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ROHM推出适用于车载SoC的具有出色扩展性的电源解决方案丨通过PMIC与Dr<span style='color:red'>MOS</span>的组合，实现更适合SoC的电源设计，并满足未来高性能化的需求~

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ROHM推出适用于车载SoC的具有出色扩展性的电源解决方案丨通过PMIC与DrMOS的组合，实现更适合SoC的电源设计，并满足未来高性能化的需求~

　　中国上海，2026年5月19日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，推出PMIC*1“BD968xx-C系列”和DrMOS*2“BD96340MFF-C”相结合的新电源解决方案，该方案非常适用于ADAS(高级驾驶辅助系统)、DMS(驾驶员监控系统)和感测摄像头等车载应用的SoC*3。　　该解决方案可根据SoC的应用场景和性能要求，灵活组合Main Configurable PMIC*4、Sub PMIC和DrMOS，从而能够支持从低端到高端的各类SoC，并可根据其处理性能和功能实现具备扩展性的电源配置，有助于减少机型扩展时的工时，并提升电源效率。另外，构成该解决方案的产品均符合车规级可靠性标准AEC-Q100，可确保高可靠性。Main PMIC具备车载SoC应用所需的输出电压范围和灵活的电源时序控制功能，能够灵活应对不同SoC制造商、乃至同一SoC的不同代次和不同等级对电源的差异化要求。同时，还内置了电压、电流和温度监控及保护功能，确保车载应用所需的高可靠性和安全性。Main PMIC“BD96803Qxx-C”和“BD96811Fxx-C”是适用于低端SoC的、预期以单体形式使用的产品。另一方面， Main PMIC“BD96805Qxx-C” 和 Sub PMIC“BD96806Qxx-C” 通过与DrMOS“BD96340MFF-C”进行组合，能够应对SoC中更低电压和更大电流的需求，具备出色的扩展性。新产品已经开始量产。详细信息请联系ROHM销售代表或通过ROHM官网的“联系我们”垂询。　　<开发背景>近年来，随着ADAS的日益成熟、车载摄像头的功能提升以及ECU整合程度的不断提高，车载SoC正朝着高性能化的方向快速发展。与此同时，在ECU整合的背景下，汽车电子电气架构向域控架构*5的转型，正在推动以域控制器为核心的系统不断扩大应用。伴随着这一趋势，业界对以低电压、大电流驱动SoC的电源设计、精准的电源时序控制以及优异的可靠性提出了比以往更高的要求。另一方面，以往的电源设计需要针对每个SoC制造商、每一代产品的差异化要求进行个别应对，且在机型扩展时还需要重新设计电路，导致设计工时和验证负担增加，这是其一大课题。针对这些课题，ROHM基于“可配置(Configurable)”的设计理念，开发出了通过组合PMIC和DrMOS来灵活优化配置的电源解决方案，该方案不仅可以根据SoC的性能和应用进行高效的电源设计，还能够满足未来的性能提升需求。　　<应用示例>高功率SoC：ADAS、DMS、座舱集成系统等　　中等功率SoC：全景环视系统、泊车辅助系统等　　低功率SoC：感测摄像头、车身控制、各种传感器控制等　　<术语解说>*1) PMIC(电源管理IC)　　一种内含多个电源系统、并在一枚芯片上集成了电源管理和时序控制等功能的IC。与单独使用DC-DC转换器IC、LDO及分立元器件等构成的电路结构相比，可以显著节省空间并缩短开发周期，因此近年来，无论在车载设备还是消费电子设备领域，均已成为具有多个电源系统的应用中的常用器件。　　*2)DrMOS　　集成了MOSFET和栅极驱动器IC的模块。其结构很简单，不仅有助于缩短设计周期，还可减少安装面积并实现高效率的功率转换。另外，其内部配有栅极驱动器，MOSFET的驱动也稳定，可确保高可靠性。　　*3)SoC(System-on-a-Chip)　　将CPU(Central Processing Unit，中央处理单元)、存储器、接口等集成于一枚电路板上的集成电路。因其可以实现出色的处理能力和功率转换效率并能节省空间，而被广泛应用于车载设备、消费电子和工业设备领域。　　*4) Configurable PMIC　　输出电压和电源时序可根据应用进行设置，并且能够根据不同的SoC和系统规格灵活应对电源配置的电源管理IC。　　*5) 域架构(Domain Architecture)　　将安装在车辆上的多个ECU(Electronic Control Unit)按功能域进行集中管理的结构。　　在各个功能域中，统管多个ECU的上层控制单元称为“域控制器”。

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发布时间：2026-05-20 10:08 阅读量：348 继续阅读>>

核芯互联丨纯C<span style='color:red'>MOS</span>工艺宽带混频器芯片CLMX5548E / CLMX5549E · 2GHz~15GHz高性能无源双平衡混频器

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核芯互联丨纯CMOS工艺宽带混频器芯片CLMX5548E / CLMX5549E · 2GHz~15GHz高性能无源双平衡混频器

　　在微波射频领域，混频器是收发系统的核心器件。核芯互联依托自主研发的纯CMOS工艺，成功推出CLMX5548E与CLMX5549E两款高性能宽带混频器芯片，以超高集成度、超宽带宽和出色的线性度，为5G通信、探测感知、卫星调制解调等应用提供极具竞争力的国产化解决方案。　　核心技术优势　　纯CMOS工艺打造 · 高集成度设计　　纯CMOS工艺 3.3V单电源 QFN 3mm×2mm 超宽温 -55℃~125℃　　区别于传统的III-V族工艺(如GaAs)，核芯互联采用标准纯CMOS工艺实现微波混频器，带来显著的成本优势与供应链安全性。片上集成RF巴伦、LO放大链路、可选LO倍频器及偏置控制电路，大幅降低系统BOM成本和设计复杂度。　　典型应用框图　　CLMX5549E采用无源双平衡混频架构，RF与IF端口可互换，片上集成LO驱动放大器和可选倍频器，仅需0dBm本振输入即可驱动。下图展示了TDD收发链路中的典型应用及芯片内部框图。　　图1. TDD收发链路典型应用(左)及CLMX5549E内部框图(右)　　CLMX5548E · 差分IF宽带混频器　　CLMX5548E是一款高性能无源双平衡宽带混频器，集成内部RF巴伦，支持2~15GHz超宽带RF频率。其突出特点是采用差分IF端口设计，支持DC~6GHz的IF带宽，特别适用于IF频率延伸至500MHz以下的低频应用场景。　　▎核心性能指标　　适用场景　　IF频率在500MHz以下的超宽带应用，如宽带探测、零中频/低中频接收机、DC耦合基带处理系统等。差分IF端口可直接对接差分IF放大器或差分滤波器，简化信号链设计。　　CLMX5549E · 单端IF宽带混频器　　CLMX5549E与CLMX5548E功能类似，区别在于集成了片上IF巴伦，所有RF、LO、IF端口均为单端50Ω匹配，使用更加便捷。推荐用于IF频率在500MHz以上的应用场景，覆盖2~14GHzRF带宽。　　▎核心性能指标　　适用场景　　IF频率在500MHz以上的标准中频应用，如5G微波回传、C/X/Ku波段探测、卫星通信调制解调器等。片上集成IF巴伦，无需外部巴伦器件，进一步减少外围元件数量。　　实测性能曲线　　下图展示了CLMX5549E在下混频模式下，全频段(4~15GHz)的变频损耗与IIP3随RF频率的变化曲线。在25℃典型温度下，变频损耗稳定在10~15dB范围内，IIP3保持在23~27dBm的高线性度水平，充分体现了纯CMOS工艺的高性能优势。　　图2. 下混频变频损耗与IIP3 vs RF频率(LO功率=0dBm，IF=100MHz，25℃/55℃/85℃/125℃)　　线性度与端口隔离度　　CLMX5549E具备出色的线性度和端口隔离性能。输入P-1dB在IF全频段内保持在13dBm以上，IF端口对RF和LO的隔离度分别优于45dB和55dB，有效抑制了信号泄漏和本振馈通。　　图3. 输入P-1dB vs IF频率　　图4. IF端口隔离度 vs IF频率(IF-RF / IF-LO)　　选型建议：IF频率在500MHz以下，或需要差分IF接口的场景，首选CLMX5548E;IF频率在500MHz以上、追求使用便捷性的场景，推荐CLMX5549E。两者均支持上/下变频、LO倍频器可选、双向RF/IF端口互换等灵活配置。　　核芯互联 · 让射频设计更简单　　CLMX5548E与CLMX5549E以纯CMOS工艺实现高性能宽带混频功能，集成片上巴伦与LO驱动链路，以极小封装和极简外围，帮助工程师快速构建5G通信、探测感知、卫星链路等射频系统。核芯互联将持续深耕射频芯片领域，为客户提供更多高品质、高性价比的国产化射频解决方案。

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发布时间：2026-05-20 09:24 阅读量：347 继续阅读>>

低空经济背后的“隐形翅膀”：捷捷微电<span style='color:red'>MOS</span>FET如何破解无人机电调温控与效率难题？

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低空经济背后的“隐形翅膀”：捷捷微电MOSFET如何破解无人机电调温控与效率难题？

　　当植保无人机在低空穿梭喷洒，当物流无人机承载重物精准投递，很少有人注意到——决定它们能否“飞得稳、活得久”的核心，藏在指甲盖大小的MOSFET里。　　作为无人机电调(ESC)的“动力开关”，MOSFET的性能直接决定了整机效率、温升与可靠性。近日，捷捷微电披露了其无人机专用MOSFET系列的技术细节与应用成果。今天，小编带你看懂这颗“隐形芯片”如何撑起低空经济的半边天。　　电调：无人机的动力心脏　　无人机飞行中，电机转速每秒可调数十次。电调负责将电池的直流电逆变为三相交流电，并精准控制电流大小——而这一过程的核心执行者，正是MOSFET功率器件。　　在启动、急刹、俯冲等极端工况下，电调瞬间电流可达额定值的3-5倍。此时，MOSFET不仅要承受高压大电流，还要尽可能减少自身发热(导通损耗)。一旦失控，轻则炸机，重则引发电池起火。　　这些场景最依赖MOSEFT　　不同无人机对功率器件的需求差异显著，捷捷微电梳理了主流机型的应用关联度：　　数据显示，消费级多旋翼与农业植保无人机占据了MOSFET用量的70%以上。随着无人机向“大载重、长续航”演进，电调功率从数十瓦跃升至数千瓦，这对MOSFET的功率密度、开关特性和散热设计提出了更高要求。　　针对上述痛点，捷捷微电推出了覆盖30V-1700V的全电压系列MOSFET/SiC方案，并通过三大核心技术实现突围：　　1.第四代(G4)40V低压SGT MOSFET　　性能超越国内竞品　　这是当前无人机市场的“绝对主力”(市占率70%)。捷捷微电G4系列通过晶圆结构优化+封装工艺升级，实现了两大突破：　　· 更低损耗：RSP(单位面积导通电阻)、FOM(品质因数)等关键参数行业领先，对比国内竞品功耗降低约5%-10%;　　· 更强鲁棒性：UIS(单次雪崩能量)耐受能力优于国际大厂同级产品，极端工况下不易损坏。　　进阶预告：性能更优的第五代(G5)平台已在验证中，产品性能达到行业领先水平。　　2.先进封装技术　　向"热"与"密"要性能　　当晶圆性能逼近物理极限，封装成了提升功率密度的关键：　　· 5×6 全Clip封装：取代传统打线，寄生电感降低30%，电流承载能力提升20%;　　· 双面散热(PowerJE 5x6)/顶部散热(PowerJE 5x7)：针对高密度板卡设计，散热效率提升15%以上，解决无人机狭小空间内的“热积聚”难题。　　3.高可靠性验证　　作为IDM企业，捷捷微电实现了晶圆自主可控，产品一致性远超代工模式。目前，其MOSFET已通过多家头部无人机客户的飞行测试与量产验证，在高温、振动、潮湿等极端环境下表现稳定。　　捷捷微电在终端客户协同下，以主打型号JMSH04007G4L(40V/334A)为例，将其与某国际大厂主流产品(竞品A)进行了对标测试：　　捷捷微电VS某国际大厂主流产品　　结论：在核心指标上，捷捷微电G4系列已实现对国际大厂的直接对标，部分参数甚至更优，且具备更高的性价比与供货保障。　　经过市场验证，捷捷微电产品在无人机严苛的功率控制场景中展现了优异的长期稳定性和极具竞争力的性价比，帮助客户在激烈的市场竞争中赢得先机。针对不同功率等级的无人机，捷捷微电提供了丰富的型号选择：　　捷捷微电产品选型表　　低空经济风口已至，功率半导体的竞争才刚刚开始。捷捷微电正以“晶圆迭代+封装创新”双轮驱动，为无人机厂商提供更高效、更可靠的动力解决方案。

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发布时间：2026-05-18 11:22 阅读量：333 继续阅读>>

ROHM开发出第5代SiC <span style='color:red'>MOS</span>FET，高温下导通电阻可降低约30%！

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ROHM开发出第5代SiC MOSFET，高温下导通电阻可降低约30%！

　　中国上海，2026年4月21日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，开发出新一代EcoSiC™——“第5代SiC MOSFET”，该产品非常适用于xEV(电动汽车)用牵引逆变器*等汽车电动动力总成系统以及AI服务器电源和数据中心等工业设备的电源。　　ROHM在开发第5代SiC MOSFET的过程中，通过改进器件结构并优化制造工艺，与以往的第4代产品相比，成功地将功率电子电路实际使用环境中备受重视的高温工作时(Tj=175℃)的导通电阻降低约30%(相同耐压、相同芯片尺寸条件下比较)。在xEV用牵引逆变器等需要在高温环境下使用的应用中，该产品有助于缩小单元体积，提高输出功率。　　第5代SiC MOSFET已于2025年起先行提供裸芯片样品，并于2026年3月完成开发。　　另外，ROHM计划从2026年7月起开始提供配有第5代SiC MOSFET的分立器件和模块的样品。未来，ROHM将进一步扩大产品阵容，同时完善设计工具，并强化针对应用产品设计的支持体系。　　<开发背景>　　近年来，在工业设备领域，随着生成式AI和大规模数据处理技术的普及，用于AI处理等的高性能服务器的引进速度不断加快。由于这类应用的功率密度不断提高，引发了业界对电力系统负荷加重以及局部供需紧张的担忧。作为解决这一难题的对策，将太阳能等可再生能源与供电网络等相结合的智能电网备受关注，但能源转换和蓄电过程中的损耗降低仍是一大挑战。在车载领域的下一代电动汽车中，除了延长续航里程和提升充电速度之外，还要求进一步降低逆变器损耗、提升OBC(车载充电器)性能。因此，在上述数千瓦到数百千瓦级大功率应用中，能够实现损耗降低与高效化兼顾的SiC器件正在加速普及。　　ROHM于2010年在全球率先开始量产SiC MOSFET，并很早就推出了符合车规级可靠性标准(AEC-Q101)的产品群，通过将SiC广泛应用于各种大功率应用中，助力降低能源损耗。此外，第4代SiC MOSFET于2020年6月开始提供样品，并在SiC的普及阶段就推出了分立器件和模块等丰富多样的产品阵容，目前已在全球车载设备和工业设备领域得到了广泛应用。此次ROHM开发出的第5代SiC MOSFET实现了业界超低损耗，将进一步扩大SiC的应用领域。　　未来，ROHM计划进一步扩充第5代SiC MOSFET的耐压和封装阵容，同时，通过推动已进入普及阶段的SiC在各个领域的实际应用，为提高各种大功率应用的电能利用效率持续贡献力量。　　<应用示例>　　车载设备：xEV用牵引逆变器、车载充电器(OBC)、DC-DC转换器、电动压缩机　　工业设备：AI服务器及数据中心等的电源、PV逆变器、ESS(储能系统)、UPS(不间断电源)　　eVTOL、AC伺服　　<关于“EcoSiC™”品牌>　　EcoSiC™是采用了因性能优于硅(Si)而在功率元器件领域备受关注的碳化硅(SiC)的元器件品牌。从晶圆生产到制造工艺、封装和品质管理方法，ROHM一直在自主开发SiC产品升级所必需的技术。另外，ROHM在制造过程中采用的是一贯制生产体系，目前已经确立了SiC领域先进企业的地位。　　EcoSiC™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。　　<术语解说>　　*) 牵引逆变器　　电动汽车的驱动电机采用的是相位差为120度的三相交流电驱动。将来自电池的直流电转换为交流电以实现这种三相交流电的逆变器即牵引逆变器。

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发布时间：2026-04-22 09:07 阅读量：533 继续阅读>>

维安双面散热<span style='color:red'>MOS</span>FET：大功率应用首选

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维安双面散热MOSFET：大功率应用首选

　　随着智能硬件产品快速迭代，MOSFET 小型化、高功率密度、低功耗已成为核心发展趋势。　　新能源汽车与 AI 服务器的爆发式增长，进一步推动了各类新型PowerPack 一体化功率模块的快速发展。30V–100V 低压大功率 MOSFET应用需求持续旺盛，功率和散热成为一大难点。　　维安推出双面散热 MOSFET ，通过封装创新进一步优化散热性能，推动器件整体方案升级。　　双面散热与顶部散热：　　1.两种散热方式在散热器端都需要进行绝缘处理。　　2.双面散热的冷却效果最好。　　3.顶部散热冷却效果次之，但背部可以放置元器件。　　传统PDFN56使用底部散热时，MOSFET 产生的大部分热量只会传递到 PCB，由于其热阻大，因此 PCB 温度会升高。　　PDFN56双面散热DSC增加了另一条散热路径(底部通过 PCB 散热，顶部通过外露铜夹片和散热片散热)，以快速消散 MOSFET 芯片中产生的热量，通过热仿真得出，约有 30% 的热量通过顶部传递，而传递到 PCB 的热量明显减少。　　双面散热封装设计，与传统PDFN5060相比，显示更优的Thermal能力：　　1.Rthjc_Bottom 改善10%　　2.Rthjc_Top 改善将近 23%　　3.Rthja 改善将近3.5倍　　空气自然对流(顶部无散热片)器件温升对比：　　*在顶部无散热片的情况下，采用PDFN56双面散热较传统的PDFN56底部散热，至少可以降低近9℃。　　顶部加散热片器件温升对比：　　* 顶部增加散热片，用热电偶测量散热片贴合器件顶部的位置，此时将器件和散热片视为一个系统，整体的温升用来和顶部无散热片进行对比分析，具体分析数据如下：　　*采用PDFN56双面散热，可以将大于30%的热量通过顶部散热片传导出去，较传统的PDFN56底部散热的热传导提升了近28%，可以更好的保障器件温度平衡，提升可靠性及稳定性。　　1/ 双面散热　　2/ 顶部散热　　产品特点　　WAYON 双面散热MOSFET　　卓越的品质因数(FOMs)　　业界领先低导通电阻　　高可靠性、高品质　　先进的厚铜clip技术　　封装兼容传统 PDFN5060 & LFPAK5060　　热性能改善将近3.5倍　　典型应用　　WAYON 双面散热MOSFET　　BMS　　高性能开关电源DC转换与整流　　机器人关节电机驱动　　无人机电调　　成功案例　　典型应用AGV(电机驱动器)　　型号：WMBD030N10HG4　　项目背景　　一、系统电压48V，充饱和电压60V，考虑到反电动势，客户要求选用100V产品;由于最大相电流52A，堵转电流为最大电流1.3倍;　　二、MOS测试条件：考虑到电机堵转(类似举重物达到最大扭矩，速度最低的时候)，MOS需要在这个条件下持续2秒时间不失效。　　项目结果　　在新一代机型上，所开发的双面散热产品WMBD030N10HG4，客户已测试OK，开始批量应用。

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发布时间：2026-04-21 10:26 阅读量：527 继续阅读>>

4月研讨会报名中！ROHM Nch LV <span style='color:red'>MOS</span>FET：赋能AI服务器，解锁高效电源新方案

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4月研讨会报名中！ROHM Nch LV MOSFET：赋能AI服务器，解锁高效电源新方案

　　随着AI服务器等应用对功率密度和能效的要求不断提升，低压MOSFET的导通损耗与开关损耗成为设计关键。ROHM长期深耕于此领域，致力于相关产品和技术的持续创新，其中多个产品系列已广泛应用于AI服务器电源、工业电源管理等对能效与可靠性要求严苛的场景，为客户提供领先的导通电阻性能和灵活的封装解决方案。　　本次研讨会将介绍ROHM的N沟道低压MOSFET产品，涵盖工艺、封装技术、产品阵容等，并会重点介绍ROHM面向服务器应用提出的解决方案。扫描海报二维码，即可报名，参与还有机会赢取精美礼品!　　一、研讨会概要　　1. ROHM LV MOSFET的目标市场和应用　　2. ROHM LV MOSFET的结构和封装工艺　　3. ROHM LV MOSFET的技术路线图和产品/封装阵容　　4. 面向服务器应用的解决方案和新产品介绍　　二、研讨会主题　　ROHM Nch LV MOSFET产品介绍　　三、研讨会时间　　2026年4月22日上午10点　　四、研讨会讲师洪梓昕(工程师)　　负责面向包括工控、民生、车载等各领域的分立器件产品的推广，涉及功率器件和小信号器件等产品，为客户进行选型指导和技术支持。　　五、官方技术论坛　　不仅是Webinar相关内容，所有ROHM的产品和技术都可以在“ROHM官方技术论坛(ESH)”向ROHM的工程师直接提问。期待您的使用!　　点击下方链接查看：https://app.jingsocial.com/track/generalLink/linkcode/71dd37d853a951ef7605e86fdf3faab0/mid/858　　相关产品页面　　· 适用于AI服务器48V电源热插拔电路的100V功率MOSFET： https://ameya360.com/hangye/113949.html　　· 适用于AI服务器等高性能服务器电源的MOSFET：　　https://ameya360.com/hangye/113215.html　　· 安装可靠性高的10种型号、3种封装的车载Nch MOSFET：　　https://ameya360.com/hangye/112418.html　　相关产品资料　　适用于AI服务器的兼具业界超宽SOA范围和超低导通电阻的MOSFET：　　https://qiniu-static.geomatrixpr.com/rohmpointmall/public/static/uploads/log/20250606/bcb29836697daa064cd22046dae6f566.pdf　　ROHM面向AI服务器800VDC构成解决方案：　　https://qiniu-static.geomatrixpr.com/rohmpointmall/public/static/uploads/log/20260323/072cee71ab4d82fd1e5462220f70c8ee.pdf　　低导通电阻Nch 功率MOSFET(铜夹片型)RS6xxxx系列/RH6xxxx系列：　　https://qiniu-static.geomatrixpr.com/rohmpointmall/public/static/uploads/log/20230626/fda088792d480a97f7768835115ff87f.pdf　　好礼来袭　　互动礼　　观看研讨会并参与提问即有机会获取U型枕1个，共计15份。　　宣传礼　　转发研讨会文章/海报，同时将截图私信至罗姆微信公众号即有机会获取精美礼品1份。　　专业微信群　　拓展坞(30份)　　微信朋友圈　　桌面风扇(20份)　　邀约礼　　分享本次研讨会，邀请5位好友报名，并将好友报名手机号分享至罗姆公众号后台，即有机会获取30元京东卡1份，共计20份。　　注意事项　　1. 请注意，想获得以上好礼都需要报名研讨会并关注“罗姆半导体集团”微信公众号(微信号：rohmsemi)。　　2. 每位用户仅可领取一种奖品，报名信息须真实有效。　　3. 活动最终解释权归罗姆半导体集团所有。

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发布时间：2026-04-10 09:29 阅读量：523 继续阅读>>

Littelfuse推出用于大电流、高隔离应用的CPC1343G Opto<span style='color:red'>MOS</span>®固态继电器

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Littelfuse推出用于大电流、高隔离应用的CPC1343G OptoMOS®固态继电器

　　Littelfuse宣布推出CPC1343G OptoMOS®固态继电器，一款紧凑的常开(1-A型)OptoMOS继电器，专为要求苛刻的工业、医疗和仪器仪表应用中的高可靠性开关而设计。　　CPC1343G基于Littelfuse OptoMOS技术，结合了900mA连续负载电流、60V阻断电压和增强的5000VRMS输入到输出隔离，旨在节省空间的4引脚封装中满足严格的安全和合规要求。快速切换性能(4ms导通和1ms关断)可在现代电子系统中实现精确控制，而3mA的低最大LED驱动电流确保在不增加接口电路的情况下与TTL和CMOS逻辑兼容。　　CPC1343G专为恶劣的作环境而设计，支持-40°C至+105°C的扩展环境温度范围，超过了许多同类竞争SSR常见的+85°C限制。其固态结构可消除机械磨损，提供安静、免维护的运行和长期可靠性，而机电继电器往往无法做到这一点。　　针对安全性、效率和空间受限的设计进行了优化　　CPC1343G的最大导通电阻为0.8Ω，可在较高负载电流下最大限度地降低功率耗散并改善热性能。该器件提供通孔DIP-4和表面贴装两种配置，简化了PCB布局，并实现了跨工业和医疗平台的灵活制造选择。　　“随着CPC1343G的推出，我们将为客户提供一款高性能固态继电器，它结合了强化隔离、快速切换和扩展温度能力。”Littelfuse产品营销经理Hugo Guzman博士表示。“该解决方案可解决空间受限设计中的关键可靠性和安全性挑战，帮助工程师减少维护、提高系统稳健性并加快产品上市速度。”　　包装和订购选项　　CPC1343G系列包括多种封装选择，针对不同的组装和体积要求进行了优化：　　目标市场和应用　　CPC1343G非常适合需要高隔离、快速响应和高温下可靠运行的应用，包括：　　· 工业控制系统和自动化　　· 需要患者与设备隔离的医疗设备　　· 仪器、数据采集和多路复用· 自动测试设备(ATE)· 公用事业和智能计量系统　　CPC1343G将高负载电流能力、强化隔离和紧凑封装相结合，扩展了Littelfuse OptoMOS产品组合，并为设计人员提供了适用于下一代电子系统的合规开关解决方案。　　常见问答：了解更多关于这些大电流OptoMOS固态继电器的信息。　　1. CPC1343G与传统机电继电器有何不同?　　与机电继电器不同，CPC1343G没有活动部件，可在高温下实现静音、免维护的运行，切换速度更快，隔离性能更高，可靠性更高。　　2. CPC1343G与同类固态继电器相比有何不同?　　它可提供更高的连续负载电流(900mA相对于~550mA)、更低的导通电阻(0.8Ω相对于~2.5Ω)，工作温度高达+105°C，从而提供更好的热性能和能效。　　3. CPC1343G是否与低功耗控制逻辑兼容?　　是的。该器件所需的最大LED驱动电流仅为3mA，使其与TTL和CMOS逻辑完全兼容，无需额外的驱动器。　　4. 哪些应用最能从CPC1343G的强化隔离中受益?　　5000VRMS强化隔离可支持严格的安全和监管要求，医疗设备、工业控制、仪器仪表和计量应用可获益。　　5. 有哪些包装选择?　　CPC1343G提供通孔DIP-4和表面安装封装，包括用于自动化大批量生产的卷带选项。

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发布时间：2026-03-17 09:42 阅读量：839 继续阅读>>

ARK（方舟微）:耗尽型<span style='color:red'>MOS</span>FET赋能传感变送：以智能变送器和压力传感器为例

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ARK（方舟微）:耗尽型MOSFET赋能传感变送：以智能变送器和压力传感器为例

　　01 产品特点　　▲ N沟道耗尽型(Normally-on)　　▲ 优异的热稳定性　　▲ 极低的泄漏电流　　▲ 开关速度快　　▲ VGS(off)：-2.9V～-1.8V　　▲ 低导通电阻：RDS(on)<6Ω　　02 产品应用　　● 智能变送器　　● 传感器　　● 汽车电子　　● 充电桩　　● 非隔离线性电源　　● 恒流源　　● 常闭开关　　03 典型应用及产品优势　　Ø典型应用　　在智能变送器、压力传感器等各类传感变送方案的数模转换电路中，常使用耗尽型MOSFET给DAC芯片供电并提供过压保护，典型电路方案如下：　　Ø使用耗尽型MOSFET的优势　　★ 可直接将较高环路电压转换为稳定的低电压。　　★ DAC芯片供电电压降低，可有效降低功耗，有利于长期稳定运行。　　★ 耗尽型MOSFET能在复杂的电磁环境中抵抗较大的瞬变电压干扰，有效抑制电路浪涌，为DAC芯片提供过压保护。　　04 选型推荐　　在环路供电型4~20mA数模转换器(DAC)的供电及保护方案中，ARK(方舟微)研发的DMZ42C10S、DMX1072、DMX4022E可对Infineon的BSS169实现Pin-to-Pin替代，产品主要参数如下：

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发布时间：2026-02-28 14:31 阅读量：736 继续阅读>>

车载无线充电新标杆：捷捷微电车规级<span style='color:red'>MOS</span>助力智己50W前装模块

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车载无线充电新标杆：捷捷微电车规级MOS助力智己50W前装模块

　　近日，智己汽车在前装车载无线充电领域实现重要突破，其推出的50W车载无线充电模块凭借高效率、高兼容性与稳定可靠的性能，为用户带来“上车即充、满电出发”的便捷体验。在这款集成NFC识别、智能温控与多线圈切换的先进模块中，捷捷微电多款符合AEC-Q101车规标准的MOS被关键性采用，分别在供电控制、同步升降压、谐振电容切换及线圈切换等核心电路中担任重要角色，为系统的稳定运行与高效电能转换提供坚实基础。　　多路协同　　精准赋能无线充电系统　　在智己50W车载无线充电模块中，捷捷微电提供了覆盖多环节、多电压等级的MOS解决方案，形成系统级协同支持：　　供电控制开关管 JMPL1050AUQ　　作为系统输入电源的管理开关，该PMOS具备-100V耐压与38mΩ低导阻，可有效承载车载电源的波动，并在模块待机与工作时实现高效、低损耗的通断控制，提升整机能效。　　同步升降压开关管 JMSL0406AUQ　　该NMOS具有40V耐压与仅4.5mΩ的导阻，在升降压电路中承担高频开关任务，其低导通损耗与快速开关特性有助于提高电压转换效率，确保在不同输入电压下为无线充电功率级提供稳定电能。　　电容与线圈切换开关管 JMSL1018AUQ　　采用100V耐压与16.2mΩ导阻设计，该器件在谐振网络电容切换及多线圈选择电路中发挥关键作用。其高耐压能力可应对谐振过程中的电压应力，低导阻则有助于降低通路损耗，提升无线传输的整体效率与稳定性。　　车规级可靠性为前装应用保驾护航　　所有选用器件均通过AEC-Q101车规认证，满足汽车电子在温度、振动、湿度及长期可靠性方面的严苛要求。　　在封装方面，全线产品采用紧凑型PDFN3×3-8L或类似小型化封装，既有利于高密度布线，也具备良好的散热特性，契合车载无线充电模块对空间与热管理的双重需求。　　携手高端汽车品牌共创智能座舱能源体验　　智己50W前装无线充电模块的成功量产，是捷捷微电MOS管在车载电力电子领域获得认可的又一标志。随着智能座舱对高功率、高效率、高集成度无线充电需求的不断提升，捷捷微电将持续提供符合车规、性能优异的功率器件，助力汽车电子客户实现更安全、更可靠、更智能的车内能源管理方案。

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捷捷微电

发布时间：2026-02-25 16:32 阅读量：835 继续阅读>>

一文带你了解荣湃半导体“光<span style='color:red'>MOS</span>”产品大家庭

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一文带你了解荣湃半导体“光MOS”产品大家庭

　　光MOS,也称光继电电路(PhotoMOS),是一种采用MOS管作为输出元件的光电耦合型半导体继电器。其由LED光源与光电二极管阵列组合构成，通过光电转换将光信号转换为MOS管栅极驱动信号，实现输出端无触点开关控制，主要应用于通信设备、测量仪器、医疗设备及工业机械的负载控制领域。　　相比于机械继电器，光MOS产品具有无机械磨损、长寿命、高速开关等特性，支持高频动作与小型化设计。但光MOS本质上属于光电耦合器件，具有以下显著缺点：　　温度敏感性强，工业和汽车高温环境(如85℃以上)易出现电流传输比(CTR)下降，导致信号丢失;　　寿命有限，LED存在光衰问题，长期使用(5年以上)可靠性下降。　　正是由于耐高温和光衰老化问题，光耦器件很少被用于汽车应用中。直到新能源汽车BMS发展，光MOS产品在当时才不得不应用在高压绝缘检测电路中。虽然作为车规产品应用其高温特性和寿命问题持续有所改善，但其固有的本质属性问题无法从根本上得到解决。　　为了从根本上解决以上问题，荣湃半导体陆续推出了基于磁隔和容隔技术的高压隔离开关产品。虽然荣湃半导体推出的高压隔离开关产品与光MOS在原理上完全不同，但为了应用延续性和市场可接受度，仍称为“光MOS”产品。表 1 荣湃半导体光 MOS 产品系列　　Pai8558EQ　　Pai8558EQ是荣湃半导体推出的第一款光MOS产品，其采用平面变压器隔离高压干扰，原副边线圈间填充聚酰亚胺(临界击穿场强0.3MV/cm)。通过AEC-Q100车规认证和VDE0884-17加强绝缘认证，已在客户端大批量出货。　　Pai8559EQ　　Pai8559EQ是在Pai8558EQ的基础上，将副边侧耐压能力从1500V提升到1700V，满足系统高压不断增大的应用场景。　　Pai8558Q　　为了改善电磁干扰(EMI)性能，特别是满足日趋严格的辐射干扰(RE)标准测试，荣湃半导体推出了基于电容隔离技术的光MOS产品Pai8558Q，其原副边耐压仍可达5000Vrms，通过VDE0884-17基本绝缘认证。详细的EMC测试结果可通过相关渠道向荣湃半导体销售工程师咨询。　　图1是典型的以车身地作为参考地的绝缘检测方案，其中Risop是等效的高压电池正端到车身地的绝缘阻抗，Rison是等效的高压电池负端到车身地的绝缘阻抗。S1和S2是高压隔离开关，分别串在正端和负端电阻分压网络上，可以选用荣湃半导体推出的光MOS产品。电阻R1~R4是电阻分压网络，得到合适的电压给到ADC进行采集。通过S1和S2间隔开关切换，可以通过ADC读到不同的电压，联立方程组，即可计算得到绝缘等效阻抗Risop和Rison。图 1 以车身地作为参考地的绝缘检测原理图　　国际标准《ISO 6469-3:2021 Electrically propelled road vehicles — Safety specifications Part 3: Electrical safety》以及国家标准《GB/T 18384.3-2015 电动汽车安全要求第3部分：人员触电防护》规定的耐压测试要求如下：　　将控制器所有高压连接器Pin脚连接在一起，将所有低压连接器Pin脚连接在一起，在高压和低压Pin脚之间施加频率为50Hz~60Hz的(2U+1000)V(rms)的交流测试电压，或者等效的直流测试电压，持续时间1min，如图2为标准的控制器耐压测试示意图。　　图 2 标准的控制器耐压测试示意图　　譬如对于500V高压电池系统，施加的交流测试电压即为2000Vrms，或者直流电压2828V;同样地，对于800V高压电池系统，施加的交流测试电压即为2600Vrms，或者直流电压3676V。为了满足耐压测试，系统应用中常需要在高压与低压地之间串入干簧继电器，用以保护光MOS器件，如图3中的干簧继电器S3。图3 采用干簧继电器作为保护的绝缘检测示意图　　此外，在高压储能应用中，电池电压越来越高，1200V和1500V高压电池系统越来越普遍，原先1500V及1700V的光MOS产品已不再适用。　　在以上两个背景下，荣湃半导体果断推出了副边耐压3300V的光MOS产品Pai855AEQ。这款3300V光MOS产品给方案设计带来极大的系统优势：　　新能源汽车500V或800V应用：因为该产品可承受耐压测试，不再需要干簧继电器，系统成本更低、可靠性更高。可参照表2使用荣湃半导体光MOS产品进行硬件配置。　　1200V以上的高压储能应用：使用Pai855AEQ作为绝缘检测开关管，对应图3中的S1和S2。　　当然，光MOS产品还广泛应用于电池管理系统高压采样电路中，以降低整车漏电流。基于对新能源汽车高压采样和绝缘检测应用的理解，荣湃半导体还将继续完善“光MOS”产品矩阵，即将推出新家庭成员，敬请期待。

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荣湃

发布时间：2026-02-03 10:22 阅读量：848 继续阅读>>

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BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
MC33074DR2G	onsemi
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
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STM32F429IGT6	STMicroelectronics
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