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喜报 | 士兰微电子B7功率模块荣登“2026国产车规<span style='color:red'>芯片</span>新品十强”榜首

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喜报 | 士兰微电子B7功率模块荣登“2026国产车规芯片新品十强”榜首

　　5月20日，第十三届汽车电子创新大会暨2026车规半导体技术应用展(AEIF 2026)在上海开幕。本届大会以“软件定义汽车，智算重构生态”为主题，汇聚了来自全国各地的汽车电子领域专家、企业高管及产业链决策者。会上，士兰微电子B7功率模块产品荣获“2026国产车规芯片新品十强”及金芯奖“卓越产品奖”殊荣。　　本次“2026国产车规芯片新品十强”评选由中国集成电路设计创新联盟、AEPC汽车电子专业委员会、《中国集成电路》杂志社联合组织。依托“艾思齐”标准，评审组首先对《国产车规芯片可靠性分级目录(2026)》收集的、来自127家企业的341款产品进行严格筛选，挖掘出了处理器、MCU、功率半导体、存储器等领域实现突破的一批国产新秀，产生“2026国产车规芯片新品TOP 30”。　　为进一步遴选出年度标杆产品，评审组从TOP 30的这批头部国产车规芯片中优选出了一批表现优异的芯片，进入当天上午AEIF 2026会议现场的闭门答辩环节。由长安、东风、上汽、上汽大众、北汽、蔚来、小鹏、理想等车企用户单位，联合电子、联创电子等一级供应商甲方评委，上海汽车芯片工程中心、上海交通大学、中国汽车技术研究中心、国家汽车芯片质量检验检测中心、中国集成电路设计创新联盟等行业有关独立第三方专家组成的豪华评审团近20位评委(其中共计11家甲方评委)，依据“艾思齐”标准四大核心维度进行严格的现场质询与独立评分。　　经过现场答辩评审，最终评选出10家公司的产品获得“2026国产车规芯片新品十强”称号。士兰微电子应用于新能源汽车领域的B7功率模块SGM270SS8B7TFM 在此次评选中脱颖而出，荣登榜首。　　士兰SGM270SS8B7TFM功率模块　　该产品采用士兰微自主开发的Trench-Field-Stop五代IGBT工艺，具备低杂散电感、高阻断电压、高功率密度、高可靠性等优异特点，并结合创新设计结构带来高灵活性，使产品性能达到行业领先水平。在大会晚宴阶段举行的颁奖仪式上，该产品同时获评金芯奖“卓越产品奖”。　　作为国内领先的IDM企业，士兰微电子已基于FS V和FS V++的IGBT平台及先进封装平台，成功拓宽并布局了更多元的新产品矩阵，包括具备更大电流能力的IGBT模块SGM480SS8B7HTFM，以及封装SiC芯片的TPAK及TPAK PLUS封装产品。通过构建高性能、多维度的产品矩阵，士兰微正全面满足从主流到高端、全功率段的新能源汽车应用需求，持续以创新的芯片重构绿色出行生态。　　本次大会期间，士兰微还随会展出了SGM500PB8BA2TFM_TR2、SSM2R1PB12EZ1BTFM、SGM350PP8E2ETFM等具有代表性的汽车电子功率器件及功率模组产品。未来，随着士兰汽车电子产品矩阵的不断丰富与技术迭代的持续深入，士兰微电子将继续以创新的芯片赋能绿色出行，为中国汽车电子产业贡献更多力量。　　士兰汽车电子明星产品　　链接：关于“AEPC车规芯片健康指数标准”——AsaChi “艾思齐”　　在车载芯片国产化加速突破、资本聚焦高端核心领域的行业背景下，主机厂及Tier1零部件企业亟待选择一批质量过硬、性能稳定、供货可靠、拥有自主知识产权的芯片企业作为国产化合作对象，投资机构也需寻找具备长期发展潜力的企业群作为战略投资方向。但目前行业缺乏适用的综合性指标作为遴选依据。　　针对这一痛点，AEPC汽车电子专业委员会组织相关行业专家，推出行业首个综合性评价指标——“AEPC车规芯片健康指数标准”(AEPC standard for automotive Chip health index，简称AsaChi“艾思齐”)，填补了国产车规芯片健康度量化评估的行业空白。该标准由AEPC整合科研机构、高等院校、头部整车企业、Tier1供应商、芯片检测认证机构等多方资源联合打造，涵盖芯片可靠性、实体可靠度、整车配套成熟度、知识产权与工具四大核心维度，细化为AEC-Q测试合规度、制造基地、前装供货经验、国产第三方IP及EDA工具占比等10余项可量化评估指标，采用“企业自测+专家评审”双轨评分机制，确保评估结果的客观性与权威性，将为整车厂、Tier1厂商及投融资机构的决策提供科学依据。

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士兰微

发布时间：2026-05-25 10:22 阅读量：178 继续阅读>>

润石科技｜高压集成电流检测<span style='color:red'>芯片</span>RSA193

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润石科技｜高压集成电流检测芯片RSA193

　　RSA193系列是一款支持宽共模输入电压范围的集成电流检测芯片，工作电压支持4V至18V，共模输入电压范围支持-16V至105V;可以很好应对24V、48V母线电压系统以及多节电池串联系统的电流采集应用。　　RSA193系列提供20、50、100三种固定增益，增益误差常温下最大低至1%，以使其能满足更多的应用场景和电流采集精度要求。　　其他主要参数特性如下：　　Ø 增益带宽(GBP)：550 kHz;　　Ø 低输入失调电压(Vos)：2.2 mV (Max);　　Ø 增益误差全温度最大2%;　　Ø 低输入偏置电流(IB)：15 μA;　　Ø 低功耗(Iq)：0.96 mA (Typ);　　Ø 高电源纹波抑制比(PSRR)：106 dB (Typ)　　Ø 高共模抑制比(CMRR)：125 dB (Typ)　　Ø 高容性负载能力;10 nF　　Ø 扩展级工业温度范围：-40°C ~ 125°C。　　RSA193是在市场主流应用产品参数的基础上，进一步优化共模输入电压范围等参数，以使其更能应对检测母线上的高压浪涌冲击、提升共模干扰抑制能力，提高电流采集精度。　　RSA193典型应用电路　　RSA193封装和管脚定义　　RSA193提供SOT23-5标准封装，完全覆盖INA193\INA194\INA195的功能和应用，欢迎各界工程师朋友到官网申请样品测评。

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润石科技

发布时间：2026-05-22 10:20 阅读量：347 继续阅读>>

思瑞浦 AI 数据中心全套模拟<span style='color:red'>芯片</span>解决方案，筑牢智算时代核心底座

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思瑞浦 AI 数据中心全套模拟芯片解决方案，筑牢智算时代核心底座

　　在全球AI大模型与智算产业爆发式增长的浪潮下，AI数据中心已成为驱动数字经济高质量增长的核心基础设施。根据IDC、Gartner等权威机构综合数据显示，2023-2025年全球AI服务器出货量年复合增长率(CAGR)超40%，AI数据中心总算力需求年复合增长率超50%，预计2025-2030年，全球智算相关基础设施仍将保持30%以上的高位增长态势，算力需求的持续爆发为底层模拟芯片带来广阔市场空间。　　思瑞浦依托在高性能模拟芯片领域的深厚技术积累与全品类产品布局，为AI数据中心打造覆盖算力核心单元、数据中心电源系统、AIDC备电BMS系统的全套模拟芯片解决方案。目前，思瑞浦已服务国内外主流AI服务器、电源模块、储能备电等领域头部客户超百家，在AI与数据中心领域实现营收高速增长，正成为智算时代国产模拟芯片的核心供应力量。　　AI数据中心是集算力、供电、安全防护于一体的复杂系统，其运行效率、稳定性与安全性直接决定智算服务的质量与连续性，是数字基础设施高效运转的关键，而模拟芯片则是保障各环节平稳运行的“隐形基石”。　　数据中心核心组成示意图　　算力核心单元　　全栈方案，护航算力引擎高效稳定运行　　算力核心单元是AI数据中心的 “算力引擎”，涵盖 CPU/GPU/AI加速芯片集群、显存配套、板级信号处理与供电网络，核心职责是最大化释放算力效率。此场景对模拟芯片提出极为严苛要求：超高精度供电监测、纳秒级信号响应、极低噪声干扰、以及7×24小时满负荷运行的长期稳定性。即便毫伏级供电波动，也可能导致算力芯片降频、运算异常乃至系统宕机。　　AI服务器主板功能框图　　检测与保护是服务器主板稳定运行的重要保障。思瑞浦AFE、ADC、CSA、比较器和温度传感器已在服务器行业深耕多年，应用场景成熟。针对AI服务器48V/54V高压电源输入，特别推出支持高共模电压工作电压范围的功率检测AFE产品和CSA电流检测运放产品，适配高压供电场景的需求，为服务器稳定运行筑牢第一道防线。　　TPA626　　TPA626集成16bit ADC，支持0V~36V宽共模电压范围和-81.9175mV~+81.92mV差分电压输入范围，支持I2C/SMBus接口，可以实时监测电流、电压和功率，保障服务器电源稳定性。　　TPA6271　　TPA6271集成16bit ADC，支持0V~102.4V宽压输入，最大±10μV失调电压，温漂0.025μV/℃，专为高精度电流检测优化，是专门针对AI服务器48V/54V高压输入电源高共模电压功率检测方案。　　TPA183Ax　　TPA183Ax是高精度零漂移CSA电流检测运放，支持2.7V~30V宽共模电压范围，失调电压低至55uV，同时提供了4 种固定增益可选：25V/V、50V/V、100V/V 及200 V/V，可以精准的检测电源总线中的电流值。　　TPA132Ax　　TPA132Ax是高共模电压CSA电流检测运放产品，支持-4V至80V超宽共模电压范围，支持1MHz高带宽，同时集成了增强PWM抑制能力，完美适用于AI服务器48V/54V高压输入场景下的精准电流检测。　　电源管理是推动服务器高效运转的动力源，要满足主板多轨差异化供电需求。思瑞浦推出了POL、LDO、电子保险丝、电源时序管理和电源监控等产品，为服务器主板提供高效、稳定的供电方案，助力算力引擎持续输出。　　TPP21206　　TPP21206采用自主研发的定频ACOT控制结构，在保留传统COT控制优势的基础之上，实现不同输入电压(Vin)、输出电压(Vout)和负载条件下的工作频率锁定。充分测试不同占空比和全负载条件，实测不同工况的频率都很稳定，解决COT结构工作频率不稳定的痛点，对瞬态响应和输出纹波有极大的改善。　　接口芯片是服务器内部设备互联的“通信桥梁”。思瑞浦已构建完整I2C/I3C接口芯片解决方案，全面覆盖IO扩展、多主机仲裁、多路信号切换、热插拔、电平转换与信号中继等全功能场景，打通设备互联壁垒。　　TPT29606　　TPT29606是思瑞浦面向I3C应用推出的电平转换芯片TPT29606，可以传输开漏(Open-Drain)信号和推挽(Push-Pull)信号，兼容I2C和SPI等应用场景，支持最低0.72V供电电压，最高26Mbps的传输速率，广泛应用于服务器、路由器、存储、PC等领域。　　信号处理芯片可实现多路信号切换、长距离信号驱动、电平转换及逻辑功能组合。思瑞浦已完整布局逻辑产品矩阵，覆盖AHC、LVC、AUP、AVC等多系列，提供2-8位固定方向与自动方向电平转换器，全面适配服务器各类信号处理需求，确保信号传输精准、高效、无失真。　　思瑞浦算力核心单元产品方案　　数据中心电源系统　　全链发力，赋能电源系统　　高效节能、稳定可靠　　数据中心电源系统作为AI数据中心的 “能量大动脉”，覆盖PSU电源模块、BBU电池备份单元、SST固态变压器三大核心场景，贯穿中压-低压电能变换、PF功率因数校正、隔离型双向DC/DC变换、直流母线稳压、冗余保护全链路。当前AIDC单台服务器功耗突破10kW、800V高压架构加速普及，电源系统对模拟芯片提出更高要求：高频高效功率变换、纳秒级瞬态响应、强抗扰隔离驱动、低EMI电磁兼容设计、冗余供电高可靠性，同时需满足严苛能效标准与10年以上长寿命运行要求。　　PSU Power Module功能框图　　在栅极驱动产品领域，思瑞浦推出了大电流、低延时低边驱动和符合安规需求的隔离驱动产品方案，帮助客户持续优化供电“动力系统”，在保障AIDC供电设备高可靠性的同时，有效提升系统运行效率，实现能源高效利用。　　TPM5355　　TPM5355是增强型隔离驱动产品，具有±150-kV/μs CMTI能力，并针对半桥串扰与直通问题，集成米勒钳位功能，显著增强半桥结构的稳定性，为MOSFET、SiCFET和IGBT等功率器件提供了稳定可靠的驱动解决方案。　　思瑞浦电源类(DCDC/LDO/电压基准)产品为AIDC供电设备数控IC提供高精度、高稳定的供电支持，确保系统长期稳定运行;同时提供多种小封装产品选型，适配高密度集成设计需求，帮助客户实现设备小型化、轻量化升级。　　TPP36308x和TPP36208x　　TPP36308x和TPP36208x分别是36V/3A和36V/2A的同步整流型Buck产品系列，采用了低导通电阻的MOSFET管代替了二极管，有效降低损耗并提高效率。产品系列共包括四种版本：分别对应开关频率为500kHz和2.2MHz，Current Mode为Pulse-Skip和Forced-PWM。　　思瑞浦丰富的接口产品组合，可助力AIDC供电设备实现高速、无损、低延时通信，保障PSU、BBU、SST等多模块协同高效运转，提升整个电源系统的响应效率。　　TPT1255和TPT1256　　TPT1255和TPT1256是加强型工业级5V CAN收发器，5Mbps CAN FD,具备高共模、高耐压、高ESD防护等级的特性，4.5V-5.5V VCC输入电压范围，支持3.3V~5V VIO，满足多种工业和通讯应用场景。　　TPT76XX系列　　TPT76XX系列数字隔离器可提供高达5000VRMS的电气隔离强度，有效防止高压串扰，保护低压侧设备和人员安全。产品同时具有200kV/µs高共模抑制比，可显著提升工业、新能源及汽车等高压系统的可靠性和安全性。　　思瑞浦深度贴合客户实际应用需求，坚持差异化技术路线，持续优化AIDC供电系统方案。思瑞浦有源滤波芯片TPAEF004x系列可高效改善系统电磁干扰EMI问题，在减小共模电感体积的同时，进一步降低整机成本，帮助客户实现性能与成本双重优化。　　思瑞浦数据中心电源系统产品方案　　AIDC备电与BMS系统　　高性能方案，筑牢智算安全续航防线　　AIDC备电与BMS系统是AI数据中心的 “安全续航底座”，由锂电池组、电池管理系统(BMS)、储能变流器(PCS)构成，可实时监控电芯全生命周期状态，在电网异常时实现毫秒级不间断供电，保障核心算力业务连续不中断，是数据中心安全运行的最后一道关键防线。随着800V高压直流架构的广泛应用，行业对BMS的电压精度、毫秒级响应速度以及绝缘安全提出更高要求，直接驱动高性能BMS方案的需求爆发。　　AIDC备电与BMS系统框图　　思瑞浦AIDC备电与BMS系统产品方案　　全栈模拟芯力量，夯实智算新基石　　AI数据中心的算力竞赛，本质上是底层核心器件的性能与可靠性的终极比拼。思瑞浦在运算放大器、基准电压、ADC、BMS AFE、隔离器、接口芯片、电源管理以及栅极驱动等领域实现全品类深度布局，为AI数据中心打造覆盖从信号感知、处理、传输到功率驱动的一站式高性能模拟芯片解决方案，全方位支撑智算产业发展。　　从算力核心的精密供电监测，到作为能量大动脉的PSU、SST高效电能转换，再到备电系统的全生命周期安全保障，思瑞浦以持续技术创新，为智算时代夯实底层硬件基石。凭借3200+款全链路产品矩阵、严苛质量标准、自主可控的测试体系与供应链优势，思瑞浦正全力迈向AI与数据中心领域全球领先的核心模拟芯片供应商，为数字经济与智算产业的高速发展持续注入核心动力。

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思瑞浦

发布时间：2026-05-21 10:16 阅读量：322 继续阅读>>

航顺<span style='color:red'>芯片</span>主编《国产微控制器HK32开发与应用入门》入选“十四五”普通高等教育规划教材

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航顺芯片主编《国产微控制器HK32开发与应用入门》入选“十四五”普通高等教育规划教材

　　历时三载潜心编撰，匠心执笔终成佳作!由航顺芯片深度主编的《国产微控制器HK32开发与应用入门》正式出版发行，成功纳入“十四五”普通高等教育规划教材序列。　　此书的正式面世，不仅有力助推国内嵌入式科技教育自主化建设，夯实本土芯片人才培育根基，更全面提升航顺芯片学术著作编撰与专业教材出版整体水准，以本土实战内容赋能高校教学一线。　　本书编撰阵容实力卓然，企业核心骨干倾力参编：航顺芯片创始人/董事长/CEO刘吉平先生统筹规划编撰思路，锚定产业与教学双重方向;航顺芯片董事/FAE总监郑增忠先生全程参与技术梳理、内容编审、案例打磨与实操核验，依托一线研发与应用经验，确保教材内容专业严谨、贴合教学、贴合产业。　　长期以来，国内各大高校嵌入式专业教学资源长期被海外芯片教材主导，国产自主芯片教学资源稀缺，本土嵌入式教育体系建设步履维艰。航顺芯片立足民族半导体产业发展大局，心怀科教兴芯初心，主动投身高校教材编撰事业，依托自研HK32系列国产MCU核心技术，打造贴合国内教学大纲、兼顾理论教学与工程实践的正统本土教材，全力打破海外教材垄断格局，让国产芯片技术走进全国各大高校课堂。　　凭借扎实内容与行业价值，本书获得业界顶尖权威高度认可。中国半导体之父张汝京博士、清华大学王志华教授、北京大学林金龙教授三位学界泰斗、行业先贤联袂亲笔作序，倾情推荐，为国产嵌入式教育发展寄予厚望。　　为倾力打造高品质教学典籍，董事长刘吉平亲赴北京，专程登门拜访清华大学王志华教授、北京大学林金龙教授两位嵌入式领域学术泰斗，共探国内嵌入式教育发展大势。两位教授深切知晓行业育人困境，十分认同航顺深耕国产芯片教育的初心与格局，当即欣然提笔为本书作序力荐，同时达成深度协作意向，未来将倾力支持航顺后续国产芯片系列教材编撰工作，携手共建完善本土芯片教学体系。　　芯承匠心著书卷，科教聚力兴华夏。作为国产MCU领域中坚力量，航顺芯片始终坚守自主创新发展道路，在攻坚芯片核心技术、拓展产业应用赛道的同时，积极践行企业社会责任，深度推进产教融合、校企协同育人，以实际行动为中国半导体行业输送高素质专业技术人才。　　此次入选“十四五”高等教育规划教材，是航顺芯片布局科教领域的重要里程碑，更是民族芯片企业助力教育自强的生动实践。未来，航顺芯片将持续联合顶尖高校与行业权威专家，持续深耕国产嵌入式教学资源研发打磨，稳步推进新品内核教材筹备工作，后续将正式推出基于RISC-V内核HK32V480专属教学用书，以持续完善的ARM+RISC-V的双核教学体系、优质的知识内容，深耕科教沃土，厚植人才根基，全力助推中国嵌入式教育高质量发展，助力国产半导体产业行稳致远、向阳腾飞。

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航顺

发布时间：2026-05-21 10:10 阅读量：316 继续阅读>>

兆易创新GD25LX128J系列车规SPI NOR Flash荣膺AEIF“2026国产车规<span style='color:red'>芯片</span>新品十强”

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兆易创新GD25LX128J系列车规SPI NOR Flash荣膺AEIF“2026国产车规芯片新品十强”

　　5月20日，兆易创新(GigaDevice)旗下GD25LX128J系列车规级SPI NOR Flash凭借卓越的技术创新性与市场表现，在第十三届汽车电子创新大会(AEIF 2026)高峰论坛上一举斩获“2026国产车规芯片新品十强”以及“汽车电子金芯奖 · 卓越产品奖”两大奖项，充分展现了兆易创新在国产车规存储芯片领域的硬核实力。　　在车载芯片国产化加速突破的行业背景下，主机及tier1零部件企业亟待选择一批质量过硬、性能稳定、供货可靠、有可控自主知识产权的芯片企业，作为合作对象。针对这一行业痛点，AEPC 汽车电子专业委员会(以下简称“AEPC”)推出行业首个综合性评价指标，暨“AEPC车规芯片健康指数标准”(AEPC standard for automotive Chip health index，简称 AsaChi “艾思齐”)，为整车厂、Tier1 厂商以及投融资机构的决策提供科学依据。“2026 TOP 10 国产车规芯片新品榜单”便是依据“艾思齐”标准，对《国产车规芯片可靠性分级目录(2026)》中收录的300余款车规芯片进行综合评选后得出。　　此次获奖的GD25LX128J系列车规级SPI NOR Flash可适用于智能网联、智能座舱、自动驾驶等对高性能有严格要求的应用，已批量供货于国内搭载最新导航辅助驾驶的各主流车型。该产品容量为128Mb，工作电压为1.8V，采用Octal SPI接口，支持DTR功能，最高时钟频率达200MHz，可实现400MB/s的数据吞吐率。芯片支持XIP(Execute-In-Place) 、DQS、DLP功能，以及ECC纠错及CRC校验，凭借高性能、高可靠性优势为智能网联与智能座舱提供了坚实的核心存储支撑。　　本次荣膺双奖不仅是业界对兆易创新在车规级存储领域长期投入与技术积淀的高度认可，更彰显了公司在国产汽车供应链中的关键价值。兆易创新还将持续深耕汽车电子赛道，携手整车及零部件企业，共同推动中国汽车芯片产业的安全、自主与高质量发展。

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兆易创新

发布时间：2026-05-21 09:40 阅读量：364 继续阅读>>

核芯互联丨纯CMOS工艺宽带混频器<span style='color:red'>芯片</span>CLMX5548E / CLMX5549E · 2GHz~15GHz高性能无源双平衡混频器

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核芯互联丨纯CMOS工艺宽带混频器芯片CLMX5548E / CLMX5549E · 2GHz~15GHz高性能无源双平衡混频器

　　在微波射频领域，混频器是收发系统的核心器件。核芯互联依托自主研发的纯CMOS工艺，成功推出CLMX5548E与CLMX5549E两款高性能宽带混频器芯片，以超高集成度、超宽带宽和出色的线性度，为5G通信、探测感知、卫星调制解调等应用提供极具竞争力的国产化解决方案。　　核心技术优势　　纯CMOS工艺打造 · 高集成度设计　　纯CMOS工艺 3.3V单电源 QFN 3mm×2mm 超宽温 -55℃~125℃　　区别于传统的III-V族工艺(如GaAs)，核芯互联采用标准纯CMOS工艺实现微波混频器，带来显著的成本优势与供应链安全性。片上集成RF巴伦、LO放大链路、可选LO倍频器及偏置控制电路，大幅降低系统BOM成本和设计复杂度。　　典型应用框图　　CLMX5549E采用无源双平衡混频架构，RF与IF端口可互换，片上集成LO驱动放大器和可选倍频器，仅需0dBm本振输入即可驱动。下图展示了TDD收发链路中的典型应用及芯片内部框图。　　图1. TDD收发链路典型应用(左)及CLMX5549E内部框图(右)　　CLMX5548E · 差分IF宽带混频器　　CLMX5548E是一款高性能无源双平衡宽带混频器，集成内部RF巴伦，支持2~15GHz超宽带RF频率。其突出特点是采用差分IF端口设计，支持DC~6GHz的IF带宽，特别适用于IF频率延伸至500MHz以下的低频应用场景。　　▎核心性能指标　　适用场景　　IF频率在500MHz以下的超宽带应用，如宽带探测、零中频/低中频接收机、DC耦合基带处理系统等。差分IF端口可直接对接差分IF放大器或差分滤波器，简化信号链设计。　　CLMX5549E · 单端IF宽带混频器　　CLMX5549E与CLMX5548E功能类似，区别在于集成了片上IF巴伦，所有RF、LO、IF端口均为单端50Ω匹配，使用更加便捷。推荐用于IF频率在500MHz以上的应用场景，覆盖2~14GHzRF带宽。　　▎核心性能指标　　适用场景　　IF频率在500MHz以上的标准中频应用，如5G微波回传、C/X/Ku波段探测、卫星通信调制解调器等。片上集成IF巴伦，无需外部巴伦器件，进一步减少外围元件数量。　　实测性能曲线　　下图展示了CLMX5549E在下混频模式下，全频段(4~15GHz)的变频损耗与IIP3随RF频率的变化曲线。在25℃典型温度下，变频损耗稳定在10~15dB范围内，IIP3保持在23~27dBm的高线性度水平，充分体现了纯CMOS工艺的高性能优势。　　图2. 下混频变频损耗与IIP3 vs RF频率(LO功率=0dBm，IF=100MHz，25℃/55℃/85℃/125℃)　　线性度与端口隔离度　　CLMX5549E具备出色的线性度和端口隔离性能。输入P-1dB在IF全频段内保持在13dBm以上，IF端口对RF和LO的隔离度分别优于45dB和55dB，有效抑制了信号泄漏和本振馈通。　　图3. 输入P-1dB vs IF频率　　图4. IF端口隔离度 vs IF频率(IF-RF / IF-LO)　　选型建议：IF频率在500MHz以下，或需要差分IF接口的场景，首选CLMX5548E;IF频率在500MHz以上、追求使用便捷性的场景，推荐CLMX5549E。两者均支持上/下变频、LO倍频器可选、双向RF/IF端口互换等灵活配置。　　核芯互联 · 让射频设计更简单　　CLMX5548E与CLMX5549E以纯CMOS工艺实现高性能宽带混频功能，集成片上巴伦与LO驱动链路，以极小封装和极简外围，帮助工程师快速构建5G通信、探测感知、卫星链路等射频系统。核芯互联将持续深耕射频芯片领域，为客户提供更多高品质、高性价比的国产化射频解决方案。

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发布时间：2026-05-20 09:24 阅读量：352 继续阅读>>

瑞萨丨定义未来服务机器人：RZ/V2H，用一颗<span style='color:red'>芯片</span>集成AI的无限可能

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瑞萨丨定义未来服务机器人：RZ/V2H，用一颗芯片集成AI的无限可能

　　在生成式AI与具身智能的发展推动下，机器人正从“自动执行”向具备感知与决策能力的“智能决策”阶段演进。酒店、医疗、物流和零售等行业对自动化、效率与安全性的需求持续提升，推动服务机器人市场快速增长。这类机器人不仅需要在复杂的动态环境中自主移动，并与人类进行安全、自然的交互，还必须满足低功耗与高性价比的商业化要求。然而，传统系统架构往往需要在AI算力、实时响应能力与系统集成度之间进行权衡，成为制约服务机器人规模化落地的关键瓶颈。　　针对这一挑战，瑞萨推出了以“RZ/V2H高端AI微处理器(MPU)”为核心的服务机器人解决方案。该方案通过高度集成的单芯片架构，将高性能AI推理加速能力与实时运动控制能力结合，使AI感知处理与确定性的实时控制能够在同一平台上协同运行，为服务机器人提供兼具智能处理能力与实时响应能力的核心计算平台。　　服务机器人框图　　核心MPU：集AI、视觉与实时控制于一体　　该方案的核心是瑞萨RZ/V2H高端AIMPU，其采用瑞萨电子专有的AI加速器-动态可重配置处理器(DRP-AI3)、四核Arm® Cortex®-A55(1.8GHz)Linux处理器，双核Cortex®-R8(800MHz)实时处理器，以及一颗Cortex-M33系统管理内核。此外，RZ/V2H还包括另一款动态、可重配置处理器(DRP)。该动态可重配置处理器(DRP)主要用于加速传统图像处理与 OpenCV等视觉算法，与DRP-AI3 AI推理加速器形成互补的视觉计算架构。它还具有PCIe®、USB 3.2和千兆以太网等高速接口，是工厂自动化中自主机器人和机器视觉等应用(必须以低功耗实现的先进AI处理)的理想微处理器。　　高可靠电源管理：为复杂系统精准供能　　服务机器人系统通常包含多个电压域和复杂的芯片组，对电源稳定性、效率以及噪声控制提出了较高要求。本方案选用瑞萨RAA215300多通道电源管理集成电路(PMIC)作为系统的核心电源管理单元。　　RAA215300是一款高性能、高集成度的9通道PMIC，专为32位和64位MCU/MPU应用设计，其主要优势包括：　　01　　完整供电方案：为32/64位MPU提供完整的电源解决方案，可支持核心电压以及DDR3、DDR3L、DDR4和LPDDR4等内存所需的电源轨，从而简化系统电源树设计。　　02　　高度集成：内置实时时钟(RTC)、32kHz晶体振荡器以及纽扣电池充电器，为需要时间保持和低功耗待机的系统提供单芯片解决方案，有助于减少板级器件数量并降低物料成本。　　03　　低噪声设计：支持扩频(Spread Spectrum)和超声波模式(Ultrasonic Mode)，能够有效降低电源噪声，对于模拟传感器和音频模块等对噪声敏感的系统组件尤为重要。　　精准时钟生成：确保系统同步与稳定　　任何高性能数字系统的稳定运行都离不开精准的时钟。本方案采用专为低功耗、消费类和高性能PCI Express应用而设计的VersaClock® 3S可编程时钟发生器5L35023，为整个系统提供纯净、可配置的时钟信号。　　该器件采用三个PLL架构设计，每个PLL可单独编程，支持生成多达五个不同的输出频率，以满足MPU、外设接口、通信模块等对时钟的多样化需求。其内置的主动节能(PPS)、性能—功耗平衡(PPB)和过冲抑制技术(ORT)等智能功能，能在保证时序性能的同时优化系统功耗。内部OTP存储器允许存储定制化的时钟配置，实现上电即用，并通过I²C接口提供灵活的运行时重配置能力，极大地增强了系统设计的灵活性与可靠性。　　此外，该器件具有可编程的VCO和PLL源选择，支持用户根据实际应用需求优化功率与性能。器件可提供三路单端输出和两组支持LVCMOS和LPHCSL的差分输出。同时支持低功耗32.768kHz时钟，系统RTC参考时钟的电流消耗小于2μA。　　系统优势：引领下一代服务机器人技术革新　　基于瑞萨RZ/V2H MPU的解决方案为下一代服务机器人带来三大核心优势：　　首先，它实现了高性能AI与硬实时控制的深度融合。芯片内置A55应用处理器、DRP-AI3 AI加速器及双核R8实时内核，可让机器人在处理复杂视觉任务的同时，保证关键控制环路具备微秒级确定性响应，真正实现“感知—决策—执行”的高速智能闭环。　　其次，方案大幅提升了系统集成度与开发效率，高度集成的芯片组显著减少了PCB面积和物料成本，而成熟的AI SDK与RTOS支持则有效降低了开发门槛，加速产品上市。　　最后，卓越的能效设计保障了长效稳定运行，专用AI加速器与智能电源管理协同工作，在提供强大算力的同时优化整体功耗，确保机器人在各类动态场景中保持可靠自主运行。

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瑞萨

发布时间：2026-05-20 09:17 阅读量：342 继续阅读>>

三进制逻辑<span style='color:red'>芯片</span>是什么意思？

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三进制逻辑芯片是什么意思？

　　除了传统的二进制逻辑芯片，三进制(Ternary)逻辑芯片作为多值逻辑技术的重要代表，逐渐受到关注。那么，三进制逻辑芯片到底是什么意思?　　1. 什么是三进制逻辑芯片?　　三进制逻辑芯片是一种基于三进制逻辑工作的数字集成电路。不同于传统的二进制逻辑芯片(仅使用0和1两个状态)，三进制逻辑芯片引入了第三个逻辑状态，通常表示为0、1和2(或-1、0、1)，从而在单个逻辑单元内表达更多信息单位。　　这种多值逻辑体系的核心在于每个逻辑单元能够承载超过1比特的信息量，使得电路的表达能力更加丰富。　　2. 三进制逻辑和二进制逻辑的区别　　表达范围　　二进制逻辑只有两个状态：0和1。　　三进制逻辑有三个状态：0、1和2(或-1、0、1)。　　信息密度　　每个二进制位携带1 bit信息。　　每个三进制单位携带 log23≈1.585 bit信息，约等于一个半二进制位。　　电路设计复杂度　　三进制逻辑电路设计相对复杂，需要支持三种稳定电平，控制和识别更为复杂。　　二进制逻辑电路设计成熟，工艺完善。　　3. 三进制逻辑芯片的优势　　提高信息存储密度　　三进制逻辑能够在相同数量的逻辑单元中存储更多数据，从而节省芯片面积。　　减少互连复杂度　　由于每个单元表示的信息更多，可减少信号线数量，降低电路复杂性。　　提升计算效率　　多值逻辑计算有潜力缩短处理步骤，提高算法执行速度。　　降低功耗　　在某些设计中，多值逻辑可以有效减少切换次数和电源消耗。　　4. 三进制逻辑芯片的实现技术　　实现三进制逻辑芯片主要依赖于精确控制的多电平器件和电路设计，例如：　　多电平晶体管电路：利用晶体管不同的开关状态实现三种电平。　　电容耦合/双极性电平设计：通过电容分压和稳压技术创造三种稳定输出电平。　　碳纳米管、量子点和新型半导体材料：这些材料具有天然的多状态电子迁移特性，有助于三进制电路的发展。　　5. 三进制逻辑芯片的应用前景　　虽然三进制逻辑芯片在技术实现和产业化方面仍有挑战，但其应用潜力巨大：　　高密度存储器：用于设计更高容量的存储芯片。　　多值逻辑处理器：支持更高效的数字信号处理和人工智能计算。　　通信系统：多进制编码可提升频谱利用效率。　　嵌入式系统和物联网设备：优化功耗和面积，延长电池寿命。　　6. 面临的挑战　　工艺成熟度低：与二进制技术相比，三进制电路制造工艺尚未标准化。　　噪声容忍度低：多电平信号对噪声更敏感，设计难度增大。　　兼容性问题：现有计算机体系和软件多数基于二进制，三进制需要重新设计逻辑架构和编程范式。　　三进制逻辑芯片通过引入第三个逻辑状态，突破了传统二进制逻辑的限制，具有提高信息密度和计算效率的潜力。

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逻辑芯片

发布时间：2026-05-18 10:11 阅读量：338 继续阅读>>

<span style='color:red'>芯片</span>封装测试的重要性和意义

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芯片封装测试的重要性和意义

　　随着半导体技术的飞速发展，芯片作为现代电子设备的核心，其性能和可靠性直接影响整个系统的质量。芯片封装测试作为芯片制造流程中的关键环节，起着确保芯片功能完整和稳定的重要作用。　　一、芯片封装测试的定义　　芯片封装测试是指在芯片制造完成后，通过一系列工艺和检测手段，对封装好的芯片进行功能验证、电性能检测和可靠性测试的全过程。这一环节确保芯片能够达到设计要求并在实际应用中稳定运行。　　二、芯片封装测试的重要性　　1. 保证芯片功能的正确性　　封装后的芯片必须经过严格的测试，才能确认其各项功能是否正常。测试过程能够及时发现设计制造中的缺陷，如短路、开路或参数偏差，避免不良产品流入市场。　　2. 提升产品的可靠性　　通过环境应力测试、温度循环测试等手段，验证芯片在不同工作条件下的稳定性和耐久性，确保芯片在实际使用中的长期可靠运行，降低故障率。　　3. 控制制造成本　　芯片制造过程复杂且成本高昂，封装测试能够早期筛查出问题芯片，避免后续装配和终端产品带来更大损失，从而有效控制整体制造成本。　　4. 满足客户和行业标准　　满足严格的行业标准和客户要求，是芯片市场竞争的重要因素。封装测试作为品质保证的关键步骤，保证产品符合规范，增强市场认可度。　　三、芯片封装测试的意义　　1. 提升芯片产业竞争力　　高质量的芯片能够赢得客户信赖，提高企业的品牌影响力和市场份额。完善的封装测试体系是企业技术实力的重要体现。　　2. 推动技术创新和发展　　测试过程中积累的数据和经验，为设计优化提供反馈，促进工艺改进和技术创新，推动整个半导体行业的进步。　　3. 保障电子产品安全与性能　　芯片作为电子产品的大脑，其性能直接关联产品的安全和功能。封装测试的严格检测，有助于保障终端设备的安全性和性能稳定性。　　芯片封装测试不仅是质量控制的关键环节，更是保障芯片性能和可靠性的基石。随着芯片技术的不断进步和应用领域的拓展，封装测试的重要性日益凸显。

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发布时间：2026-05-14 10:32 阅读量：416 继续阅读>>

常见的<span style='color:red'>芯片</span>制造技术有哪些？

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常见的芯片制造技术有哪些？

随着现代科技的发展，芯片已经成为电子设备中不可或缺的核心组件。芯片制造技术作为半导体产业的关键环节，不断推动着计算能力、能效和集成度的进步。　　1. 光刻技术　　光刻是芯片制造中的核心工艺，通过光的照射将电路图案转移到硅片上的光刻胶层。主要步骤包括涂布光刻胶、曝光、显影等。随着工艺节点的缩小，极紫外光(EUV)光刻技术逐渐成为主流，用于3纳米及以下制程。　　2. 薄膜沉积技术　　该工艺包括化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)等，用于在硅片表面沉积多种功能薄膜，如绝缘层、导电层等。薄膜质量直接影响芯片的性能和可靠性。　　3. 离子注入技术　　通过向硅片中注入特定元素的离子，调整半导体材料的电学性质，实现不同区域的掺杂。离子注入技术精准且高效，是制造晶体管的关键步骤。　　4. 蚀刻技术　　蚀刻工艺用于去除硅片不需要的部分，形成微小电路结构。主要分为干法蚀刻(等离子蚀刻)和湿法蚀刻，现代芯片多采用干法蚀刻以实现更高的精度。　　5. 晶圆制造与切割　　芯片制造始于高纯度硅单晶的生长和切割，形成晶圆。晶圆经过多道复杂工序后，被切割成单个芯片，供封装和测试使用。　　6. 封装与测试技术　　制造完成后的芯片需要封装以保护电路，并进行功能测试。随着多芯片封装(MCP)和系统级封装(SiP)技术的发展，芯片的集成度和性能不断提升。　　总结来说，芯片制造技术涵盖多种复杂工艺，每一步都对最终产品的性能和成本有重要影响。

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芯片制造

发布时间：2026-05-14 09:33 阅读量：430 继续阅读>>

型号	品牌	询价
TL431ACLPR	Texas Instruments
MC33074DR2G	onsemi
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor

型号	品牌	抢购
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor
STM32F429IGT6	STMicroelectronics
TPS63050YFFR	Texas Instruments
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
BP3621	ROHM Semiconductor

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