奇瑞-罗姆供应链技术共创交流日:携手谱写汽车电子技术新篇章

发布时间:2025-07-08 15:42
作者:AMEYA360
来源:罗姆
阅读量:1343

  中国上海,2025年7月8日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布,与中国知名OEM厂商奇瑞汽车股份有限公司(以下简称“奇瑞”)于2025年6月5日在奇瑞总部共同举办的“奇瑞-罗姆供应链技术共创交流日”圆满落幕。奇瑞汽车股份有限公司执行副总裁 高新华博士、罗姆高级执行官 阪井 正树等多位高层领导出席本次活动。双方技术专家及供应链核心伙伴齐聚一堂,共话汽车电子前沿技术,致力于为未来智慧出行注入强劲创新动力。

奇瑞-罗姆供应链技术共创交流日:携手谱写汽车电子技术新篇章

右三:奇瑞汽车股份有限公司执行副总裁 高新华博士右四:罗姆高级执行官 阪井 正树

  奇瑞汽车股份有限公司执行副总裁 高新华博士在致辞中表示:“汽车产业的电动化、智能化浪潮对核心电子元器件提出了前所未有的要求,罗姆作为全球半导体领域的佼佼者,在碳化硅(SiC)等先进功率器件及多元化汽车电子解决方案方面拥有深厚积累。此次活动是双方战略伙伴关系的重要里程碑。通过本次活动,奇瑞研发体系及核心供应链伙伴将深入了解罗姆的创新技术与可靠产品,共同探索更具竞争力的解决方案,加速奇瑞在新赛道上的技术突破与产品升级。”

奇瑞-罗姆供应链技术共创交流日:携手谱写汽车电子技术新篇章

奇瑞汽车股份有限公司执行副总裁 高新华博士

  罗姆高级执行官 阪井正树在致辞中表示:“罗姆始终秉持聚焦功率电子和模拟领域,以为客户实现 ‘节能’与‘小型化’的目标贡献力量,进而解决社会问题为经营愿景。目前,车载产品在罗姆销售额中占比约为50%,体现了我们对汽车行业的高度重视。奇瑞是中国汽车工业的标杆力量,其迅猛发展与前瞻视野令人瞩目。罗姆不仅视奇瑞为关键客户,更将其视为共同定义未来出行的战略合作伙伴。我们希望通过此次‘技术共创交流日’为大家提供一个深入了解罗姆产品的机会,共同探索汽车行业的前沿技术与应用。”

奇瑞-罗姆供应链技术共创交流日:携手谱写汽车电子技术新篇章

罗姆高级执行官 阪井 正树

  此次交流日活动内容丰富,涵盖“动力与新能源”、“智能座舱与智能驾驶汽车”、“车身控制和汽车照明”和“分立器件”四大板块,共展出22件罗姆的前沿产品。在现场,罗姆不仅展示了创新的汽车电子技术、产品和解决方案。同时,来自罗姆的技术专家开展了5场研讨会,涵盖了SiC及驱动、车灯照明、系统电源、图像处理及HUD、Ser-Des及功能安全。

奇瑞-罗姆供应链技术共创交流日:携手谱写汽车电子技术新篇章

8英寸碳化硅晶圆和8英寸碳化硅沟槽型MOSFET

奇瑞-罗姆供应链技术共创交流日:携手谱写汽车电子技术新篇章

适用于屏端和摄像头端的Ser-Des解决方案

  本次罗姆展出先进的SiC晶圆已应用于奇瑞星际元ES/ET等车型的电驱动系统。其SiC材料具备更高效率、耐高温和低损耗特性,显著提升了电驱功率密度和整车能效,延长电动汽车续航里程;高端智能汽车品牌智界车型的辅助驾驶系统也搭载了罗姆的高速SerDes芯片,为摄像头、显示屏等与主处理器提供稳定可靠高速数据传输能力,保障海量数据的低延迟、抗干扰传输。

奇瑞-罗姆供应链技术共创交流日:携手谱写汽车电子技术新篇章

尾灯控制器车载解决方案

奇瑞-罗姆供应链技术共创交流日:携手谱写汽车电子技术新篇章

后视镜马达驱动BD169xx系列解决方案

奇瑞-罗姆供应链技术共创交流日:携手谱写汽车电子技术新篇章

IGBT产品系列

  除先进的SiC晶圆外,罗姆还重点展出了其车灯驱动类产品、车身控制相关的IPD及半桥驱动,以及热管理系统相关的IGBT及栅极驱动器。罗姆的高性能车灯驱动IC支持高精度调光、多通道控制及复杂通信协议,确保车灯亮度均匀稳定,适用于前大灯(ADB)、尾灯、内饰氛围灯等应用;罗姆车身控制IPD及半桥驱动器具有高集成度、高可靠性和低功耗等特性,有助于简化设计,增强系统可靠性,广泛应用于车身控制模块(BCM),如车窗、天窗、雨刮、座椅调节等执行器控制;罗姆的高效IGBT模块和栅极驱动器具备低导通/开关损耗、高耐压及优异散热性能,可确保热管理单元高效可靠运行。

奇瑞-罗姆供应链技术共创交流日:携手谱写汽车电子技术新篇章

现场掠影

  本次“奇瑞-罗姆供应链技术共创交流日”的成功举办,不仅全方位展示了罗姆强大的技术创新实力与对汽车电子未来的深刻理解,更彰显了奇瑞与罗姆以开放姿态深化战略协作、共谋发展的坚定决心。在汽车产业加速向电动化、智能化迈进的征程中,奇瑞与罗姆的强强联合,将持续驱动技术创新,共同锻造更安全、更高效、更智能的移动出行未来,为中国乃至全球汽车产业的转型升级贡献核心科技力量。

  关于奇瑞汽车

  奇瑞汽车(CHERY)创始于1997年,总部在安徽省芜湖市。奇瑞产品覆盖乘用车、商用车、微型车等领域,且连续多年蝉联中国自主品牌销量冠军,现已成为国内最大的集汽车整车、动力总成和关键零部件的研发、试制、生产和销售为一体的自主品牌汽车制造企业,以及中国最大的乘用车出口企业。奇瑞始终坚持自主 创新,致力于为全球消费者带来高品质汽车产品和服务体验,是国内最早突破百万销量的汽车自主品牌。奇瑞汽车一切以用户为中心,市场覆盖100多个国家和地区。2024年奇瑞销售汽车260.39万辆,其中出口超过114.45万辆。连续22年位居中国品牌乘用车出口第一。

  关于罗姆

  罗姆是成立于1958年的半导体电子元器件制造商。通过铺设到全球的开发与销售网络,为汽车和工业设备 市场以及消费电子、通信设备等众多市场提供高品质和高可靠性的IC、分立半导体和电子元器件产品。在罗姆自身擅长的功率电子领域和模拟领域,罗姆的优势是提供包括碳化硅功率元器件及充分地发挥其性能 的驱动IC、以及晶体管、二极管、电阻器等外围元器件在内的系统整体的优化解决方案。进一步了解详情,欢迎访问罗姆官方网站:https://www.rohm.com.cn/


(备注:文章来源于网络,信息仅供参考,不代表本网站观点,如有侵权请联系删除!)

在线留言询价

相关阅读
罗姆丨方案介绍  智驾升级,看罗姆如何筑牢ADAS感知系统基石
  2026年,L4级自动驾驶正加速在限定场景(如自动驾驶出租车、无人配送)落地,产业处于从L2普及向L3/L4探索。在这一进程中,ADAS(高级驾驶辅助系统)作为智驾功能的核心载体,其性能影响整车安全上限。ADAS的完整工作流程始于环境感知——由摄像头、雷达、激光雷达等构成的感知网络,为后续决策与控制提供基础数据。感知的精度与可靠性,直接影响系统能否正确应对复杂路况。  罗姆围绕ADAS环境感知环节,提供从电路保护、电源管理、信号传输到核心光源等多类产品,覆盖车载摄像头与激光雷达等多个模块,您可点击查看罗姆ADAS解决方案。  车载摄像头  随着ADAS等级提升,单车摄像头数量不断增加,部分车型已搭载10个以上。摄像头模块面临小型化、低功耗、高画质和高可靠性等多方面要求。罗姆围绕这些需求,从基础的电路保护到核心的电源管理与信号传输,提供保护二极管、电源管理IC(PMIC)、串行/解串器(SerDes IC)等产品。  保护二极管- ESD(静电放电)保护二极管  采用DFN1006-2W封装的两款产品符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101的要求,还适用于采用SerDes IC通信的ADAS、AD(自动驾驶)摄像头以及ECU(电子控制单元)等应用。  - 创新型保护用肖特基势垒二极管  RBE01VYM6AFH在低VF(正向电压)和低IR(反向电流)这对此消彼长的特性之间实现了高维度平衡,可为ADAS摄像头等配备了像素日益提高的各种图像传感器的应用,提供高可靠性的保护解决方案。  PMIC BD868xxMUF-C系列符合ISO 26262及其ASIL-B标准的PMIC BD868xxMUF-C系列,适用于ADAS等产品中应用日益广泛的车载摄像头模块。该系列特点如下:  · 内置3个DC-DC系统和1个LDO系统  · 3.5mm见方的业界超小封装,可减少安装面积  · 内置异常状态通知机构(可以检测到电压异常等状况并通过I2C来反馈)  · 支持各制造商的CMOS图像传感器  SerDes IC BU18xMxx-C用来传输影像的SerDes IC BU18xMxx-C可以根据分辨率优化传输速率,因此与普通产品相比,功耗可降低27%。此外,通过传输速率优化功能和展频功能,还可将EMI峰值l降低20dB左右。不仅如此,该IC还具有冻结检测功能,可以检测图像的冻结状态,从而还可提高整个ADAS系统的可靠性。  激光雷达(LiDAR)  LiDAR是实现L2+级以上自动驾驶的核心测距与空间识别传感器,罗姆可提供光源器件和电源管理产品。  高输出功率半导体激光二极管RLD8BQAB3是面向LiDAR等距离测量和空间识别应用开发而成的超小型表面贴装型125W高输出功率8通道阵列激光二极管。支持1~8通道激光二极管单独发光和总输出光功率达1kW的超高输出8通道同时发光,客户可根据应用需求选择合适的照射方法。  LDO稳压器 IC BUxxJA3DG-C系列面向汽车ADAS中性能日益提升的小型车载应用(如传感器和雷达等),其特点如下:  · 以小型封装实现300mA的输出电流:采用SSOP5封装(2.9mmX2.8mm),将输出电流从以往的200mA提高到300mA  · 从下限1.7V起即可工作(BU12JA3DG-CA):支持在1.8V的电源系统中使用,可实现更低损耗和更低发热量(而且噪声更低)  · 低输出噪声特性:与普通的低噪声型LDO相比,输出噪声减少约40%,仅为55uVrms(BU33JA3DG-C时)  迈向高阶自动驾驶,环境感知始终是不可动摇的技术底座。罗姆凭借PMIC、SerDes IC、激光二极管、保护二极管等器件,配合ComfySIL™功能安全方案,为车载摄像头和激光雷达提供关键支撑。未来,罗姆将持续深耕汽车电子,以更高效、可靠的元器件方案,助力智能驾驶走向更安全、更便捷的水平。
2026-05-14 09:55 阅读量:448
技术解码 | 罗姆助力AI服务器能效提升
  数字化转型(DX)和AI的迅猛发展,为社会带来了巨大的便利,而支撑其运行的数据中心耗电量却持续攀升。  为了助力解决这一社会课题,罗姆已将融合多年来积累的“功率电子”和“模拟”技术优势,更大程度地提高服务器能效当作使命。其中,服务器总功耗中占比较大的“电源”的效率提升,以及通过“电机”驱动的冷却系统的进一步节能,是实现无碳社会的重要课题。  从业界先进的SiC(碳化硅)功率元器件,到可实现高精度控制的模拟IC以及各种分立器件,罗姆集这些产品的开发、生产制造、销售于一体,为客户提供前瞻性的解决方案。  罗姆的半导体技术可高水平兼顾客户服务器系统的“节能”和“小型化”需求,同时还有助于提高其可靠性。罗姆将与客户携手共创可持续发展的数字社会。  AI服务器主板(Server Board)  随着生成式AI的普及和数字化转型的加速,现代服务器面临着前所未有的算力需求,以及随之而来的功耗激增问题。要改善数据中心电源使用效率指标(PUE),从传统12V分散式供电向48V集中式供电架构的转型,以及电源单元的小型化和效率提升已成为当务之急。  罗姆利用多年积累的高效电源IC技术,结合包括GaN(氮化镓)器件在内的高性能MOSFET,为客户提供综合解决方案。通过可充分激发产品特性的驱动技术,大幅降低功率转换损耗。通过同时实现更低发热量和更高功率密度,助力服务器主板的处理能力提升及节能降耗。  电源供应单元(PSU)  罗姆可一站式提供下一代服务器PSU所需的全部电源解决方案。针对高电压大电流化的一次侧电路,可提供业界先进的SiC元器件和高速GaN元器件产品群,助力应用产品大幅提升效率。另外,针对AI服务器等主流的50V输出二次侧整流用途,可提供80V耐压等高性能LV MOS产品群,可将导通损耗降至超低水平。当然,罗姆还拥有性价比超高、也非常适用于图腾柱PFC低速侧开关应用的丰富的Super Junction MOSFET(SJ-MOSFET)产品群。  在这些种类繁多的产品群基础上,罗姆还可提供系统层面的综合解决方案,其中包括可更大程度激发产品性能的栅极驱动器和控制IC。这正是罗姆的优势所在。本页面将介绍罗姆支撑未来AI数据中心的最新科技和解决方案。  备用电池单元(BBU)  在BBU(备用电池单元,用来在电源异常时保护数据)设计中,能够充分发挥锂离子电池性能的先进电池管理系统至关重要。罗姆提供可高精度监测电池健康状态(SoH)的电池电量监控IC(电量计IC)等产品,助力BBU的小型化和可靠性提升。  此外,在保障服务器稳定运行和可维护性的热插拔电路中,能够承受大电流负载的宽SOA(安全工作区)范围至关重要。尤其是大量使用GPU的AI服务器,对其稳定性的要求非常严苛。罗姆兼具宽SOA范围和低导通电阻的100V耐压功率MOSFET,可满足其严苛要求,并可提高系统的可靠性和稳健性。  罗姆不仅提供这类元器件级解决方案,还针对多样化的电源架构,提供满足从传统的12V/50V级电源,到可显著改善数据中心整体节能性能的400V级HVDC(高压直流供电)机架应用需求的丰富产品群。
2026-04-15 13:05 阅读量:637
罗姆热插拔控制器(HSC)解决方案,满足 AI 服务器多样化需求!
  在上一篇中,我们详细解读了罗姆适配 800VDC 20~33kW 级电源单元的全套解决方案,而 AI 服务器的高效、稳定运行,除了核心电源单元,热插拔控制器(HSC) 也是供电系统中保障设备可靠性的关键部件。针对 AI 服务器高功率升级下对 HSC 的新需求,罗姆打造了专属的热插拔控制器用全套产品,包含核心 MOSFET、配套电阻及控制器 IC,精准匹配高电流、宽安全工作区的应用场景,以下为核心产品详情。  服务器热插拔控制器与罗姆产品  热插拔控制器是 AI 服务器供电系统的关键保护部件,核心作用为:在电源导通状态下插拔供电模块时,有效防止浪涌电流瞬间施加在元器件上,避免器件因电流冲击损坏,从而提升整个供电系统的运行可靠性。  罗姆可为服务器热插拔控制器提供全环节产品配套,覆盖浪涌电流抑制、电流检测、控制驱动等核心环节,完美适配服务器 48V 输入供电架构。  针对 AI 服务器HSC对宽 SOA 范围、低导通电阻、高耐压、小型化的核心需求,罗姆专门发售 HSC 用 Nch MOSFET 新品RY7P250BM与RS7P200BM,同时配套 PMR 系列电流检测通用型电阻器,及开发中的 BD12780MUV-LB 12V 热插拔控制器 IC,形成完整的 HSC 产品解决方案。  “RY7P250BM”和“RS7P200BM”产品简介  特点  ⚫ 100V耐压的功率MOSFET ,非常适用于48V热插拔电路  ⚫ 标准8080尺寸封装  ⚫ 同时实现业界超宽SOA范围和超低导通电阻(RDS(on))  ⚫ 被美国云平台企业认证为推荐器件 ⚫ 小一号的5060尺寸封装  ⚫ 同时实现业界超宽SOA范围和超低导通电阻(RDS(on))  ※截至2025年11月27日 ROHM使用8080封装尺寸100V耐压功率MOSFET调查的数据  两款 Nch MOSFET 可通过热插拔控制器平缓导通,以特定脉宽向电路施加电压和电流,有效抑制浪涌电流的产生;同时搭配罗姆的电流检测电阻与控制器 IC,实现电流的精准监测与器件的智能控制,全方位保障 AI 服务器热插拔过程的安全性与稳定性。  总结  罗姆拥有SiC、GaN、Si及LSI业务 是为数不多的半导体制造商之一, 通过与全球头部企业建立的合作伙伴关系,致力于为AI服务器市场贡献力量。  罗姆可以提供的产品不仅包括以高功率 效率和高功率密度助力降低功耗的SiC、 GaN产品,还包括适用于HSC的Si MOSFET、隔离型栅极驱动器和电源IC 等外围元器件,可满足最新AI服务器的多样化需求。罗姆的功率元器件×模拟技术助力满足AI服务器的高电压趋势与节能化需求,为实现应用AI技术的丰富多彩的未来社会贡献力量!
2026-03-26 14:12 阅读量:688
罗姆适配 800VDC 20~33kW 级电源单元的全套产品解决方案,精准匹配 AI 服务器需求!
  AI 服务器向 + 800V/±400VDC 高压直流架构升级,推动核心部件电源单元(PSU)向更高功率、更高效率、更高功率密度方向发展,对半导体器件的耐压、低损耗、小型化等特性提出严苛要求。罗姆针对 800VDC 20~33kW 级电源单元,打造了覆盖电源侧架与 IT 机架的全套产品解决方案,充分发挥 SiC/GaN/Si 各功率元器件的技术特点,精准匹配 AI 服务器高压架构的供电需求,以下为核心方案详情。  适用800VDC 20~30kW级电源单元的解决方案简介  *SIM:PLECS®,仅功率元器件,不含电抗器等外围元器件的损耗  本方案针对 AI 服务器 800VDC 架构的理想功率转换拓扑设计,核心围绕高效率与高功率密度两大关键指标,为电源侧架、IT 机架不同功率转换环节定制化搭配拓扑结构与元器件,充分发挥 SiC/GaN/Si 的各自技术优势。  高效率:各电源模块效率达 99% 以上 *(仅计算功率元器件损耗)*(行业标准值为系统效率 97% 以上)  高功率密度:现行 PSU 标准为 100W/in³,而采用 GaN 产品的服务器机架电源可达到 246W/in³  AI 服务器供电架构分为电源侧架(Power Source)与服务器机架(IT 机架),机架母线为 800V DC,经电源侧架、IT 机架功率转换后,输出 50VDC 或 IBV 至计算单元托盘,具体解决方案如下表:  注:SIM 基于 PLECS® 仿真,仅计算功率元器件损耗,不含电抗器等外围元器件的损耗  电源侧架用的 PFC+DC/DC 模块  SIM:PLECS®,仅功率元器件,不含电抗器等外围元器件的损耗  通过业界超低 RonA、扩展栅极偏置电压,助力实现更高效率(功率损耗降低 30%)  第 5 代 SiC 产品将高温条件下的 RonA(导通电阻)降低约 30%,支持 AI 服务器所要求的在高温环境及高负载工况下的低损耗运行  负栅极电压偏置额定值(Vgsn)范围扩大,可支持推荐关断驱动电压 - 5V(Vgsn 直流额定值为 - 7V)的工作条件  罗姆的 SiC 开发路线图中,功耗损耗比较(第 4 代 vs 第 5 代)显示,导通损耗与开关损耗(关断损耗)相加的总损耗相比第 4 代减少约 30%,效率 SIM * 最多降低 33%。  仿真条件:Vin=800VDC、Vout=800VDC、Pout=33kW、Ta=100°C、Cr=220nF、Lr=7.3µH、Lm=73µH、Fsw=125kHz  IT 机架用的 DC 模块  SIM:PLECS®,仅功率元器件,不含电抗器等外围元器件的损耗  隔离型三相 LLC 拓扑解决方案  IT 机架电源用解决方案,确保 AI 处理器、通信、散热空间成为重要课题,需考虑到功率效率和功率密度进行电源系统设计  将 800VDC 转换为 50V(IBV)的隔离型 DC-DC 转换器  采用三相隔离型 LLC 拓扑  一次侧:推荐使用第 4 代 SiC  推荐产品 SCT4011KR/KRG/KQ  最大额定电压 1200V,ID TBD,导通电阻 11mΩ  封装:TO247-4L/TO247HC-4L/QDPAK  背景:可实现高速开关(100kHz)的 SiC MOSFET,采用表贴型功率封装器件可实现小型化  效率 SIM * 达 99% 以上 (~125kHz)  二次侧:推荐使用以下 Si MOSFET  推荐产品 RSS7 系列:RS7N200CH  最大额定电压 80V,ID 295A,1.43mΩ,DFN5060-8S  RSJ2 系列:RJ2N17BCH  最大额定电压 80V,ID 450A,0.86mΩ,TOLL-pkg  背景:推荐适用于 50V 输出电压的 80V LV Si MOSFET,采用表贴型功率封装器件可实现小型化  提升功率效率需采用搭载 SiC 元器件的功率解决方案,利用高耐压和低导通电阻(Ron)优势,有效降低开关损耗。  针对高功率密度的 GaN 解决方案  搭载高功率密度 GaN 产品的级联隔离型 LLC  功率密度:7.8W/cc (129W/in³),LLC 开关频率 100kHz,尺寸:40mm×91mm×700mm  通过将开关频率提升至 500kHz,实现变压器等外围元器件的小型化,通过级联结构分担一次侧和变压器的电流,可提高效率  功率密度:15W/cc (246W/in³),LLC 开关频率 500kHz,尺寸:40mm×55mm×605mm  行业标准功率封装产品部署  提供行业标准封装产品群,通过与英飞凌合作实现通用设计和稳定供应,并提升表面散热和模块性能。  针对不同拓扑电路搭配对应封装模块:  Vienna 双向开关电路:DOT-247 共源 2 in 1 × 3pcs  PSU 隔离型三相 LLC 一次侧:DOT-247 半桥 2 in 1 × 3pcs  HSDIP20 隔离 顶部散热 六合一模块  PSU 隔离型三相 LLC 二次侧:DOT-247 半桥 2 in 1 × 6pcs  罗姆功率封装产品阵容 * 摘录(开发中,其他封装请另行咨询),含与英飞凌合作开发的封装及罗姆原创封装,SiC 产品专用模块封装为 DOT-247,封装类型分为插装型与表贴型,具体适配如下:  同时罗姆拥有 SiC 产品用的顶部散热平台 TOLT、D-DPAK、Q-DPAK、Q-DPAK Dual、H-DPAK(H=2.3mm)。  以上为罗姆针对 800VDC 20~33kW 级电源单元从拓扑设计、核心器件到封装部署的全套解决方案,解决了 AI 服务器高压架构下电源侧架与 IT 机架的功率转换、效率及密度难题。而完整的 AI 服务器供电系统,还需要热插拔控制器(HSC)保障设备插拔过程的安全稳定,后续将为大家详细介绍罗姆 AI 服务器热插拔控制器(HSC)用的全套产品解决方案。
2026-03-20 16:41 阅读量:773
  • 一周热料
  • 紧缺物料秒杀
型号 品牌 询价
TL431ACLPR Texas Instruments
CDZVT2R20B ROHM Semiconductor
RB751G-40T2R ROHM Semiconductor
MC33074DR2G onsemi
BD71847AMWV-E2 ROHM Semiconductor
型号 品牌 抢购
BP3621 ROHM Semiconductor
ESR03EZPJ151 ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR Texas Instruments
BU33JA2MNVX-CTL ROHM Semiconductor
STM32F429IGT6 STMicroelectronics
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 Infineon Technologies
热门标签
ROHM
Aavid
Averlogic
开发板
SUSUMU
NXP
PCB
传感器
半导体
相关百科
关于我们
AMEYA360微信服务号 AMEYA360微信服务号
AMEYA360商城(www.ameya360.com)上线于2011年,现 有超过3500家优质供应商,收录600万种产品型号数据,100 多万种元器件库存可供选购,产品覆盖MCU+存储器+电源芯 片+IGBT+MOS管+运放+射频蓝牙+传感器+电阻电容电感+ 连接器等多个领域,平台主营业务涵盖电子元器件现货销售、 BOM配单及提供产品配套资料等,为广大客户提供一站式购 销服务。

请输入下方图片中的验证码:

验证码