　　• 驱动 RGB 灯条本身：切换颜色、灯效、亮度曲线;　　• 和 NSUC1602 做指令联动：Web App 上的颜色选择 → 1602 做数据管理和转发 → 1500 响应执行 —— 构成了 Demo 中双芯片联动交互的完整实现链路。　　Web App可视化：　　系统级实时监控与调试平台　　本 Demo 通过 Web App 实现整套热管理系统的可视化交互与远程控制：　　• 实时监控：可通过浏览器实时监控水温、目标温度、水流量及加热功率等关键运行参数;　　• 调整温度：支持在线调整目标温度设定值，直观观测系统闭环控制的动态响应过程;　　• 颜色配置：可通过可视化界面对座舱氛围灯实现颜色配置与灯效模式切换。　　从芯片选型到方案落地，该 Web App 数据链路直观展示了芯片的实际表现：温度采集 → NSUC1602 数据处理 → 通信交互 → Web App 监控与指令下发 → NSUC1602 / NSUC1500 执行响应。能够可靠支持进一步的方案开发与产品化落地。　　从Demo到量产，　　实操方案选型建议　　结合本 Demo，可以清晰地看到 NovoGenius® 系列的产品定位：作为纳芯微面向汽车电子应用打造的专用“MCU+” 产品家族，其设计思路并非追求通用型主控方案，而是聚焦专用化、高集成度的发展方向：　　• 产品功能精准匹配水泵油泵、电子水阀、空调风门、氛围灯等各类车载执行器场景;　　• 在单芯片内高度集成驱动、诊断、保护与通信功能，有效简化外围电路、优化系统 BOM;　　• 依托 AEC-Q100 Grade 0/Class 5 等高等级车规认证，将可靠性提升至满足整车厂直接量产应用的标准。　　目前 NSUC1602 等主力产品已实现规模化量产，并成功应用于海外主流车型项目，具备成熟的落地验证基础。　　在实操方案选型方面，要做集成度高的电子水泵 / 油泵 / 风扇控制器 → 优先评估 NSUC1602，它的 175℃ 结温 + 最小系统集成，是压缩方案尺寸最直接的抓手;　　做 12V 直挂的执行器(电子水阀 / 风门 / 鼓风机 / 座椅通风) → NSUC1610 / 1612 的的单芯片直驱方案可作为基准设计，尤其 NSUC1612 的低功耗休眠对暗电流敏感的项目友好;　　座舱氛围灯 / 车内装饰灯条 → NSUC1500-Q1 凭借仅 5 颗外围器件的极简架构与 ±40V 抗反压能力，可实现快速落地开发，在成本控制与 EMC 表现上均具备优势。
关键词：
发布时间：2026-04-23 09:37 阅读量：532 继续阅读>>
国内首款，<span style='color:red'>纳芯微</span>推出通过TÜV莱茵认证的ASIL D等级隔离栅极驱动NSI6911F系列
行业新闻

国内首款，纳芯微推出通过TÜV莱茵认证的ASIL D等级隔离栅极驱动NSI6911F系列

　　纳芯微今日宣布推出国内首款基于全国产供应链、通过TÜV莱茵认证并达到ISO 26262 ASIL D等级的隔离栅极驱动——NSI6911F系列。　　该系列产品专为新能源汽车主驱逆变器、车载充电机及DC-DC转换器等高压应用设计，具备高达19A的峰值驱动能力、±150kV/μs的共模瞬态抗扰度(CMTI)，并集成12位高精度隔离采样ADC与先进诊断架构，为新能源汽车电驱系统提供更高安全性与系统集成度的解决方案。　　随着新能源汽车向800V高压平台及SiC功率器件加速演进，电驱系统的开关速度显著提升，dv/dt水平不断提高，对栅极驱动器在抗干扰能力、驱动性能及系统可靠性方面提出了更高要求。同时，根据《GB/T 43254-2023 电动汽车用驱动电机系统功能安全要求及试验方法》及《GB 21670-2025 乘用车制动系统技术要求及试验方法》等最新国家标准，电驱系统在防范非预期扭矩及协同制动能量回收等关键场景中，其功能安全等级需达到ASIL C甚至最高等级ASIL D。　　在此背景下，具备高等级功能安全能力并可直接支撑系统设计的隔离栅极驱动芯片，正成为整车厂与Tier 1实现安全合规与规模化量产的关键基础。　　TÜV莱茵权威认证，　　满足最高ASIL D功能安全等级　　NSI6911F系列已通过TÜV莱茵权威认证，达到ISO 26262 ASIL D等级，可为客户提供符合最高功能安全要求的硬件基础。　　该系列严格遵循ISO 26262 V-Model开发流程，从SEooC假设定义、硬件安全需求分解到功能安全验证，均经过系统化分析与严格验证。结合纳芯微完善的功能安全文档体系与技术支持能力，NSI6911F可助力整车厂及Tier 1高效完成电驱系统级功能安全评估，显著缩短开发周期。　　NSI6911F系列通过TÜV莱茵ASIL D功能安全认证　　领先驱动能力与全方位保护架构，　　打造高可靠电驱系统　　NSI6911F系列提供高达19A的峰值驱动能力，并具备±150kV/μs的高CMTI性能，可满足SiC及IGBT器件在高频、高dv/dt环境下的稳定驱动需求。产品集成米勒钳位、过温保护、可调DESAT/SC/OC、可调UVLO、可调软关断及两电平关断等关键保护功能，能够灵活且有效地优化功率器件的开关性能，降低开关损耗与短路失效风险，为电驱系统提供全面保护。　　在故障处理方面，NSI6911F系列支持三态输出策略，使驱动在异常情况下具备更合理的响应路径，显著提升整车电驱系统的鲁棒性。　　同时，NSI6911F系列丰富的电源管理与保护阈值配置选项可满足不同应用场景下的灵活设计需求，简化系统替换与开发流程。NSI6911F支持原边最高32V输入，并提供5V LDO电源，副边支持5V LDO电源及14V-21V的宽范围可调VCC2 LDO，丰富的内置电源可以为上层系统节约低压侧前级Pre DC-DC以及高压侧电源，灵活的可调电压可以提高系统适用性，减少上层系统电源设计变更。　　纳芯微功能安全驱动NSI6911F一览　　集成12位高精度隔离ADC，　　“就地感知”提升系统实时性　　NSI6911F系列集成业内领先的、达到ASIL B等级的12位高精度隔离ADC，实现系统关键电压与电流信号的本地高精度采样与隔离传输。相比传统分立方案，该设计显著减少外部运放、隔离器及独立ADC等器件数量，有效降低系统复杂度与BOM成本。ASIL B等级的ADC也具备在线诊断能力以及噪声抑制等技术，使得NSI6911F能够同时提升采样鲁棒性与与抗干扰能力。　　在高dv/dt环境下，内置隔离ADC可提供更稳定、低延迟的数据反馈，为控制与保护决策提供可靠依据。此外，该集成方案可直接支撑功能安全设计需求，提升关键参数的可观测性与诊断覆盖率，助力客户构建更高集成度与更高可靠性的电驱系统。　　引脚兼容设计与全国产供应链，　　保障快速导入与稳定交付　　NSI6911系列采用SSOW32封装设计，与对标器件实现Pin to Pin/BOM to BOM级兼容，支持客户在现有设计基础上快速替换，无需调整PCB布局，从而显著降低导入门槛并缩短开发周期。　　在供应链方面，该系列基于从晶圆制造到封装测试的全国产体系构建，具备更高的可控性与稳定性，有效降低外部环境变化带来的供货风险。结合纳芯微本地化技术支持与灵活交付能力，NSI6911F系列可助力整车厂及Tier 1在保障性能与功能安全的前提下，实现更高效率的产品迭代与量产落地。　　NSI6911F系列选型表　　筑牢安全底座，　　持续构建完善的功能安全体系能力　　作为国内汽车模拟芯片行业的头部企业，纳芯微始终重视功能安全体系和产品开发能力建设。早在2021年，纳芯微就已获得TÜV莱茵颁发的ISO 26262功能安全管理体系ASIL D “Managed”等级认证。2025年，纳芯微正式通过TÜV莱茵审核的ISO 26262 ASIL D “Defined–Practiced”级别功能安全管理体系认证，证明纳芯微已全面建立起从管理体系到工程实践的完整能力框架。　　这套成熟的体系已成功赋能多款关键产品的全生命周期开发，实现从标准到落地、从流程到产品的可靠闭环。NSI6911F系列芯片获得权威机构TÜV莱茵ASIL D产品认证，正是这一体系实力的最佳例证。　　纳芯微的功能安全核心能力体现于三大维度：　　深度融合的正向开发流程：公司已将ISO 26262功能安全标准系统性融入研发全流程，确保安全要求内生于每个开发环节，并通过持续迭代优化，确保流程始终为产品的高安全与高可靠赋能。　　覆盖系统至芯片的全链路能力：纳芯微具备从系统级安全概念定义到芯片架构、设计与实现的端到端技术能力，能为客户提供跨系统与芯片的完整功能安全解决方案。　　可靠协同的组织文化：专职的功能安全团队自产品定义阶段即深入参与，全程赋能。项目之外，更致力于构建纳芯微安全文化，并通过设立功能安全能力中心(FuSa CoC)，建立跨部门协同与独立审核机制，确保每一项安全活动均受控、可信、可追溯。纳芯微ISO 26262 V-Model开发流程　　纳芯微通过 TÜV 莱茵 ISO 26262 ASIL D　　"Defined-Practiced" 级别认证　　在智能汽车技术的飞速演进中，安全是永不妥协的必选项，也是最复杂的挑战之一。纳芯微凭借从芯片到系统的全链路功能安全能力、经权威机构认证的流程体系，以及不断丰富的SafeNovo®功能安全产品矩阵，构建起完整的“功能安全赋能体系”。通过“流程管控”与“技术聚焦”的深度融合，确保每颗芯片都成为系统安全最可靠的保障。纳芯微致力于携手业界伙伴，以坚实的半导体技术和功能安全开发体系，守护每一程出行的安全。
关键词：
发布时间：2026-04-22 09:17 阅读量：462 继续阅读>>

跳转至

/ 23

热门分类
半导体 电路保护 机电产品 嵌入式解决方案 连接器，互连器件 传感器，变送器 光电元件 开发套件 测试与测量 电源 风扇，热管理 盒子，外壳，机架 电缆，电线 无源元件 其它
  • 一周热料
  • 紧缺物料秒杀
型号 品牌 询价
MC33074DR2G onsemi
CDZVT2R20B ROHM Semiconductor
RB751G-40T2R ROHM Semiconductor
BD71847AMWV-E2 ROHM Semiconductor
TL431ACLPR Texas Instruments
型号 品牌 抢购
BU33JA2MNVX-CTL ROHM Semiconductor
ESR03EZPJ151 ROHM Semiconductor
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 Infineon Technologies
BP3621 ROHM Semiconductor
STM32F429IGT6 STMicroelectronics
TPS63050YFFR Texas Instruments
热门标签
ROHM
Aavid
Averlogic
开发板
SUSUMU
NXP
PCB
传感器
半导体
原厂授权品牌
更多授权品牌>>
资讯排行榜
  • 周排行榜
  • 月排行榜

关于我们
AMEYA360商城(www.ameya360.com)上线于2011年，现有超过3500家优质供应商，收录600万种产品型号数据，100多万种元器件库存可供选购，产品覆盖MCU+存储器+电源芯 片+IGBT+MOS管+运放+射频蓝牙+传感器+电阻电容电感+连接器等多个领域,平台主营业务涵盖电子元器件现货销售、BOM配单及提供产品配套资料等，为广大客户提供一站式购销服务。

请输入下方图片中的验证码：

验证码