纳芯微推出高压隔离半桥驱动芯片NSi6602

发布时间：2022-08-11 18:01
作者：Ameya360
来源：网络
阅读量：6637

　　纳芯微推出高压隔离半桥驱动芯片NSi6602，作为一款隔离式双通道栅极驱动器，NSi6602具有优异的抗干扰能力，其抗共模瞬态干扰度（CMTI）可达150kV/us，可有效保证系统在各种恶劣环境下正常运行。

       NSi6602的典型传输延时值为19ns，高边、低边栅极驱动器之间最大传输延迟匹配5ns，最大脉宽失真6ns，有助于减小功率管的死区时间，进而提高系统效率。通过更小的封装尺寸、更强大的功能设计，NSi6602打破了传统非隔离式栅极驱动器普遍存在的工作电压上限低、传播延迟长、灵活性差等局限性，从而带来更高的功率密度，帮助系统更快速、更稳健地运行。

纳芯微推出高压隔离半桥驱动芯片NSi6602

　　NSi6602性能特点：

　　隔离式双通道栅极驱动器

　　5kV RMS隔离耐压

　　输入侧供电电压：2.7V至5.5V

　　驱动端供电电压：最高可达25V

　　4A驱动电流和6A吸收电流

　　最高150KV/us抗共模瞬态干扰度

　　19ns典型传播延迟

　　5ns最大传输延迟匹配

　　6ns最大脉冲宽度失真

　　可编程死区时间

　　AEC-Q100认证

　　过流、过温保护机制

　　工作温度范围：-40℃~125℃

　　顺应拓展5G应用、建设充电桩、推广新能源汽车等新基建浪潮，NSi6602可应用于5G 通信电源中PSU、二次电源、电源砖等领域，同时在数据中心、充电桩及车载电源等能源密集型场景中也有着广泛的应用前景，为新基建的多种应用提供强大的安全保障。


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　　纳芯微今日正式推出新一代固态继电器NSI7117系列，新器件面向新能源汽车电池管理系统(BMS)等关键应用场景，针对性地优化了电磁兼容性能(EMC)，在电磁干扰抑制(EMI)与电磁抗扰度(EMS)两方面实现系统级提升，全面满足新能源汽车日益严苛的电磁兼容要求，为高可靠的汽车应用提供坚实支撑。　　新能源汽车BMS系统由于直接连接高压电池包，本身就对电磁兼容性能有着极高要求，需要在复杂电磁环境下保证采样、检测与控制功能的稳定运行。　　如今，在新能源汽车轻量化的趋势下，其电池系统正加速向多材料电池壳体架构演进，复合材料的引入在实现轻量化与结构集成的同时，也削弱了传统金属壳体对电磁干扰的天然屏蔽能力，使BMS系统面临更加复杂和严苛的电磁环境。　　在此背景下，纳芯微新一代固态继电器NSI7117通过优化的EMC设计，助力整车厂与电池厂商在多材料结构趋势下实现更高水平的系统可靠性。　　卓越的EMC性能，　　适配多材料电池系统的严苛电磁环境　　纳芯微NSI7117针对BMS高压应用中的电磁干扰特性进行了系统级优化，实现了业内卓越的电磁兼容性能。在和头部客户基于实际应用场景的系统联调测试中，NSI7117在电磁干扰发射(EMI)方面表现优异：　　静电放电抗扰(ESD，ISO 10605)在下电模式下通过±8kV测试;　　电快速瞬变脉冲群(EFT，IEC 61000-4-4)达到Class 4等级;　　传导与辐射发射(CISPR 25)分别达到电压法Class 3或4(根据不同频点)、电流法Class 5及辐射发射Class 5水平，有效降低开关过程中引入的系统级电磁辐射。　　得益于优异的EMI控制能力，客户在整机开发过程中可显著减少滤波、屏蔽等板级整改措施，降低EMC调试复杂度，缩短开发周期。　　在电磁抗扰度(EMS)方面，NSI7117同样具备出色的系统鲁棒性。器件可在全频段范围内通过200mA大电流注入测试(BCI，ISO 11452-4，Class A)，并顺利通过辐射抗扰测试(RI，ISO 11452-2，Class A)及手持发射机抗扰测试(PTI，ISO 11452-9，Class 2)。　　在多材料电池壳体导致屏蔽能力下降、系统电磁环境更加复杂的背景下，NSI7117能够有效降低误触发与异常开关风险，为BMS系统提供更高裕量的电磁可靠性与安全保障。同时，其高抗扰设计有助于减少系统层面的防护冗余设计，进一步简化硬件架构与验证流程。　　可靠性全面升级，　　加速替代机械继电器与光耦继电器　　相较机械继电器与光耦继电器，固态继电器在新能源汽车BMS中具备更优的综合性能。机械继电器存在触点磨损、寿命有限和响应较慢等问题;光耦继电器虽提升隔离能力，但在耐压、漏电流及长期稳定性方面仍有局限。　　固态继电器基于半导体无触点开关，具备更高可靠性与更长寿命，并可在高压、高温等严苛工况下稳定工作，有效降低系统失效风险，正成为高压BMS系统中开关器件的重要选择。　　在此基础上，纳芯微NSI7117进一步在高压能力与极端工况可靠性方面实现突破。产品内部集成两颗SiC MOSFET，每颗器件支持高达1700V耐压，具有优秀的抗雪崩能力与瞬态过压承受能力。这一特性使其在电池系统异常工况(如浪涌、电压尖峰)下仍能保持稳定运行，有效提升系统安全边界。　　同时，NSI7117在高压高温条件下的漏电控制能力同样表现突出。在1000V工作电压、125℃高温环境下，器件漏电流可控制在1μA以内，显著优于传统方案。这一特性有助于提升电池包整体绝缘阻抗水平，降低系统误判风险，并提高绝缘检测精度，从而增强整车在高压状态下的人机交互安全性。　　满足各类安规要求，　　降低系统验证时间　　NSI7117提供SOW12封装，兼容市场主流光耦继电器，便于客户无缝替换升级。在SOW12封装下，NSI7117实现5.91mm副边爬电距离，原边副边爬电距离也达到8mm，满足IEC 60747-17相关要求。　　结合纳芯微成熟的电容隔离技术，NSI7117隔离耐压能力高达5kVrms，并满足UL、CQC及VDE等权威认证标准要求，有助于客户简化系统级认证流程，缩短产品开发与上市周期。　　同时，NSI7117采用全国产供应链，进一步提升供应安全性与交付稳定性。NSI7117即将进入量产阶段，车规版本NSI7117-Q1满足AEC-Q100 Grade 1要求，支持–40°C至125°C宽工作温度范围，同时亦提供工规版本，满足不同应用场景需求。　　NSI7117现已支持送样，请登录纳芯微官网(www.novosns.com)，进行样片申请。
2026-05-13 10:19 阅读量：475
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