纳芯微电子:传感器让中央空调更节能环保,精确测量温湿度、压力和电流

Release time:2023-12-29
author:AMEYA360
source:AMEYA360
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  受益于人民生活水平提升带来的对生活、居住环境舒适度要求的提升,我国的中央空调市场保持着较为稳定的增长。要实现中央空调的各种功能,就需要具有高精度检测能力的温湿度、压力、电流传感器。

  作为高性能、高可靠性模拟及混合信号芯片公司,纳芯微为中央空调的应用提供丰富的传感器和模拟IC解决方案。

  中央空调的发展趋势和新的要求

  据统计,在2023上半年我国中央空调销量中,多联机系统占有率约为51%,继续位居市场第一。多联机系统之所以受到市场青睐,主要是其安装成本较低,使用比较灵活,能效也非常高。为此,一些精装修住宅也开始标配这种空调。

  商用中央空调采用一拖多架构,由一个室外机带动多个室内机,每个室内机都有对应的线控器,通过反馈的温度、湿度等信息,可以自动调节出风口、风量以及制冷、制热功率等,以保持舒适的室内温度。

  多联机技术的发展趋势主要体现在两个方向,一是节能降噪,室外机甚至室内机都有变频能力,通过提高频率来降低噪声,同时实现低待机功耗。二是提高舒适度,绿色环保,比如满足风量、温湿度控制的特定要求;同时减少冷煤泄露对自然环境的破坏,保证空调的使用效果。

  纳芯微的传感器产品恰恰可以满足上述趋势要求。这些产品包括符合舒适度和绿色环保要求的温湿度传感器、压力传感器,确保室外机正常运行的磁电流传感器等,另外还有各种模拟IC产品。

  纳芯微为中央空调应用提供全面的传感器解决方案

纳芯微电子:传感器让中央空调更节能环保,精确测量温湿度、压力和电流

  温湿度传感器用来检测环境温湿度,以控制出风口风量,平衡环境湿度,从而提高舒适度。

  NSHT30是一款尺寸非常小、精度非常高的温湿度传感器,采用2.5mm×2.5mm小型封装(LGA、DFN可选)。MCU通过传感器的I²C接口读取温湿度数据,温湿度测量为-40℃~125℃;湿度范围为0~100%,基本上可以覆盖所有的温度和湿度范围。

  NSHT30的优势首先是响应时间,采集温度时间仅为2s,湿度为6s。其精度也高于其他市场同类产品,出厂前的芯片校准可以保证很高的精度要求;在0~50℃条件下,NSHT30的误差可以控制在±0.3℃(典型值);在50%相对湿度条件下,可以将误差控制在±3%,满足空调的精度要求。

  压力传感器通常置于室外机或冷媒传输管上,用来检测冷煤泄露和冷媒压力,在保证空调使用效果的同时实现环保功能。

  NSPAS3是一款集成式绝对压力传感器,用于空调的冷媒泄漏压力检测。其工作温度为-40℃~130℃,内部集成了温度补偿电路,可以在0~85℃范围内实现±1%的控制精度,-40℃至全温度范围控制精度为±1.5%。

  NSPAS3兼容10kPa~400kPa压力测试范围,可以检测冷媒泄漏压力。该产品待机功耗低于3mA,响应时间在0.8ms以内。此外,该芯片封装涂有防腐蚀果冻胶,可以防止一些腐蚀性气体损坏芯片封装。

  NSC2860x是一个电容型压力变送器信号处理专用芯片(ASIC)方案。它可以检测空调压缩机中的冷媒压力(3~5MPa)。该芯片集成了各种PGA、ADC、MCU和各种接口等数字元件,集成度非常高,可将监测到的压力转换成数字信号由MCU进行处理。NSC2860x还集成了4~20mA回路电源,可以实现较远距离的传输,以满足冷媒系统中压力传感器和MCU主控板通信距离的需求。

  磁电流传感器一般放在室外机中,主要用来监测室外机的电流,比如PFC电流或空调压缩机电机的相电流等,通过采集系统电流信号实现跟踪反馈,以确保系统正常运行。

  NSM2019是一款集成式霍尔电流传感器,主要用来检测空调的电机电流或PFC电流,MCU通过VOUT引脚读取电流值。其内部集成了基准电压和OC(过流保护),省掉了一些比较器或运放等外围器件。该产品的量程覆盖20A~200A,可以满足商用空调几千瓦到一百千瓦的功率需求。

  NSM2019的精度可达±2%,而且能够保证全温度范围精度。其隔离耐压高达5000V,爬电距离达到8.2毫米,另可承受20kA浪涌电流。其输入带宽高达320K,能够满足电流检测的带宽要求。由于内阻比较小,芯片的发热量也比较小。

纳芯微电子:传感器让中央空调更节能环保,精确测量温湿度、压力和电流

  应用于中央空调里的其他模拟IC解决方案

  除了传感器之外,纳芯微还有很多模拟IC产品解决方案。其中,室外机是模拟IC用量最大的部分。室外机的拓扑决定了220V市电需要经过PFC整流到约400VDC,然后为两个电机的母线电压供电。电机通过IGBT或IPM直接驱动,驱动IGBT的MCU一般放在低压端,因此需要使用隔离驱动使电机转动,所以需要很多隔离驱动产品,同时还要监测电流电压,PLC也需要采集电压和电流,所以还要用到运放产品。

  室外机和室内机的通信需要通过485或CAN总线,由于两者一般都不共地,所以还需要一些隔离接口。纳芯微提供从高压转成低压为MCU供电的数字隔离器产品。其供电通常采用反激式电源将高压转为低压,再由DC-DC转成5V,然后通过LDO转成 3.3V,为其他芯片供电。

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让驱动状态可视可控,纳芯微发布集成电源状态反馈的隔离半桥驱动NSI6602Ux
  纳芯微推出车规级隔离半桥驱动芯片NSI6602Ux系列,该系列基于明星产品NSI6602全面升级,驱动侧电压提升至32V,相比上一代产品具备更强的抗冲击能力与系统适配能力。  此外,NSI6602Ux集成输入/输出侧电源状态反馈功能,并兼具高隔离电压、低延时、死区可配、输入互锁、欠压阈值可选等特性,适用于驱动SiC、IGBT等器件,可广泛应用于新能源汽车OBC、DC-DC、主动悬架等场景。  输入/输出侧电源状态反馈,  助力功率器件开关安全  在OBC/DC-DC、工业电源、电机驱动等功率电子系统中,驱动芯片的可靠性直接决定功率器件的开关安全。随着SiC、GaN等第三代功率器件的应用,器件驱动阈值更敏感、响应速度更快,这使得系统对驱动芯片的状态监测精度和响应及时性的要求大幅提升。  传统方案通常依赖外部电压监测电路来判断驱动芯片是否就绪,这不仅增加系统复杂度,还可能因延迟或干扰带来误驱动风险,进而引发功率器件损坏、系统失控等潜在安全隐患,同时也限制了第三代功率器件性能的充分发挥。  纳芯微NSI6602Ux创新性集成了RDY状态反馈功能,可实时输出芯片供电状态,直接反馈至MCU/DSP,实现芯片级“就绪可见”。无需额外监测电路,即可有效避免未就绪驱动、误触发等风险,从系统架构层面提升功率器件开关安全性。  NSI6602Ux(右图)与NSI6602(左图)功能框图对比  高性能驱动与多重保护协同,  提升系统可靠性与效率  NSI6602Ux具备4A峰值拉电流与6A峰值灌电流的强劲驱动能力,可直接驱动IGBT、SiC等功率器件,支持最高2MHz开关频率,无需额外增设缓冲器或驱动放大电路,显著简化外围设计。  器件支持最高32V驱动电压,并集成欠压锁定(UVLO)保护,可有效应对高压冲击场景。同时,内置输入侧IN+/IN-互锁功能,从硬件层面避免上下桥臂直通风险,大幅提升了系统的可靠性和抗干扰能力。此外,通过DT引脚可灵活配置死区时间,搭配多档UVLO阈值选择,进一步提升系统设计的安全裕量与适配能力。  在性能方面,NSI6602Ux具备45ns传播延时、5ns延迟匹配、4ns脉宽失真,处于行业领先水平。并支持±150kV/μs高CMTI,有效抑制共模干扰,避免延时波动,在复杂工况下仍可保持稳定运行。  灵活控制与接口兼容设计,  降低系统复杂度与BOM成本  NSI6602Ux支持DIS/EN两种使能逻辑配置,可灵活适配不同控制架构;输入侧支持2.8V~5.5V宽电压供电,可直接兼容MCU、DSP,无需额外电平转换电路。  通过减少外围器件、简化接口设计与控制逻辑,有效降低系统设计复杂度与BOM成本,同时提升整体方案的通用性与可扩展性。  NSI6602Ux产品特性:  5.7kVrms隔离耐压,可驱动高压SiC和IGBT  高CMTI:150kV/μs  输入侧电源电压:2.8V~5.5V并支持欠压2.35V保护  驱动侧电源电压:最高可达 32V  峰值拉灌电流:+4A/-6A  驱动电源欠压:8V/17V两档可选  支持输入、输出侧电源监控上报RDY  可编程死区时间  支持使能逻辑控制  典型传播延时:45ns  工作环境温度:-40℃~125℃  符合面向汽车应用的AEC-Q100 标准  符合RoHS标准的封装类型:SOW14/16,SOP16  通过UL、VDE、CQC等多项安全认证  NSI6602Ux典型应用电路  封装与选型  纳芯微NSI6602Ux系列现已全面量产,产品覆盖多种隔离电压等级、UVLO选项及封装,可灵活适配不同应用场景。进一步咨询NSI6602Ux产品,可邮件sales@novosns.com;更多产品信息、技术资料敬请访问www.novosns.com。  NSI6602Ux系列选型表
2026-05-22 10:31 reading:332
全球出货量Top4,纳芯微磁传感器如何贯穿整车系统?
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2026-05-21 09:44 reading:343
开赛!纳芯微NSSine™MCU助力电力电子大赛
纳芯微推出固态继电器NSI7117,以卓越EMC性能应对汽车BMS系统电磁挑战
  纳芯微今日正式推出新一代固态继电器NSI7117系列,新器件面向新能源汽车电池管理系统(BMS)等关键应用场景,针对性地优化了电磁兼容性能(EMC),在电磁干扰抑制(EMI)与电磁抗扰度(EMS)两方面实现系统级提升,全面满足新能源汽车日益严苛的电磁兼容要求,为高可靠的汽车应用提供坚实支撑。  新能源汽车BMS系统由于直接连接高压电池包,本身就对电磁兼容性能有着极高要求,需要在复杂电磁环境下保证采样、检测与控制功能的稳定运行。  如今,在新能源汽车轻量化的趋势下,其电池系统正加速向多材料电池壳体架构演进,复合材料的引入在实现轻量化与结构集成的同时,也削弱了传统金属壳体对电磁干扰的天然屏蔽能力,使BMS系统面临更加复杂和严苛的电磁环境。  在此背景下,纳芯微新一代固态继电器NSI7117通过优化的EMC设计,助力整车厂与电池厂商在多材料结构趋势下实现更高水平的系统可靠性。  卓越的EMC性能,  适配多材料电池系统的严苛电磁环境  纳芯微NSI7117针对BMS高压应用中的电磁干扰特性进行了系统级优化,实现了业内卓越的电磁兼容性能。在和头部客户基于实际应用场景的系统联调测试中,NSI7117在电磁干扰发射(EMI)方面表现优异:  静电放电抗扰(ESD,ISO 10605)在下电模式下通过±8kV测试;  电快速瞬变脉冲群(EFT,IEC 61000-4-4)达到Class 4等级;  传导与辐射发射(CISPR 25)分别达到电压法Class 3或4(根据不同频点)、电流法Class 5及辐射发射Class 5水平,有效降低开关过程中引入的系统级电磁辐射。  得益于优异的EMI控制能力,客户在整机开发过程中可显著减少滤波、屏蔽等板级整改措施,降低EMC调试复杂度,缩短开发周期。  在电磁抗扰度(EMS)方面,NSI7117同样具备出色的系统鲁棒性。器件可在全频段范围内通过200mA大电流注入测试(BCI,ISO 11452-4,Class A),并顺利通过辐射抗扰测试(RI,ISO 11452-2,Class A)及手持发射机抗扰测试(PTI,ISO 11452-9,Class 2)。  在多材料电池壳体导致屏蔽能力下降、系统电磁环境更加复杂的背景下,NSI7117能够有效降低误触发与异常开关风险,为BMS系统提供更高裕量的电磁可靠性与安全保障。同时,其高抗扰设计有助于减少系统层面的防护冗余设计,进一步简化硬件架构与验证流程。  可靠性全面升级,  加速替代机械继电器与光耦继电器  相较机械继电器与光耦继电器,固态继电器在新能源汽车BMS中具备更优的综合性能。机械继电器存在触点磨损、寿命有限和响应较慢等问题;光耦继电器虽提升隔离能力,但在耐压、漏电流及长期稳定性方面仍有局限。  固态继电器基于半导体无触点开关,具备更高可靠性与更长寿命,并可在高压、高温等严苛工况下稳定工作,有效降低系统失效风险,正成为高压BMS系统中开关器件的重要选择。  在此基础上,纳芯微NSI7117进一步在高压能力与极端工况可靠性方面实现突破。产品内部集成两颗SiC MOSFET,每颗器件支持高达1700V耐压,具有优秀的抗雪崩能力与瞬态过压承受能力。这一特性使其在电池系统异常工况(如浪涌、电压尖峰)下仍能保持稳定运行,有效提升系统安全边界。  同时,NSI7117在高压高温条件下的漏电控制能力同样表现突出。在1000V工作电压、125℃高温环境下,器件漏电流可控制在1μA以内,显著优于传统方案。这一特性有助于提升电池包整体绝缘阻抗水平,降低系统误判风险,并提高绝缘检测精度,从而增强整车在高压状态下的人机交互安全性。  满足各类安规要求,  降低系统验证时间  NSI7117提供SOW12封装,兼容市场主流光耦继电器,便于客户无缝替换升级。在SOW12封装下,NSI7117实现5.91mm副边爬电距离,原边副边爬电距离也达到8mm,满足IEC 60747-17相关要求。  结合纳芯微成熟的电容隔离技术,NSI7117隔离耐压能力高达5kVrms,并满足UL、CQC及VDE等权威认证标准要求,有助于客户简化系统级认证流程,缩短产品开发与上市周期。  同时,NSI7117采用全国产供应链,进一步提升供应安全性与交付稳定性。NSI7117即将进入量产阶段,车规版本NSI7117-Q1满足AEC-Q100 Grade 1要求,支持–40°C至125°C宽工作温度范围,同时亦提供工规版本,满足不同应用场景需求。  NSI7117现已支持送样,请登录纳芯微官网(www.novosns.com),进行样片申请。
2026-05-13 10:19 reading:473
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