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ROHM推出支持10Gbps以上高速I/F的ESD保护二极管

　　2026年4月2日,全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)宣布，推出兼具业界超低动态电阻(Rdyn)*1和超低电容特性的ESD(静电放电)保护二极管*2“RESDxVx系列”。该系列产品适用于需要高速数据传输的众多应用领域。　　近年来，在工业设备和车载市场，高速信号传输的普及与电子设备的小型化、高性能化趋势日益显著。相应地，系统(电路板、模块)层面对所需的ESD防护措施要求越来越严苛。另一方面，随着多功能化、高性能化、微细化技术的发展，IC对电气过载(EOS)和静电放电(ESD)的耐受能力呈下降趋势。因此，对于兼具“低电容(抑制高速通信时的信号劣化)”和“凭借低动态电阻实现出色IC保护性能”的外置ESD保护器件的需求与日俱增。尤其是在10Gbps以上的下一代通信中，微小的寄生电容差异都会对通信波形产生重大影响。然而，降低寄生电容与动态电阻之间存在此消彼长的权衡关系，因此如何兼顾通信质量和IC保护，成为亟待解决的课题。　　对此，ROHM推出了能够解决这一课题、并支持更高速通信的RESDxVx系列产品，新产品不仅实现更低电容，还实现更低的动态电阻。超过10Gbps的高速通信接口，需要可将信号劣化控制在更低且具备出色IC保护性能的ESD保护二极管。新产品实现引脚间电容*3仅为0.24pF(双向)和0.48pF(单向)的超低电容特性。同时，与该特性存在权衡关系的动态电阻也降低至0.28Ω。与普通产品相比，其钳位电压*4降低了约40%，确保了优异的IC保护性能。　　这些优势有助于提高各种高速数据通信设备(例如AI服务器和5G/6G通信设备等工业设备，笔记本电脑和游戏机等消费电子产品)的可靠性。另外，DFN1006-2W封装的“RESDxVxBASAFH”和“RESDxVxUASAFH”符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101的要求，还适用于采用SerDes*5通信的ADAS(高级驾驶辅助系统)、AD(自动驾驶)摄像头以及ECU(电子控制单元)等应用。　　新产品已于2026年3月开始量产(样品价格70日元/个，不含税)，并已经开始网售，可通过AMEYA360商城购买，如有需要请联系AMEYA客服。　　ROHM今后将继续扩充低电容ESD保护二极管和TVS二极管的产品阵容，助力AI服务器、通信基础设施、自动驾驶系统等电子技术的发展，为实现安全、安心且舒适的数字社会贡献力量。　　<产品阵容>　　<应用示例>　　适用于支持USB4、USB3.x、Thunderbolt 4、HDMI、DisplayPort、PCI Express、LVDS、MIPI D-PHY/C-PHY、车载SerDes以及车载以太网(10/100/1000Mbps)等各种接口的设备。　　◆工业设备：AI服务器、数据中心、路由器、光模块、5G/6G通信基站、FA设备用摄像头等　　◆消费电子：PC、服务器、USB加密狗、智能手机、平板电脑、游戏机、影音设备、通信天线等　　◆车载设备：ADAS(高级驾驶辅助系统)/AD(自动驾驶)/全景影像系统/倒车影像系统用的摄像头、车载信息娱乐系统、车身控制ECU、中控台(影音系统、显示屏)等。　　<网售信息>　　开始销售时间：2026年3月起　　新产品在AMEYA360商城将逐步发售。　　<术语解说>　　*1) 动态电阻(Dynamic Resistance)　　表示ESD保护二极管在保护IC时，其电压随电流变化的增量程度的指标，又称“交流电阻”。该值越小，表示即使流过相同的放电电流时，也能将引脚电压的上升幅度控制得越低，从而减轻IC承受的电气应力，提高保护性能。　　*2) ESD保护二极管　　用来保护电路免受过电压、浪涌和ESD(Electro-Static Discharge：静电放电)影响的半导体器件。通过吸收突发的电压和电流尖峰(浪涌)，来防止电路损坏和误动作。在车载环境中，对于电气方面发生严重波动时的保护至关重要。　　*3) 引脚间电容(Capacitance Between Terminals)　　电子元器件中产生的不必要的电容分量。如果引脚间电容较大，高速通信时信号就会劣化，因此在车载通信应用中降低引脚间电容非常重要。　　*4) 钳位电压　　ESD保护二极管抑制浪涌等引起的过电压时电路内维持的电压。该电压越低，越可以有效地保护电路和设备，从而提高车载设备的可靠性。　　*5) SerDes　　成对使用IC实现大容量数据高速传输的通信方式。信息发送端的串行器(Serializer)将多个数字信号数据转换为一个高速串行信号发出，信息接收端的解串器(Deserializer)则将其还原为原始数据。因其能以数Gbps至数十Gbps的速度高速传输大量数据，而被广泛应用于PC、服务器及车载摄像头系统等的高速接口。

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ROHM

发布时间：2026-04-02 15:58 阅读量：315 继续阅读>>

上海永铭丨汽车E<span style='color:red'>PS</span> 助力转向电容如何选型？实测135℃下低ESR铝电解电容对母线纹波抑制与寿命的影响

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上海永铭丨汽车EPS 助力转向电容如何选型？实测135℃下低ESR铝电解电容对母线纹波抑制与寿命的影响

　　引言　　随着汽车电子电气架构的集中化，EPS(电动助力转向)作为功能安全件，对供电母线的稳定性提出了极高要求。在最新一轮的高温耐久测试中，某项目在原地转向及低速大负载工况下出现电压跌落，最终定位为DC-Link母线电容在高温高纹波下的性能衰减。　　本文将回到EPS控制器的物理层，探讨在VBAT输入端及DC-Link位置，液态铝电解电容的ESR、漏电流及高温寿命参数如何影响系统鲁棒性，并结合实测数据提供选型参照。　　EPS的工况边界：为什么通用电容在这里会失效　　EPS控制器的负载特性属于典型的间歇性重载：　　电气应力：低速泊车、原地转向时，电机电流急剧增大，导致DC-Link母线出现高纹波电流冲击。　　热应力：控制器往往集成在发动机舱或转向管柱附近，环境温度高，电容核心温升加剧。　　失效物理：高温加速电解液挥发，导致等效串联电阻(ESR)上升;ESR上升又进一步导致纹波发热，形成正反馈，最终表现为容量衰减、漏电流剧增，母线稳压能力丧失，引发控制器欠压保护。　　因此，EPS场景下的电容选型，需要考察其在135℃高温、3000H加载后的电气参数保持率。　　关键选型指标与实测对照(135℃/3000H条件下)　　针对EPS的DC-Link位置，工程师在选型或替代导入时，应重点锚定以下三个核心指标。我们以永铭LKL(R)系列为例，提供了三家电容厂商在统一测试条件下的数据对比。　　测试条件：统一施加135℃温度负荷，连续运行3000H，测试损耗角正切(DF)、容量变化率(C)、漏电流(LC)。　　1. 损耗角正切(DF)　　DF值直接反映电容在交流纹波下的发热程度。对于EPS这种纹波丰富的场景，更低的DF值意味着更低的自身温升。　　实测数据：　　永铭 LKL(R)系列：平均值6.584　　NCC GPD系列：平均值6.647　　国内某品牌：平均值8.012图1：135℃ 3000H条件下 DF对比图(永铭LKL(R)系列、NCC GPD系列、国内某品牌系列对比)　　2. 容量变化率(C)　　容量衰减意味着母线支撑能力下降，可能导致环路响应漂移。　　实测数据：　　永铭 LKL(R) 系列：衰减控制在 -1%以内　　NCC GPD系列：衰减控制在 -1%以内　　国内某品牌：衰减达到 -2.814%图2：135℃ 3000H条件下容衰(C)对比图(永铭LKL(R)系列、NCC GPD系列、国内某品牌系列对比)　　3. 漏电流(LC)　　漏电流的飙升往往是介质氧化层劣化的前兆，在高温下可能引发系统静态功耗增加或绝缘失效。　　实测数据：　　永铭 LKL(R) 系列：约 6μA　　NCC GPD系列：约 6μA　　国内某品牌：上升至约 743μA图3：135℃ 3000H条件下漏电流(LC)对比图(永铭LKL(R)系列、NCC GPD系列、国内某品牌系列对比)　　为什么永铭LKL(R)系列能匹配EPS的应用需求　　从实测数据反推设计逻辑，永铭LKL(R)系列之所以能对标NCC GPD并满足EPS工况，主要基于以下结构工艺：　　电解液体系：采用无水高电导电解液，这是支撑其在135℃高温下维持低ESR和低漏电流的基础。　　材料匹配：高耐压正极箔配合低密度防护纸，确保在DC-Link母线的高压纹波冲击下，氧化膜形成效率高且损耗小。　　热适配设计：针对EPS大负载工况，优化了芯包结构，使得热量传导路径更短，降低核心热点温度。　　选型指引与可替代方案落地　　对于当前正在使用NCC GPD系列或寻求EPS专用高温长寿命电容的工程师，永铭LKL(R)系列提供了以下规格方案。　　【推荐选型表】　　导入建议：针对具体项目，建议基于实际纹波电流(有效值/峰值)进行温升核算。如需评估热点温度或进行寿命估算，可联系获取详细的规格书与CAD模型。　　客户常见问题答疑　　Q1：我们的EPS项目在高温老化测试中，电容经常是薄弱点，有没有耐温135℃以上、寿命更长的能替代NCC车规级铝电解电容推荐?　　A1：永铭LKL(R) 系列液态铝电解电容，就是针对这类高温、高纹波、高可靠性场景推荐的方案。针对 EPS系统 DC-link 母线电容在高温、高纹波电流条件下性能衰减所带来的控制电压波动与功能故障问题，采用 135℃长寿命、低ESR、高纹波的液态铝电解电容进行优化，并已形成 NCC GPD 系列的国产化替代方案。　　Q2：“为了抑制EPS电机驱动带来的高频噪声，DC-link电容的ESR是不是越低越好?应该如何根据开关频率选择低ESR电容?”　　A2：对EPS这类高纹波、高脉动工况来说，较低 ESR 通常更有利于降低压降、改善纹波并控制自身发热。但工程上不能只看ESR一个指标，还需要结合纹波电流能力、容值、耐压、温升和实际安装空间综合判断。　　Q3：我们目前EPS设计用的是日系GPD/UPW/UPY型号电容，有没有国产型号能直接替代，并且性能相当甚至更好的?”　　A3：永铭YMIN LKL(R) 系列已具备 NCC GPD 系列的实际替代落地案例，并已通过客户测试、进入批量生产。对于具体项目，仍建议结合目标耐压、容值、尺寸、纹波和寿命要求进行一对一选型确认。　　技术摘要　　适用场景：汽车EPS控制器、DC-Link母线、VBAT输入端　　工况锚点： 135℃高温、大纹波电流(原地转向/低速泊车)　　核心指标：低ESR、低漏电、容量衰减小

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永铭

发布时间：2026-03-30 15:34 阅读量：347 继续阅读>>

纳芯微丨AI服务器机架供电架构解析：<span style='color:red'>PS</span>U、BBU 与 CBU 的设计逻辑及关键芯片方案

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纳芯微丨AI服务器机架供电架构解析：PSU、BBU 与 CBU 的设计逻辑及关键芯片方案

　　随着人工智能算力需求的持续增长，数据中心服务器功率密度快速提升，驱动供电架构向更高功率等级与更高可靠性演进。在这一过程中，PSU、BBU 与 CBU 逐步形成协同供电体系，对电源系统的效率、稳定性与系统集成能力提出更高要求。　　围绕服务器供电架构的演进，本文重点解析 PSU 及 BBU、CBU 备电系统的设计逻辑与关键芯片需求。纳芯微基于供电与备电全链路，提供覆盖电流检测、电压采样、驱动控制、通信隔离及电源管理等环节的系统级芯片解决方案，支撑高功率服务器电源系统在效率与可靠性方面实现综合优化。　　1.PSU迈向高压与高功率密度核心供电单元　　在数据中心供电体系中，服务器电源模块(PSU)负责将交流电转换为稳定直流电源。近年来，随着AI服务器功率需求的提升，PSU功率等级也持续升级：从早期3kW、5.5kW级服务器电源模块，逐步发展到面向AI与云计算时代数据与算力中心的8kW、12kW、18kW级别，并进一步提升至面向下一代AI服务器的单体30+kW级PSU。高功率密度电源正在成为新一代数据中心基础设施的重要组成部分。　　随着功率等级的持续提升，大功率PSU输入形式也由传统单相交流变为了三相交流输入，输出电压也从传统的12V升上至48V(54V)或更高的HVDC电压(±400V或800V)，以降低电流并改善系统热设计条件。　　从系统结构来看，服务器PSU通常由功率因数校正(PFC)级和隔离DC/DC变换级构成。输入交流电首先在PFC级完成整流与功率因数校正，并建立稳定的高压直流母线(DC Link);随后通过LLC谐振变换级实现高效率隔离变换，输出稳定的12V、48V(54V)或HVDC电压，为服务器负载供电。　　随着功率密度要求的不断提升，PSU中的功率器件技术路线也在持续升级。宽禁带器件能够显著降低开关损耗，并支持更高开关频率，从而提升系统效率与功率密度。因此，PFC级逐步由传统Si MOSFET向SiC MOSFET演进，而LLC则开始越来越多地采用SiC或GaN器件。　　在此类高功率电源系统中，除了功率器件本身，电流检测、电压采样以及栅极驱动等模拟与隔离器件同样是系统稳定运行的重要基础。　　电流检测模块需要实时监测输入电流、谐振电流以及输出电流，以支持系统闭环控制与保护功能;电压检测模块用于实现母线电压与输出电压的精确采样;而隔离栅极驱动器则负责驱动Si、SiC或GaN功率器件，实现高速开关控制。　　在 PSU中，输入侧、谐振侧、输出侧与备电支路对电流检测的带宽、隔离等要求不同，因此可根据具体节点选择分流器+检测放大器、隔离放大器、霍尔电流传感器等不同实现方式。　　在电流检测方面，纳芯微提供包括NSM201x、NSM211x、NSM204x系列霍尔电流传感器，以及 NSCSA21x、NSCSA24x系列电流检测放大器在内的多种方案，可满足高带宽与高精度电流监测需求，为电源控制环路提供稳定的反馈信号。　　在高 dv/dt 开关环境下，隔离栅极驱动与隔离采样链路的 CMTI、延迟等特性将直接影响系统效率与稳定性。纳芯微提供多款隔离栅极驱动器，其中NSI6601、NSI6601M、NSI6601xE、NSI6801E系列单通道驱动器以及NSI6602V系列半桥驱动器，均可在高 dv/dt 环境下保持稳定驱动能力，适用于SiC与GaN功率器件的高速开关控制。　　此外，在系统电压检测与反馈控制环节，纳芯微提供NSI1400、NSI1300、NSI1200C、NSI1312、NSI1311、NSI1611及NSI36xx系列隔离放大器，以及NSOPA9xxx、NSOPA8xxx、NSOPA610x系列运算放大器，可实现高精度电压采样，为系统控制器提供稳定的反馈信号。通过在电流检测、电压采样及驱动控制等关键节点进行协同设计，可进一步提升服务器 PSU 系统的整体效率与可靠性。　　随着AI服务器功率持续提升，高功率、高效率服务器PSU将成为数据中心电源系统的重要发展方向。围绕功率器件驱动、隔离采样以及精密信号链等关键环节，高性能模拟与隔离芯片也将在下一代数据中心电源架构中发挥越来越重要的作用。　　2.BBU与CBU构建多层级备电体系的关键支撑　　BBU通常由锂电池组和DC/DC电源模块组成。当市电或主电源出现中断时，BBU可在短时间内为服务器系统提供持续供电，通常可维持数分钟，以保障关键数据完成写入，并支持系统安全关机。机架级BBU的输出能力通常需要与对应机架PSU的供电等级相匹配。　　在系统拓扑上，BBU中的DC/DC模块多采用非隔离双向变换结构，以实现电池充放电过程中的双向能量流动。常见实现方式包括多相Buck-Boost结构或四开关Buck-Boost拓扑，并由MCU或数字控制器实现电池管理与能量调度。　　在实际数据中心系统中，BBU与CBU承担的角色有所不同。BBU主要用于应对电源中断场景，提供分钟级持续供电;CBU更偏“毫秒到秒级”的瞬态功率波动的吸收或补偿。　　CBU通常采用超级电容作为储能介质。相比电池，超级电容具有更高功率密度、更快充放电速度以及更长循环寿命，更适合用于短时间功率补偿。　　当服务器负载发生快速变化时，CBU可以在极短时间内释放或吸收能量，从而稳定系统母线电压。在部分应用场景中，CBU也可在短时间掉电情况下提供瞬态能量支撑，保障关键系统状态平稳过渡。　　在系统架构上，CBU同样通过双向DC/DC模块实现超级电容与系统母线之间的能量交换，其拓扑结构通常与BBU类似，多采用Buck-Boost架构，并通过控制器进行动态调节。　　在BBU与CBU系统中，需要对电池或超级电容的电流、电压以及系统运行状态进行实时监测，同时通过驱动电路控制功率器件实现能量转换。因此，电流检测、电压采样以及通信隔离等功能模块是系统稳定运行的重要基础。　　针对上述需求，纳芯微提供多类关键器件解决方案。例如，NSM201x、NSM211x、NSM2311、NSM204x系列霍尔电流传感器，以及NSCSA21x、NSCSA24x系列电流检测放大器可用于电池充放电电流检测;NS800RT1137、NS800RT3025系列MCU可承担系统主控功能，并结合NSI822x、NSI823x、NSI824x、NIRS21、NIRS31系列数字隔离器及NSI1042、NSI1050 隔离 CAN 接口，实现系统通信与隔离控制。　　在辅助电源(AUX power)部分，纳芯微提供覆盖反激与 Buck 拓扑的电源管理芯片，包括 NSR28C4x、NSR284x、NSR2240x、NSR2260x 系列反激电源芯片及即将发布的NSV2801/2系列，以及NSR1143x、NSR1103x系列 Buck 转换器，为控制、驱动、采样及通信模块提供稳定供电支撑，提升服务器供电系统的整体可靠性。　　随着AI服务器功率规模不断提升，备电系统在数据中心供电架构中的作用也愈发关键，通过合理的系统设计与关键芯片协同应用，可以有效提升服务器备电系统的稳定性与安全性。

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纳芯微

发布时间：2026-03-30 09:53 阅读量：485 继续阅读>>

藏不住了！芯讯通12 TO<span style='color:red'>PS</span>新品模组亮相MWC 2026

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藏不住了！芯讯通12 TOPS新品模组亮相MWC 2026

　　MWC 2026以“The IQ Era”为核心主题，聚焦AI与移动通信的深度融合，成为全球科技企业展示核心技术、布局未来赛道的重要平台。展会首日，芯讯通(SIMCom)正式发布新款AI算力模组SIM9650W，不追求极致算力噱头，以12 TOPS的实用算力为核心，结合全场景适配能力，呼应大会AI落地主题，为千行百业智能化转型提供高性价比、可落地的核心解决方案。　　SIM9650W跳出“算力越高越好”的误区，聚焦行业实际需求，兼顾性能与成本，精准解决各行业AI落地过程中的算力适配难题，让AI技术真正走进实际应用场景。　　核心参数亮点　　12 TOPS实用算力核心　　AI算力稳定可达12 TOPS，既能轻松承载安防场景的多路高清视频实时分析、异常行为识别，也能满足工业边缘计算的本地数据推理、设备联动控制，同时适配零售、政务等中小规模AI应用，覆盖从基础智能到中高端算力的多元需求，避免算力浪费，实现性价比最大化。　　强大的多媒体与交互能力　　内置Adreno™ 643 GPU，支持4K视频编解码及双屏异显功能，可流畅支撑VR/AR设备的沉浸式画面渲染、智能座舱的高清显示与多任务运行，让多媒体交互体验更流畅、更稳定。　　高速稳定的全场景连接　　SIM9650W集成了2x2 MIMO Wi-Fi 6E，支持2.4GHz、5GHz和6GHz频段，吞吐量可达3.6Gbps，并集成蓝牙5.2，确保了设备在密集无线环境下的稳定、高速数据传输。无论是智能工厂内设备与云端的实时数据同步，还是商场中客流分析数据的即时上传，都能获得可靠连接保障。　　工业级的可靠性与扩展性　　具备-35℃至+75℃的宽温工作能力，从容应对户外车载、无人零售柜、工业现场等复杂环境挑战。提供包括多路MIPI-CSI摄像头接口、PCIe Gen3等丰富硬件接口，可灵活连接各类外设，适应车载、工业、户外零售等复杂环境。　　12 TOPS可以做什么?　　12 TOPS的AI算力意味着终端设备能够处理更复杂、更实时的人工智能任务，从简单的“看见”迈向“看懂”并能快速反应。　　更精准的实时视觉识别　　在智能零售场景，搭载SIM9650W的智能称重秤或自助结算终端，能同时处理多路摄像头流，瞬间准确识别上百种形状、颜色相似的蔬菜水果或烘焙商品，将结账效率提升数倍。　　更复杂的多模态分析　　在工业质检领域，设备可同步运行外观检测、OCR读取和异常声音分析等多个AI模型，对产品进行全方位自动化检测，提升生产品质与效率。　　更流畅的沉浸式交互　　如头盔或服务机器人，12 TOPS的算力足以支撑实时的SLAM(同步定位与地图构建)、手势识别与物体交互，为用户提供流畅自然的沉浸式体验。　　丰富场景：赋能千行百业智能升级　　SIM9650W能广泛应用于智能零售、智慧工业、智能车载、公共安全及新兴消费电子等多个前沿领域，为客户交付核心价值：　　降低成本，加速上市　　实用的算力配置避免了冗余投入，结合成熟的技术支持，可有效缩短客户产品研发周期，降低综合成本。　　提升产品竞争力　　平衡性能、成本与可靠性，为客户打造更具差异化与竞争力的高性价比终端产品。　　保障稳定易落地　　工业级设计确保复杂环境下的稳定运行，经过验证的算力平台显著降低了AI项目的落地门槛与风险。　　引领端侧AI落地新方向　　未来，芯讯通将持续以行业真实需求为导向，迭代AI模组产品，携手全球合作伙伴，推动AI技术深度融入千行百业。让实用算力成为企业智能化升级的可靠支撑，赋能更多合作伙伴实现高效的AI落地。

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芯讯通

发布时间：2026-03-05 11:13 阅读量：499 继续阅读>>

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美光与Synopsys合作研发DLEP技术，加速汽车和AI行业创新

　　随着人工智能 (AI) 的快速发展，以及汽车行业向集中式计算和分区架构演进，内存市场正在发生重大变化。如今的汽车已成为车轮上的数据中心——需要同时处理来自数十个高分辨率传感器的数据流、运行高级驾驶辅助系统 (ADAS)，并实现沉浸式驾驶舱体验，所有这些都对车载内存的带宽、可靠性和功能安全提出了更高需求。与此同时，车辆和数据中心环境中的 AI 工作负载正在推动实现大量创新应用，不仅需要更多内存，还需要性能更高、更安全、更高效的内存解决方案。　　与这些趋势相伴的，是产品设计周期的大幅缩短。汽车 OEM 厂商和 AI 平台提供商不可能再维持长达数年的产品开发周期;他们需要在几个月内就将新功能推向市场，而无法像以前一样耗时数年。这种紧张的开发周期，让 IP 提供商和内存供应商在早期阶段的深入合作变得愈发重要。这一点在全球半导体 IP 知名厂商 Synopsys 与先进内存技术领军企业美光之间的密切合作上体现得尤为明显。　　Synopsys 的角色：推动下一代内存普及　　随着 SoC 和系统架构的复杂性不断增加，Synopsys 在推动整个行业采用创新内存技术方面发挥着关键作用。Synopsys 拥有广泛的、经过硅验证的 IP 组合，包括用于先进内存接口的完整解决方案：内存控制器和物理层 (PHY)。这些设计模块除了必须支持最新标准外，还必须集成专为汽车和 AI 等要求严苛的行业量身定制的功能，如功能安全、可靠性，以及优化的性能。　　通过与美光合作，Synopsys 提供针对美光前沿 DRAM 优化的预验证和预确认 IP，包括用于 LPDDR5X 的开创性技术——直接链路 ECC 协议 (DLEP)。这种紧密集成可助力 SoC 设计人员缩短产品上市时间、降低开发风险，并支持厂商快速采用最新内存功能，从而带来实际效益。内嵌直接链路 ECC 协议 (DLEP) 的 SoC 内存控制器和物理层　　Synopsys 内存接口 IP 解决方案产品线总监 Brett Murdock 表示：“通过与美光密切合作，将我们经过硅验证的 IP 与美光的 DLEP 内存生态系统相结合，我们正在推动确立针对汽车和 AI 平台的带宽、能效和功能安全新标准。双方携手合作，助力设计人员缩短周期时间、降低风险，从而更快地将具备差异化优势的系统推向市场。”　　什么是 DLEP?为何这种技术很重要?　　DLEP(直接链路 ECC 协议)是内存技术中的一项变革性创新，旨在克服传统内联 ECC(纠错码)方案的性能和效率问题。在传统系统中，内联 ECC 会消耗宝贵的内存带宽和容量，从而导致 AI 和汽车平台的有效性能下降。　　利用 DLEP，可直接在内存控制器和 DRAM 之间运行 ECC，从而释放大量系统级资源，并获得显著收益：　　带宽增加 15–25%：每秒可移动更多数据，对于 AI 推理、传感器融合和实时决策等应用至关重要。1　　容量增加 11%：应用可用内存增加，因为专为 ECC 保留的内存减少。　　功耗降低高达 20%：低功耗对于电动汽车和端侧 AI 设备极其重要。　　增强型功能安全：内置 DLEP 的 LPDDR5X 满足 ISO 26262 ASIL-D 的严格要求，可支持最高水平的汽车安全。　　这些优势相结合，可打造出更快、更安全、更高效的车辆和 AI 系统。例如，下一代 ADAS 平台需要高达 300-500 GB/s 的内存带宽，来实时处理来自数十个传感器和摄像头的数据。DLEP 可满足这一要求，同时还能降低系统成本和复杂性。　　为何高带宽和功能安全对于汽车行业非常重要?　　汽车行业之所以向集中式计算和分区架构转变，是因为现代汽车需要将数十个传统 ECU 整合到数个功能强大的域控制器中。这些控制器必须处理汽车内部发生的所有事件，例如自动驾驶系统和车载信息娱乐系统等。它们通常会在本地运行 AI 模型，以便进行即时决策。为支持这种架构转变，汽车需要具备：　　大量带宽：以支持从激光雷达、雷达、摄像头和车内传感器摄取和处理数据。　　功能安全：确保关键系统(制动、转向、ADAS)即使在车辆发生故障的情况下也能可靠运行。　　能源效率：最大限度提高电动汽车续航里程，减少因硬件发热而带来的限制。使用标准 DRAM 与使用支持 DLEP 的 DRAM 进行 ECC 数据传输的对比　　美光与 Synopsys 合作研发的 DLEP LPDDR5X 专为满足上述需求而设计。在双方的密切合作下，这款内存解决方案不仅能满足 AI 和汽车行业的计算需求，还为这些行业的安全和效率设定了新的标准。　　生态系统合作的重要性　　DLEP 的成功部署，彰显出生态系统合作的力量。Synopsys 与美光从早期开发阶段便携手合作，使 DLEP 能够无缝集成到内存控制器、PHY IP，以及美光的 DRAM 器件中。这种方法可加速客户采用、降低集成风险，并为市场提供经过验证的硅就绪解决方案。　　推动 DLEP 普及　　随着 AI 和汽车系统持续融合，对高性能、安全、高效内存的需求不断飙升。DLEP 是一项突破性技术，能够在所有方面满足这些需求——更高的带宽、更大的容量、更低的功耗，以及强大的功能安全。通过与 Synopsys 合作，SoC 设计人员可以获得业界领先的 IP。该 IP 已在美光的最新内存上进行了预先验证，能够确保更快的产品上市时间，以及清晰的创新路径。　　在打造下一代智能车辆和 AI 平台的激烈比拼中，选择将 Synopsys 的 IP 和美光的 DLEP 内存相结合的解决方案，是竞争中的制胜之道。　　1 具备增强型 ECC 功能的车用 LPDDR5X 直面汽车行业挑战 | 美光科技将典型的内联系统 ECC 方案与 DLEP 进行比较

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美光

发布时间：2026-02-28 15:21 阅读量：474 继续阅读>>

江苏润石：单通道8位125MS<span style='color:red'>PS</span> 模数转换芯片RS1507S

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江苏润石：单通道8位125MSPS 模数转换芯片RS1507S

　　RS1507S是一款8位单通道AD转换芯片，采用Pipeline架构设计，带有片上跟踪和保持电路，支持全差分输入或者单端输入，最高转换速率支持125MSPS，在整个工作电压和工作温度范围内具有出色的动态性能。　　RS1507S模数转换芯片工作电压支持2.7V至3.6V，8位并行数据输出接口，兼容TTL/CMOS电平，并内置了一个精准的1.25V参考电压，也可以通过外部对应通道参考电压输入引脚输入需要的基准电压来调整ADC内核的基准电压，从而根据采样需要调整ADC的满量程范围。　　RS1507S对标AD9283的参数指标设计，并根据工艺和用户具体应用做了适当的优化和取舍，在工艺满足的前提下尽可能提升参数性能，以使其能满足更多的应用场景，真正做到兼容替换。　　其主要特性如下：　　Ø 单通道，8位，最高125MSPS;　　Ø 低功耗：71mW @ 125MSPS　　Ø 片内基准参考电压和采样保持　　Ø 模拟带宽475MHz　　Ø SNR=46.5dB@41MHz & 76MSPS　　Ø 1Vpp模拟输入电压范围　　Ø 单电源3V工作，支持2.7V~3.6V电压范围　　Ø 待机功耗1.0mW　　Ø INL: ±0.7LSB(Typ)　　Ø DNL: ±0.6LSB(Typ)　　Ø Gain Error: ±2.5%FS(Typ)　　Ø 工业级工作温度范围：-40°C ~ 85°C。　　RS1507S封装和管脚定义　　RS1507S采用20脚SSOP 封装，管脚定义完全兼容AD9283。

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江苏润石

发布时间：2026-01-29 17:44 阅读量：596 继续阅读>>

4<span style='color:red'>PS</span>T耗尽型音频隔离开关 | 力芯微推出高性能音频开关

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4PST耗尽型音频隔离开关 | 力芯微推出高性能音频开关

　　产品概述　　随着现代科技的发展，手机、耳机等智能化设备对音频质量和电磁兼容性的要求越来越高，必须要求音频信号的保真和可靠，力芯微推出了专门为智能穿戴设备和便携式设备而设计的，低功耗、低失真的音频隔离开关。ET3550是一款4PST的耗尽型音频隔离开关，具有超低导通内阻(0.4Ω)，以及优异的通道平坦度，并且具备分散EMI的能力，确保信号的完整性。　　ET3550够能在VCC为低(0~0.2V)时，开关导通，当VCC为高(1.6V~3.0V)时，开关断开;同时低导通内阻和低失真度确保了高保真音质，而WLCSP12和QFN16的封装满足小型化设备需求。ET3550为解决便携设备中“音质、隔离、空间、EMI”的多重矛盾提供了一个高度集成的优秀解决方案。它确保了在关机状态下信号的零泄漏，在开机状态下提供无损的音质传输，并能智能化地帮助系统解决电磁干扰问题，最终提升终端产品的音频性能和可靠性。　　产品特点　　隔离信号时电源电压范围：1.6V~3.0V　　超低导通内阻(RON)：0.4Ω(Typ)　　通道持续通流能力：±350mA　　低总谐波失真(THD+N)：0.002%　　内置振荡器，可调频率以优化EMI性能　　扩展级工业温度范围：-40°C ~ 85°C　　典型应用　　图1：头戴式耳机的典型应用电路　　管脚定义　　图2：Top View (WLCSP12)　　图3：Top View (QFN16)　　核心特点　　(1)ET3550具有超低内阻(0.4Ω)。　　(2)ET3550具有良好的-3dB带宽(380MHz)。　　(3)ET3550具有良好的隔离度。　　(4) ET3550具有良好的串扰。　　(5)ET3550具有极佳的总谐波失真THD+N(0.002%)。

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力芯微

发布时间：2026-01-21 13:49 阅读量：643 继续阅读>>

为智能健身注入高效动能|萨瑞微电子SR45C03<span style='color:red'>PS</span> MOSFET 助力电机驱动与电源管理

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为智能健身注入高效动能|萨瑞微电子SR45C03PS MOSFET 助力电机驱动与电源管理

　　在现代智能健身器材中，高效、静音、可靠的电机驱动与电源管理是关键体验所在。江西萨瑞微电子推出的 SR45C03PS N&P 沟道增强型MOSFET，凭借其低内阻、高散热、快速响应等特性，成为跑步机、动感单车、划船机、力量器械等设备中电机控制与电源系统的理想半导体解决方案。　　一、产品核心特点　　1、先进沟槽单元设计　　采用高效Trench结构，实现低导通电阻与高开关速度的平衡。　　2、低热阻设计　　结到壳热阻(Rjc)仅为 1.3℃/W，散热性能优异，支持高功率持续输出。　　3、低栅极电荷与快速开关　　栅极电荷(Qg)低至 33.6nC(N沟道) 与 30nC(P沟道)，配合 ns 级开关时间，提升系统响应效率。　　4、全面可靠性保障　　100% EAS(雪崩能量)测试、100% Rg(栅极电阻)测试，确保每颗器件都符合严苛标准。　　5、环保工艺　　符合无卤、无铅环保要求，适用于绿色电子产品设计。　　二、关键性能参数　　作为一款兼顾高电流承载与低损耗的 MOSFET，SR45C03PS 的关键参数堪称 “实力派”：　　N沟道 MOSFET　　VDSS：30V　　RDS(on)：6.5mΩ @ VGS=10V, ID=30A　　连续漏极电流：82A @ TC=25℃　　栅极阈值电压：1.0V ~ 2.5V　　P沟道 MOSFET　　VDSS：-30V　　RDS(on)：7.0mΩ @ VGS=-10V, ID=-30A　　连续漏极电流：-75A @ TC=25℃　　栅极阈值电压：-1.2V ~ -2.5V　　三、在健身器材中的核心应用　　跑步机　　高连续电流与峰值电流能力，满足电机驱动的动力需求，应对启动瞬间的冲击电流;低导通损耗减少长时间运行的能耗，配合宽温范围适配不同使用环境;　　筋膜枪　　N+P 沟道集成设计适配无刷电机驱动，快速开关响应支持精准 PWM 调速，实现多档位力度调节;紧凑封装与低功耗特性，助力产品小型化与长续航;　　动感单车　　稳定的功率控制性能适配电动磁控系统，实现 32 档以上精准调阻，让阻力变化均匀丝滑;低损耗设计延长设备使用寿命，适配智能阻力自动调节场景;　　椭圆机　　高效 DC-DC 转换能力助力能量回收系统，将运动产生的可变电压稳定转换，实现绿色能源再利用;　　健身功率计　　低栅极电荷与快速开关特性，提升功率检测的响应速度与精度，为运动数据监测提供可靠支持。

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萨瑞微

发布时间：2026-01-20 11:49 阅读量：553 继续阅读>>

江苏润石科技：16位2通道，1MS<span style='color:red'>PS</span> 同步采样AD转换芯片RS1432

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江苏润石科技：16位2通道，1MSPS 同步采样AD转换芯片RS1432

　　江苏润石科技RS1432是一款16位的2通道AD转换芯片，差分输入，最高支持1MSPS的转换速率;RS1432为同步采样，内置两个独立可编程的、可用于系统级增益校准的基准电压源。并具有灵活的串行接口，便于与各种主机控制器进行通信。利用器件支持的两种低功耗模式，可以优化给定吞吐量下的功耗。可以满足工业现场数据采集、各种仪器仪表测量设备\分析设备上的应用需求。　　RS1432是在ADS8354的参数基础上，基于现有工艺条件、尽可能实现相当的的参数指标，并对部分参数做了优化，以使其能满足更多的应用场景。其主要参数特性如下：　　Ø 16位/无丢码　　Ø 2通道同步采样　　Ø 支持差分输入　　Ø 转换速率最高1MSPS　　Ø INL：±1.7LSB(Typ)　　Ø DNL：±0.7LSB(Typ)　　Ø 优异的交流特性：SNR 92.5dB / THD -98dB　　Ø 内置两组可编程基准源　　Ø 低功耗：50mW at 5V　　Ø 扩展级工业温度范围：-40°C ~ 125°C。　　随着RS1432系列ADC的推出，润石科技SAR架构的ADC已量产9颗，涵盖了12bit、14bit和16bit，进一步丰富了ADC产品线，从而为用户提供更为全面方便的选择。　　RS1432封装和管脚定义　　RS1432提供TSSOP16封装，管脚定义和软件时序完全兼容ADS8354，欢迎各界工程师朋友索样品鉴评测。

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润石

发布时间：2026-01-14 15:12 阅读量：551 继续阅读>>

永铭 M<span style='color:red'>PS</span> 系列超低 ESR 叠层固态电容：为 AI 服务器 CPU/GPU 供电提供纳秒级瞬态支撑与高频噪声抑制

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永铭 MPS 系列超低 ESR 叠层固态电容：为 AI 服务器 CPU/GPU 供电提供纳秒级瞬态支撑与高频噪声抑制

　　在 AI 算力持续爆发与供应链自主可控的双重背景下，AI 服务器主板 CPU/GPU 供电电路(VRM，Voltage Regulator Module，电压调节模块)的 DC-DC 输出端，正面临着更严苛的供电考验。公开行业资料显示，AI 芯片核心电压呈低压化趋势(典型约 0.8–1.2 V)，单相电流能力可达到百安级。以往，满足此类高端 VRM 输出端需求的低 ESR 叠层/固态类电容方案主要由少数国际一线品牌长期主导。为应对纳秒级电流瞬变(di/dt)、MHz 级开关噪声、长期高温应力三大挑战，国内 AI 服务器厂商亟需性能达到国际同等标准，同时具备快速响应、稳定供应与成本优势的国产化取代方案。　　注：以上电压/电流/频率为行业公开资料与典型 VRM 设计区间，具体以实际平台设计为准。　　理念升级：从基础滤波到精准保障，重新定义供电末端电容价值　　AI 服务器的高算力需求，使供电链路的瞬态响应速度与噪声控制精度要求显著提升。VRM 输出端的电容网络不再只是滤波/储能的通用配置，而是 AI 芯片供电的最后储能缓冲池与高频噪声泄放通道：既要在 VRM 响应延迟的空窗期快速补充能量，又要在高频段为噪声提供低阻抗路径。　　因此，供电末端电容的选型理念应从满足基础电路需求升级为匹配 AI 芯片极致供电目标，聚焦精准瞬态支撑与高频噪声抑制两大核心。　　三大核心指标：为什么 AI 服务器 VRM 输出端需要高端低 ESR 电容?　　1)纳秒级瞬态支撑：降低电压下陷风险　　在部分 AI 负载/平台的典型工况中，电流阶跃可呈现纳秒级特征(以平台与测试为准)。当 AI 计算单元在 10–100 ns 量级快速激活时，VRM 控制环路响应往往处于微秒级。若输出端电容的等效串联电阻(ESR)偏高，电荷释放速度不足，容易造成核心电压下陷，进而触发降频、错误或不稳定风险。因此，mΩ 级超低 ESR(例如 ≤3 mΩ)是满足此类瞬态供电要求的重要技术门槛之一(以目标阻抗与实测为准)。　　2)MHz 级噪声抑制：有助于提升信号完整性　　VRM 开关频率可达 MHz 量级(典型工作区间以平台设计为准)，带来的高频纹波与谐波可能耦合到 PCIe、DDR 等高速信号通道。若电容在 MHz 频段阻抗偏高，噪声难以及时吸收与泄放，可能导致信号完整性下降与误码风险上升。因此，电容在高频段保持低阻抗特性，是保障高速系统信号纯净度的重要条件。　　3)高温高纹波与长寿命：匹配 7×24h 可靠性与 TCO　　数据中心 AI 服务器 7×24h 不间断运行，电容长期处于 85–105°C 高温环境及高纹波电流应力下。若材料体系与结构设计不足，可能出现容量衰减、ESR 上升乃至早期失效，成为系统可靠性短板。因此，满足 105°C/2000 h 等寿命等级，并具备 >10 A(@45°C/100 kHz，视具体型号)纹波承载能力，是降低宕机风险与优化全生命周期运维成本(TCO)的关键。　　方案落地：永铭 MPS 系列——达到国际标准，更具备本土化高价值的替代选择　　针对 AI 服务器 CPU/GPU 的 VRM 输出端供电需求，以及本土厂商对供应链安全与成本优化的迫切诉求，永铭电子推出 MPS 系列超低 ESR 叠层固态电容。该系列在关键电性能与可靠性指标上对标国际主流高端产品，并在交付响应、技术支持与本土供应链稳定性方面提供附加价值。　　表 1|关键规格对标(2.5V/470µF 示例)　　表 2|实测参数(示例条件)　　表 3|容量-温度数据表(单位：µF;温度点：-55/-25/0/20/45/65/85/105°C)　　表 4|ESR-温度数据表(单位：mΩ;测试频率：100kHz;温度点同上)　　表 5|105°C 直流 2000 h 寿命验证趋势(节选)　　关键对标数据文本摘要　　• ESR：在 20°C/100kHz 条件下，永铭MPS 实测 ESR 约 2.4 mΩ;对标样品约 2.1mΩ。规格书 ESR Max 均为 3 mΩ(以具体规格书为准)。　　• 纹波电流：两者在 45°C/100kHz 的额定纹波电流指标为 10.2 A_rms(以具体型号规格书为准)。　　• 寿命：两者寿命等级均为 105°C/2000 h(以具体规格书为准)。　　结语：在国产化趋势下，为 AI 服务器供电可靠性提供可替代、可交付、可验证的选择　　在 AI 服务器的算力竞争与供应链自主化趋势下，供电链路元件的性能与来源同样关键。选择一款在核心电性能与可靠性上达到国际同等标准，同时在供应安全、成本优化与服务响应上具备本土优势的电容方案，正成为 AI 服务器厂商提升竞争力的重要抓手。永铭 MPS 系列致力于成为您的可靠替代选择。　　如需为您的 AI 服务器项目评估供电完整性(PI，Power Integrity，电源完整性)方案，获取 MPS 系列规格书、测试报告或样品，欢迎与我们联系。建议提供：核心电压范围、瞬态电流需求、PCB 布局空间、温升与寿命目标，我们将提供针对性的选型与验证建议。　　Q&A　　Q：在 AI 服务器中，如何选择 CPU/GPU 供电的 DC-DC 输出端电容?　　A：建议重点关注三大核心指标：　　1)超低 ESR(例如 <3 mΩ)，以满足瞬态供电与目标阻抗要求(以平台实测为准);　　2)高纹波电流能力(例如 >10 A @45°C/100kHz，视具体型号)，适配长期高负荷运行;　　3)高温长寿命(例如 105°C/2000 h 等级)，匹配数据中心 7×24h 工作模式。　　MPS 系列叠层固态电容围绕上述主流指标设计，并结合本土化支持，可作为高性价比替代方案参考。　　核心摘要　　适用场景：AI 服务器/高性能计算服务器 CPU/GPU 的 VRM(DC-DC)输出端滤波与储能。　　核心优势：超低 ESR(mΩ 级)瞬态支撑;高频低阻抗噪声抑制;高温高纹波与寿命等级对齐国际主流标准;并具备本土供应链稳定与快速响应。　　推荐产品：永铭电子(YMIN)MPS 系列超低 ESR 叠层固态电容(2.5V/470µF 示例：MPS471M0ED19003R)。　　数据口径与商标声明　　1)数据来源：本文规格参数来自公开规格书;表 2–5 中的曲线/寿命趋势数据为我方对样品进行的对标测试结果(样品通过公开渠道采购)，用于技术交流与选型参考。　　2)测试说明：不同测试平台、样品批次与测试条件可能导致差异;本文数据仅对应所述条件与样品，不代表所有批次与全部型号。　　3)商标声明：Panasonic、GX 等为其权利人商标/系列名称。文中提及仅用于识别对标对象与技术对比说明，不构成任何形式的关联、背书或贬损。

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永铭

发布时间：2026-01-12 10:34 阅读量：636 继续阅读>>

型号	品牌	询价
TL431ACLPR	Texas Instruments
MC33074DR2G	onsemi
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor

型号	品牌	抢购
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor
STM32F429IGT6	STMicroelectronics
BP3621	ROHM Semiconductor
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
TPS63050YFFR	Texas Instruments

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