AMEYA360:纳芯微GaN HEMT驱动芯片NSD2017助力解决激光雷达应用挑战

Release time:2024-07-17
author:AMEYA360
source:网络
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  自动驾驶是新能源汽车智能化的重要发展方向,而具备强感知能力的激光雷达则是L2+及以上级别自动驾驶不可或缺的硬件设备。纳芯微的单通道高速栅极驱动芯片NSD2017,专为激光雷达发射器中驱动GaN HEMT(高电子迁移率晶体管)而设计,助力应对激光雷达应用中的各项挑战。

  1)激光雷达系统结构介绍

  自动驾驶中使用的激光雷达通常采用DToF(Direct Time-of-Flight)测距方式,即通过直接测量激光的飞行时间来进行距离测量和地图成像。下图为DToF激光雷达系统的典型结构,其中信号处理单元通过记录激光发射器发出光脉冲的时刻,以及激光接收器收到光脉冲的时刻,根据时间间隔和光速即可计算出目标距离。

AMEYA360:纳芯微GaN HEMT驱动芯片NSD2017助力解决激光雷达应用挑战

  激光雷达为了实现高分辨率与宽检测范围,需要极窄的激光脉冲宽度、极快的激光脉冲频率和极高的激光脉冲功率,这对激光发射器中功率开关器件的性能提出了更高的要求。相比传统的Si MOSFET,GaN HEMT具有更优越的开关特性,非常适合DToF激光雷达应用。GaN HEMT的性能表现依赖于高速、高驱动能力和高可靠性的GaN栅极驱动芯片,NSD2017凭借其优异的产品特性,充分发挥了GaN HEMT在激光雷达中的优势。

  2)NSD2017产品特性

  - 推荐工作电压:4.75V~5.25V

  - 峰值拉灌电流:7A/5A

  - 最小输入脉宽: 1.25ns

  - 传输延时: 2.6ns

  - 脉宽畸变: 300ps

  - 上升时间@220pF负载: 650ps

  - 下降时间@220pF负载: 850ps

  - 封装:DFN6(2mm*2mm),WLCSP(1.2mm*0.8mm)

  - 满足AEC-Q100车规认证

  - 同相和反相输入引脚可用于产生极窄脉宽

  - 具备UVLO、OTSD保护

AMEYA360:纳芯微GaN HEMT驱动芯片NSD2017助力解决激光雷达应用挑战

  3) NSD2017关键性能应对激光雷达应用挑战

  1. 大电流驱动能力,支持激光雷达远距离探测

  激光雷达的远距离探测能力使自动驾驶车辆能够提前发现障碍物并及时避让,从而提升自动驾驶速度上限。为实现更远的探测距离,通常需要在保证不损伤人眼的前提下,采用更大功率的激光发射器,这就需要更大电流的GaN HEMT以及驱动能力更高的驱动芯片。纳芯微的NSD2017具备7A峰值拉电流和5A灌电流能力,可用于驱动大电流GaN HEMT,从而产生高峰值激光功率,实现远距离探测。

  2. 极窄输入脉宽,满足激光雷达高测距精度要求

  DToF激光雷达通过测量脉冲激光发射和接收的时间间隔来实现测距,但是如果来自两个相邻目标的反射光脉冲发生重叠,系统将无法分辨出这两个相邻目标的距离信息。为了满足厘米级别的距离分辨率的要求,激光雷达需要极窄的光脉冲宽度,通常低至几纳秒,并且具有快速的上升沿和下降沿。NSD2017的最小输入脉宽典型值仅为1.25ns,且开启和关断路径具有优异的延迟匹配,输入到输出的脉冲宽度失真低至300ps。此外在220nF负载下,NSD2017的上升时间典型值为650ps,下降时间典型值为850ps,也有利于产生更窄的脉冲激光。

AMEYA360:纳芯微GaN HEMT驱动芯片NSD2017助力解决激光雷达应用挑战

  3. 小封装和高频开关,优化激光雷达角分辨率与点频性能

  激光雷达的角分辨率表示扫描过程中相邻两个激光点之间的角度差,点频则表示在三维视场内每秒发出的激光点数。一般来说,激光雷达的角分辨率越小,相邻点云之间越密集,往往点频越高,激光雷达的感知能力也就越强。为实现更高的角分辨率和点频,激光雷达需要布置更多的激光发射器,因而对驱动芯片的封装尺寸提出了更高的要求。NSD2017车规级芯片不但提供DFN (2mm*2mm) 封装,还可以提供更小尺寸的WLCSP (1.2mm*0.8mm) 封装。NSD2017支持最高60MHz开关频率,传输延时典型值低至2.6ns,确保了系统控制环路具有足够快的响应时间,也有利于提高激光雷达点频性能。

AMEYA360:纳芯微GaN HEMT驱动芯片NSD2017助力解决激光雷达应用挑战

  4. 强抗干扰能力,保证激光雷达的安全可靠

  在激光发射器中,为了快速开关GaN HEMT,栅极驱动芯片外部的栅极串联电阻通常设置为零;栅极驱动芯片的峰值拉电流和灌电流,会通过芯片的封装寄生电感和PCB寄生电感,引起芯片内部的VDD和GND产生较大的抖动,从而可能导致驱动电路工作异常。NSD2017通过优化封装寄生电感,并且在芯片内部集成去耦电容,有效地滤除驱动电路抽载产生的高压毛刺,从而提升了抗噪声能力。此外,NSD2017具备过温保护和欠压保护功能,保证激光雷达安全可靠地工作。

  4)总结

  GaN HEMT栅极驱动芯片NSD2017具备高开关频率、低传输延时、极窄脉宽、低失真、强驱动能力和抗干扰等特性,采用小尺寸车规级封装,能够助力应对激光雷达各项应用挑战,提升感知能力,确保其安全可靠运行。

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2026-05-22 10:31 reading:316
全球出货量Top4,纳芯微磁传感器如何贯穿整车系统?
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2026-05-21 09:44 reading:327
开赛!纳芯微NSSine™MCU助力电力电子大赛
纳芯微推出固态继电器NSI7117,以卓越EMC性能应对汽车BMS系统电磁挑战
  纳芯微今日正式推出新一代固态继电器NSI7117系列,新器件面向新能源汽车电池管理系统(BMS)等关键应用场景,针对性地优化了电磁兼容性能(EMC),在电磁干扰抑制(EMI)与电磁抗扰度(EMS)两方面实现系统级提升,全面满足新能源汽车日益严苛的电磁兼容要求,为高可靠的汽车应用提供坚实支撑。  新能源汽车BMS系统由于直接连接高压电池包,本身就对电磁兼容性能有着极高要求,需要在复杂电磁环境下保证采样、检测与控制功能的稳定运行。  如今,在新能源汽车轻量化的趋势下,其电池系统正加速向多材料电池壳体架构演进,复合材料的引入在实现轻量化与结构集成的同时,也削弱了传统金属壳体对电磁干扰的天然屏蔽能力,使BMS系统面临更加复杂和严苛的电磁环境。  在此背景下,纳芯微新一代固态继电器NSI7117通过优化的EMC设计,助力整车厂与电池厂商在多材料结构趋势下实现更高水平的系统可靠性。  卓越的EMC性能,  适配多材料电池系统的严苛电磁环境  纳芯微NSI7117针对BMS高压应用中的电磁干扰特性进行了系统级优化,实现了业内卓越的电磁兼容性能。在和头部客户基于实际应用场景的系统联调测试中,NSI7117在电磁干扰发射(EMI)方面表现优异:  静电放电抗扰(ESD,ISO 10605)在下电模式下通过±8kV测试;  电快速瞬变脉冲群(EFT,IEC 61000-4-4)达到Class 4等级;  传导与辐射发射(CISPR 25)分别达到电压法Class 3或4(根据不同频点)、电流法Class 5及辐射发射Class 5水平,有效降低开关过程中引入的系统级电磁辐射。  得益于优异的EMI控制能力,客户在整机开发过程中可显著减少滤波、屏蔽等板级整改措施,降低EMC调试复杂度,缩短开发周期。  在电磁抗扰度(EMS)方面,NSI7117同样具备出色的系统鲁棒性。器件可在全频段范围内通过200mA大电流注入测试(BCI,ISO 11452-4,Class A),并顺利通过辐射抗扰测试(RI,ISO 11452-2,Class A)及手持发射机抗扰测试(PTI,ISO 11452-9,Class 2)。  在多材料电池壳体导致屏蔽能力下降、系统电磁环境更加复杂的背景下,NSI7117能够有效降低误触发与异常开关风险,为BMS系统提供更高裕量的电磁可靠性与安全保障。同时,其高抗扰设计有助于减少系统层面的防护冗余设计,进一步简化硬件架构与验证流程。  可靠性全面升级,  加速替代机械继电器与光耦继电器  相较机械继电器与光耦继电器,固态继电器在新能源汽车BMS中具备更优的综合性能。机械继电器存在触点磨损、寿命有限和响应较慢等问题;光耦继电器虽提升隔离能力,但在耐压、漏电流及长期稳定性方面仍有局限。  固态继电器基于半导体无触点开关,具备更高可靠性与更长寿命,并可在高压、高温等严苛工况下稳定工作,有效降低系统失效风险,正成为高压BMS系统中开关器件的重要选择。  在此基础上,纳芯微NSI7117进一步在高压能力与极端工况可靠性方面实现突破。产品内部集成两颗SiC MOSFET,每颗器件支持高达1700V耐压,具有优秀的抗雪崩能力与瞬态过压承受能力。这一特性使其在电池系统异常工况(如浪涌、电压尖峰)下仍能保持稳定运行,有效提升系统安全边界。  同时,NSI7117在高压高温条件下的漏电控制能力同样表现突出。在1000V工作电压、125℃高温环境下,器件漏电流可控制在1μA以内,显著优于传统方案。这一特性有助于提升电池包整体绝缘阻抗水平,降低系统误判风险,并提高绝缘检测精度,从而增强整车在高压状态下的人机交互安全性。  满足各类安规要求,  降低系统验证时间  NSI7117提供SOW12封装,兼容市场主流光耦继电器,便于客户无缝替换升级。在SOW12封装下,NSI7117实现5.91mm副边爬电距离,原边副边爬电距离也达到8mm,满足IEC 60747-17相关要求。  结合纳芯微成熟的电容隔离技术,NSI7117隔离耐压能力高达5kVrms,并满足UL、CQC及VDE等权威认证标准要求,有助于客户简化系统级认证流程,缩短产品开发与上市周期。  同时,NSI7117采用全国产供应链,进一步提升供应安全性与交付稳定性。NSI7117即将进入量产阶段,车规版本NSI7117-Q1满足AEC-Q100 Grade 1要求,支持–40°C至125°C宽工作温度范围,同时亦提供工规版本,满足不同应用场景需求。  NSI7117现已支持送样,请登录纳芯微官网(www.novosns.com),进行样片申请。
2026-05-13 10:19 reading:463
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