开赛！纳芯微NSSine™MCU助力电力电子大赛

Release time：2026-05-15
author：AMEYA360
source：纳芯微
reading：189

　　第十二届高校电力电子应用设计大赛启动仪式正式开幕!纳芯微作为合作伙伴，全程支持本届以新能源与储能竞赛的赛事开展。

　　纳芯微将以实时控制 MCU、隔离栅极驱动等芯片为核心支撑，为参赛团队提供技术支持，助力学子完成方案设计。

　　优选芯片|用 MCU & 栅极驱动，赢在自适应与损耗优化

　　纳芯微NSSine™系列实时控制 MCU/DSP —— 用作高速策略大脑

　　• 高性能实时 M7 内核;高速 ADC+高精度 PWM;自研 IDE Novo Studio。

　　• 赛场用途：导通压降检测、工况识别、自适应驱动算法调度、保护逻辑管理。

　　• 更多信息：www.novosns.com/real-time-mcu

　　纳芯微隔离栅极驱动 —— 驱动模块核心器件

　　• 针对宽禁带器件开发;2kV 工作耐压 + 5700V 冲击耐压;高集成化;驱动能力强、延时低。

　　• 赛场用途：SiC MOSFET 开关控制、负压关断、串扰抑制、快速短路保护。

　　• 更多信息：www.novosns.com/gate-drivers

开赛！纳芯微NSSine™MCU助力电力电子大赛

开赛！纳芯微NSSine™MCU助力电力电子大赛

开赛！纳芯微NSSine™MCU助力电力电子大赛

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纳芯微推出固态继电器NSI7117，以卓越EMC性能应对汽车BMS系统电磁挑战
行业新闻

纳芯微推出固态继电器NSI7117，以卓越EMC性能应对汽车BMS系统电磁挑战

　　纳芯微今日正式推出新一代固态继电器NSI7117系列，新器件面向新能源汽车电池管理系统(BMS)等关键应用场景，针对性地优化了电磁兼容性能(EMC)，在电磁干扰抑制(EMI)与电磁抗扰度(EMS)两方面实现系统级提升，全面满足新能源汽车日益严苛的电磁兼容要求，为高可靠的汽车应用提供坚实支撑。　　新能源汽车BMS系统由于直接连接高压电池包，本身就对电磁兼容性能有着极高要求，需要在复杂电磁环境下保证采样、检测与控制功能的稳定运行。　　如今，在新能源汽车轻量化的趋势下，其电池系统正加速向多材料电池壳体架构演进，复合材料的引入在实现轻量化与结构集成的同时，也削弱了传统金属壳体对电磁干扰的天然屏蔽能力，使BMS系统面临更加复杂和严苛的电磁环境。　　在此背景下，纳芯微新一代固态继电器NSI7117通过优化的EMC设计，助力整车厂与电池厂商在多材料结构趋势下实现更高水平的系统可靠性。　　卓越的EMC性能，　　适配多材料电池系统的严苛电磁环境　　纳芯微NSI7117针对BMS高压应用中的电磁干扰特性进行了系统级优化，实现了业内卓越的电磁兼容性能。在和头部客户基于实际应用场景的系统联调测试中，NSI7117在电磁干扰发射(EMI)方面表现优异：　　静电放电抗扰(ESD，ISO 10605)在下电模式下通过±8kV测试;　　电快速瞬变脉冲群(EFT，IEC 61000-4-4)达到Class 4等级;　　传导与辐射发射(CISPR 25)分别达到电压法Class 3或4(根据不同频点)、电流法Class 5及辐射发射Class 5水平，有效降低开关过程中引入的系统级电磁辐射。　　得益于优异的EMI控制能力，客户在整机开发过程中可显著减少滤波、屏蔽等板级整改措施，降低EMC调试复杂度，缩短开发周期。　　在电磁抗扰度(EMS)方面，NSI7117同样具备出色的系统鲁棒性。器件可在全频段范围内通过200mA大电流注入测试(BCI，ISO 11452-4，Class A)，并顺利通过辐射抗扰测试(RI，ISO 11452-2，Class A)及手持发射机抗扰测试(PTI，ISO 11452-9，Class 2)。　　在多材料电池壳体导致屏蔽能力下降、系统电磁环境更加复杂的背景下，NSI7117能够有效降低误触发与异常开关风险，为BMS系统提供更高裕量的电磁可靠性与安全保障。同时，其高抗扰设计有助于减少系统层面的防护冗余设计，进一步简化硬件架构与验证流程。　　可靠性全面升级，　　加速替代机械继电器与光耦继电器　　相较机械继电器与光耦继电器，固态继电器在新能源汽车BMS中具备更优的综合性能。机械继电器存在触点磨损、寿命有限和响应较慢等问题;光耦继电器虽提升隔离能力，但在耐压、漏电流及长期稳定性方面仍有局限。　　固态继电器基于半导体无触点开关，具备更高可靠性与更长寿命，并可在高压、高温等严苛工况下稳定工作，有效降低系统失效风险，正成为高压BMS系统中开关器件的重要选择。　　在此基础上，纳芯微NSI7117进一步在高压能力与极端工况可靠性方面实现突破。产品内部集成两颗SiC MOSFET，每颗器件支持高达1700V耐压，具有优秀的抗雪崩能力与瞬态过压承受能力。这一特性使其在电池系统异常工况(如浪涌、电压尖峰)下仍能保持稳定运行，有效提升系统安全边界。　　同时，NSI7117在高压高温条件下的漏电控制能力同样表现突出。在1000V工作电压、125℃高温环境下，器件漏电流可控制在1μA以内，显著优于传统方案。这一特性有助于提升电池包整体绝缘阻抗水平，降低系统误判风险，并提高绝缘检测精度，从而增强整车在高压状态下的人机交互安全性。　　满足各类安规要求，　　降低系统验证时间　　NSI7117提供SOW12封装，兼容市场主流光耦继电器，便于客户无缝替换升级。在SOW12封装下，NSI7117实现5.91mm副边爬电距离，原边副边爬电距离也达到8mm，满足IEC 60747-17相关要求。　　结合纳芯微成熟的电容隔离技术，NSI7117隔离耐压能力高达5kVrms，并满足UL、CQC及VDE等权威认证标准要求，有助于客户简化系统级认证流程，缩短产品开发与上市周期。　　同时，NSI7117采用全国产供应链，进一步提升供应安全性与交付稳定性。NSI7117即将进入量产阶段，车规版本NSI7117-Q1满足AEC-Q100 Grade 1要求，支持–40°C至125°C宽工作温度范围，同时亦提供工规版本，满足不同应用场景需求。　　NSI7117现已支持送样，请登录纳芯微官网(www.novosns.com)，进行样片申请。
2026-05-13 10:19 reading：260
纳芯微丨ADC 采样电压为何偏离理论值？实时控制 MCU/DSP 输入阻抗解析
行业新闻

纳芯微丨ADC 采样电压为何偏离理论值？实时控制 MCU/DSP 输入阻抗解析

　　“为什么我在学习板/开发板上面测试都是正常的，上工程样机的时候，ADC采样就会有问题?”　　工程师在使用DSP进行ADC采样测试的时候，有可能会遇到以上难以理解的问题。导致ADC采样不准确的因素众多，本文将着重讨论其中一种影响因素——输入阻抗对ADC采样的影响。　　下文将以纳芯微实时控制MCU/DSP NS800RT503x 系列芯片为例，结合分压采样电路设计与实测现象，解析输入源阻抗对 ADC 采样精度的影响，帮助工程师更好地完成 ADC 采样电路设计与参数匹配。　　01　　ADC电压采样范围　　ADC的电压采样范围由其参考电压决定。当参考电压为3V，ADC的采样范围为0~3V。对于NS800RT503x系列芯片，ADC默认使用外部参考电压，接入的外部参考电压应在1.65V~3.3V之间，或者通过软件，选择使用内部的1.65V或2.5V参考电压。　　如何测量输入电压　　小电压测量当检测电压在0-5V范围内时，可通过两个电阻进行简单的分压，并通常在 ADC 输入端并联电容进行滤波，如下图所示。　　Ui为检测端电压，Uo为ADC的输入端电压：　　分压后的Uo电压应小于或等于ADC的参考电压。　　同时，需要考虑分压电流大小，电流最大为20mA，且ADC的输入阻抗不宜过大(相关原因将在下文进行分析)。通过ADC采集到分压后的电压，可进一步换算得到输入端电压。如采集到的电压为xV，则输入端的电压为：　　图1-ADC分压输入　　大电压测量对于450V的高电压，仅使用两个电阻进行分压并不适用，需考虑单个电阻的额定功率和耐压值。　　电阻的功率(P)计算公式为：P=UI　　当大电压加在单个电阻上时，会导致其功率超过额定值，电阻发热。因此，需要使用多个电阻进行分压，ADC获取的数值与上节同理，可推出输入端电压。如下图所示，450V的输入电压分压后为2.778V。　　电路中的两个稳压二极管处于反向偏置状态，用于电路保护。当电路电压超过稳压二极管的反向击穿电压时，稳压二极管两端的电压处于一个固定值，这个值取决于二极管的材料与结构，从而保护GPIO端口，下图稳压二极管分别用作防止正电压和负电压过大。ADC的输入端使用了RC低通滤波电路，可将高频信号滤去，截止频率为：　　图2-电阻分压　　下图同理：　　图3-电阻分压　　注：等效阻抗的计算包括电阻阻抗、容抗、感抗　　02　　ADC的输入阻抗选择参考　　基于 NS800RT503x 系列芯片的 ADC 输入特性，在合适的 ADC 时钟与采样窗口时间配置下，ADC 输入阻抗最高可支持至 1100kΩ。　　需要注意的是，不同 ADC 时钟与采样窗口时间对应的最大输入阻抗并不相同，实际设计时应根据具体配置查表确认，部分典型配置如下表所示。　　表1-输入电阻匹配表　　当ADC的输入阻抗过大时，会出现采集到的电压不精确的问题，以下 ADC 电压采集电路可作为典型示例。　　设计目的是将前端电路的最大400V电压进行分压，得到最大5V再进行分压，输入到ADC1。　　理论上该电路Vout-s经过电路中的200K和360K电阻分压，最大5V输入最后给到ADC1的电压为3.1V，最小0V输入最后给到ADC1的电压为0V。　　图4 ADC输入阻抗偏大电路设计举例　　实际使用万用表测试发现，ADC1在5V输入的情况下，最终的分压在2.2V，出现明显压降;在0V输入的情况下，最终的分压为0.4V，出现明显压升。在这种测试环境下，ADC的检测并不准确。　　通过等效转换可得知上图ADC的输入阻抗为128.57kΩ，阻抗较大。　　配置ADC采样窗口时间为65个ADC_CLK，测试过程中，移除电阻，将0V至3V的电压直接施加到ADC输入端，测得电压正常，排除了ADC配置问题导致的测量不准确。　　随后测试减少阻抗的方式，将ADC输入电阻阻抗调整为12.18kΩ()，如下图所示。　　在GPIO端口测得的电压值在转换时间为大于65个ADC_CLK周期内正常。　　进一步减小ADC输入电阻后，在更短的ADC转换周期内，ADC输入端电压值也可正常，与上述阻抗匹配表一致。　　图5 电阻分压　　将ADC配置为使用定时器进行定时触发转换。随着定时频率的增加，ADC输入端口电压逐渐减少。　　即使输入阻抗为128.57kΩ，只要定时器触发频率足够低，输入电压后，ADC输入端的电压依然能够正常。因此初步分析，该现象与ADC采样过程中端口的电压有关系。　　进一步测试：端口不接任何外围器件，使用ADCA_CH0，ADCB_CH0，ADCC_CH0进行测试。　　ADCA与ADCB配置为相同参数，转换时间为1个ADC周期，测得ADCA_CH0与ADCB_CH0的电压为1.4xV，ADCC_CH0电压与其他未配置的IO端口电压一致为0.3xV的电压;　　将ADCA的转换时间逐次增大，ADCA_CH0的电压逐渐减小，ADCB_CH0与ADCC_CH0电压不变。当ADCA转换时间增大到65个ADC周期时，ADCA_CH0处电压减少到1.0xV。上文采用21kΩ电阻与29kΩ电阻进行分压ADC输入时，若配置转换时间为1-33个ADC周期时，端口分电压存在异常;只有配置为65个ADC周期以上时，端口分电压才是正常的理论电压;　　当将ADCA停止，ADCA_CH0处电压等于ADCB_CH0电压，ADCC_CH0电压不变。这时可解释为何ADC未初始化时，端口检测到的电压为正常的分压值——因为ADC不运作，端口处无额外的电压生成。测试中，输入阻抗过大时，ADC在运行时端口处的分压值会偏离理论值，只有ADC不运作时，该端口处的分压才恢复理论值。而输入阻抗较小时，端口电压不受ADC是否运作的影响，始终保持正常的理论值;　　将ADCA、ADCB都停止：　　ADCA_CH0 = ADCB_CH0 = ADCC_CH0　　测试现象表明：当ADC运行时，随着准换时间的变化，端口上会出现不同的残留电压。准换时间越短，残留电压越大。　　当通过接入电阻进行分压时，分压值是否准确，取决于该端口产生的残留电压大小和输入阻抗的大小。输入阻抗越小，分压值受该端口残留电压的影响越小;反之，输入阻抗越大，分压值受该端口残留电压的影响越大。　　03　　ADC采样时出现残留电压原因分析　　ADC的输入模型如下所示：　　如上图所示，ADC内部通常包含采样电容，该电容会在采样时进行充电或放电。电容充电/放电过程会在采样瞬间引起输入端口电压的瞬时变化。　　当采样频率越大，充放电的过程跟不上采样速度，此时采样电容上会有相应的残留电荷，会导致端口电压由额外的电压残留。　　因此，采样频率越快，残留电压也越大，只有当输入阻抗较小时才能抵消这个残留电压。　　结言　　当 ADC 输入源阻抗过大时，容易出现采样电压偏差。这与 ADC 的内部采样结构有关：ADC 采样时，内部采样电容需要快速完成充放电;如果前端驱动能力不足，采样电容上的残余电荷会影响当前输入信号，从而导致采样结果出现偏差。当输入信号驱动能力足够时，这种影响会明显减小。　　因此，在 ADC 前端电路设计时，需要结合具体芯片型号与应用需求，综合考虑输入源阻抗、采样窗口时间、ADC 时钟频率以及前端滤波参数，确保前端采样电路设计合理，从而提升采样稳定性与测试结果一致性。
2026-05-12 09:31 reading：306
纳芯微携汽车电子一站式解决方案亮相2026北京车展
行业新闻

纳芯微携汽车电子一站式解决方案亮相2026北京车展

　　2026年4月24日至5月3日，以 “领时代・智未来” 为主题的 2026 北京国际汽车展览会，在中国国际展览中心(顺义馆)与首都国际会展中心举办。本届车展总展出面积达 38 万平方米，规模居全球车展首位，成为汽车产业技术演进与生态协同的重要平台。　　深耕国产汽车模拟芯片领域，纳芯微稳居行业领先地位。本次车展，公司全面展示适配三电系统、ADAS、智能座舱、车身控制、车灯系统的一站式芯片解决方案。此外，纳芯微联合中国汽车芯片联盟、吉利汽车等行业伙伴，共同发布车载视频 SerDes 白皮书，持续推动国产车载芯片规模化普及，为汽车行业升级迭代与未来发展筑牢核心技术根基。　　欢迎莅临纳芯微1+1展台(B2馆E21主展位 + A3馆“中国芯”展区)。　　面向电动化、智能化与座舱体验升级　　提供一站式系统解决方案　　从信号感知到系统互联，从实时控制到功率驱动，纳芯微为汽车的各大系统提供传感器、信号链、隔离、MCU、驱动、电源等丰富的芯片组合，以汽车芯片系统级解决方案能力帮助客户打造更强竞争力。　　尤其值得一提的是，公司此次带来了“灯光、音频和视频”的组合座舱体验：　　音乐律动氛围灯：针对氛围灯从点光源、线光源向面光源、区域化控制发展的趋势，纳芯微NSUC1500-Q1 LED驱动芯片单芯片集成MCU、LDO、LIN-PHY及4路LED驱动，采用ARM Cortex-M3内核，支持256色高精度调光运算，满足智能座舱对高集成度与细腻动态光效的设计需求。面对大面积、多区域灯效控制要求，NSUC1527芯片集成27路高精度恒流驱动(单路64mA)，可独立控制18颗RGB灯珠(最多81颗)，满足贯穿式灯带与音乐律动等复杂交互场景的设计需求。　　车载音频功放：针对车载音响高音质与高能效需求，纳芯微NSDA6934-Q1 D类音频功放支持四通道输出与低延迟模式，内置多重保护机制并优化RNC性能，配合同步推出的Buck、LDO等配套芯片构成一站式方案，满足高解析音质、低能耗与可靠音频系统的设计需求。　　视频高速传输：纳芯微推出了车规级SerDes高速传输方案——基于HSMT公有协议的NLS9116(加串器)与NLS9246(解串器)芯片组。该方案支持高达6.4Gbps的串行链路，可为多通道高清信号提供高可靠、低延时的实时传输，充分满足智能驾驶与座舱系统对数据带宽和稳定性的严苛要求。　　聚焦技术生态交流　　以高速SerDes赋能智能汽车产业协同　　车展期间，在中国汽车工程学会主办的“2026北京车展科技创新论坛”上，纳芯微围绕“多模态感知驱动方案，高速接口赋能生态融合”进行分享。　　纳芯微隔离与接口 丁浩 在“2026北京车展科技创新论坛”分享　　随着智能汽车进入AI原生与舱驾一体阶段，多模态感知对数据传输提出更高要求。传统车载网络已难以支撑高带宽与低时延需求，高速SerDes成为关键基础技术。　　围绕这一趋势，纳芯微提出三大判断，并以此进行业务规划：　　速率要求日渐提升：3.2/6.4Gbps产品已量产，12.8Gbps即将推出，25/50Gbps更高速率的产品正在规划;　　可靠性成为系统刚需：优秀的ESD性能、链路诊断、信号监测等能力正成为芯片标配;　　生态开放与自主可控同步推进：本土供应链与兼容性设计提升交付确定性与系统效率。　　目前，公司SerDes产品矩阵已通过头部客户验证，并基于高可靠性设计和集成丰富的维测技术，实现从“数据通道”向“系统关键节点”的能力升级。　　参与生态共建　　推动行业标准与产业协同　　在“中国芯”展区，纳芯微参与吉利汽车SerDes白皮书发布，与整车厂、Tier1及产业链伙伴共同推进车载高速互联标准化进程，助力构建开放、统一的智能汽车基础架构。　　4月26日 纳芯微出席吉利汽车Serdes白皮书发布仪式　　同期，公司NSI67x0系列智能栅极隔离驱动芯片荣获“2026年度影响力汽车芯片”奖项，体现了该产品在性能、可靠性及量产应用方面的综合实力。　　2026年度影响力汽车芯片：智能栅极隔离驱动芯片NSI67x0系列　　2025 年，纳芯微全年营收达 33.68 亿元，汽车业务营收占比突破 35%。全年汽车芯片出货量超 7.5 亿颗，累计汽车芯片出货量突破 14.18 亿颗。现阶段，国内新能源汽车单车平均搭载纳芯微芯片约 50 颗，单车产品价值量约 2000 元。　　依托完善的汽车芯片产品矩阵、成熟的系统级解决方案、严苛的质量管理体系、深厚的产品定制化能力，以及完备的技术研发体系与专业人才架构，纳芯微持续夯实核心竞争力，致力于从国产标杆迈向全球优选合作伙伴，以高品质芯片与一体化服务，赋能汽车产业高质量发展。
2026-04-29 09:52 reading：472
纳芯微丨三电应用首选：PrimeDrive™再获权威认可
行业新闻

纳芯微丨三电应用首选：PrimeDrive™再获权威认可

　　荣誉加持，产品实力再获认可　　凭借强劲综合产品力，纳芯微PrimeDrive™隔离栅极驱动NSI67xx在北京车展荣获「2026 年度影响力汽车芯片」。随着新能源汽车动力系统向高压高效、高集成可靠、平台化低成本进阶，隔离驱动芯片迎来全面升级需求，纳芯微 PrimeDrive™系列精准匹配行业需求，持续交付高可靠的汽车芯片解决方案。　　高性价比之选：智能隔离栅极驱动NSI67xx　　更小体积：封装尺寸缩小约40%　　更低成本：集成隔离采样，节约IC成本>30%　　实现系统级ASIL C功能安全：集成ASC功能，助力客户实现系统级ASIL C功能安全(已通过德凯权威评估)　　更高可靠：PPM<0.1，抗EOS/抗干扰能力行业领先　　进阶顶配之选：ASIL D隔离栅极驱动NSI6911F　　ASIL D认证：国内首颗通过TÜV莱茵认证　　平台化设计：“One for all”，参数灵活配置　　高压高可靠：5.7kV隔离耐压，150kV/μs CMTI　　抗干扰 & 抗EOS能力领先　　产品实力背书，隔离驱动首选PrimeDrive™　　目前，纳芯微PrimeDrive™隔离栅极驱动已连续三年稳居中国市场份额第一，累计出货量已超14亿颗，国内汽车市场份额持续领先。
2026-04-29 09:44 reading：393
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