国内首家!纳芯微发布车规级8通道可配高低边驱动NSD56xxx-Q1系列,兼具高集成与灵活配置

Release time:2025-11-12
author:AMEYA360
source:纳芯微
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  纳芯微今日宣布正式推出车规级8通道可配高低边驱动系列芯片——NSD56080、NSD56602、NSD56620与NSD56242,工作电压范围覆盖4.5V~28V(输出内部钳位39V),每通道驱动电流330mA(所有通道ON),适合驱动汽车电子的继电器、LED、灯泡及电机等各类型感性容性负载。

  该系列产品以高集成度、灵活配置和智能驱动及诊断为核心优势,相比已量产的8通道低边驱动NSD56008,新增加PWM自动发生器、On-State负载开路诊断和Bulb Inrush Mode等功能,可帮助客户节省MCU资源、降低系统设计复杂度和成本、缩小板级尺寸,进一步提升设计灵活性与整体性能。

国内首家!纳芯微发布车规级8通道可配高低边驱动NSD56xxx-Q1系列,兼具高集成与灵活配置

  一芯多能:内置PWM自动发生器,两路输入支持Limp Home,节省MCU资源

  NSD56xxx-Q1系列芯片内置两个独立的PWM自动发生器,可配置PWM频率与占空比,并可映射到任意输出端口。通过与两路输入(亦可映射到任意输出端口)配合,最多可输出4路独立的不同频率与占空比的PWM信号,直接节省两路MCU的PWM口及软件资源,简化控制逻辑,提升系统响应效率。

  当系统检测到异常而进入跛行模式(Limp Home)时,NSD56xxx-Q1系列芯片可实现8通道选择性关闭,仅保留2路映射通道来维持继电器、制动泵等关键安全负载持续运行,提升整车与系统的安全可靠性。

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  图1 Input Mapping

  智能诊断:双模式开路检测,简化系统设计

  NSD56xxx-Q1系列芯片支持OFF-State与ON-State双模式负载开路诊断(OLD),可在输出关闭或打开状态下精确检测负载连接状态,显著提升系统自诊断能力。

  OFF-State OLD通过开启每通道的诊断电流源并比较输出端口电压,来检测负载开路。而新引入的ON-State OLD(仅适用于高边及配置为高边的通道),则是通过检测实际负载电流和输出端口电压来诊断,避免了OFF-State OLD因内部电流源而造成LED负载微亮这一异常现象。

  同时,ON-State OLD既可直接选定通道来诊断,也可以对所有高边通道进行loop诊断,并能够用一帧报文来读取所有通道的诊断信息,从而简化系统设计、降低MCU负荷,让整机诊断更高效、更可靠。

  支持BIM模式:高效驱动多种负载,适应更多应用场景

  高低边驱动在实际应用中驱动白炽灯或容性负载时,输出通道会因过冲电流触发过载保护(Over Load Protection)而被关闭,若靠软件不断清除故障点(Fault)和打开通道,则响应太慢难以输出足够能量打开负载。

  为解决这一痛点,NSD56xxx-Q1系列引入Bulb Inrush Mode(BIM模式)。当该通道输出达到过载保护阈值而被关闭时,该通道会在tINRUSH时间后自动重启,然后不断重复直至持续时间tBIM(40ms)。40ms内足够让2W功率的灯泡点亮,若同时采用BIM模式和通道并联功能,则可以支持将5W灯泡点亮。

  这一设计使NSD56xxx-Q1系利能够可靠驱动白炽灯、继电器、马达等容性与感性负载,显著提升系统对不同类型负载的兼容性,为客户提供更灵活、更可靠的设计选择。

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  图2 Bulb Inrush Mode(BIM)模式运行

  集成主动钳位管:轻松应对感性负载,降低系统成本

  在驱动继电器、电磁阀等感性负载时,通道关断瞬间会在输出口产生高压,若电感能量足够大,会造成芯片内部功率管雪崩击穿。

  NSD56xxx-Q1系列在每个通道内集成主动钳位管(Active Clamp),在关断瞬间可钳位输出端电压(低边通道钳位正电压,高边通道钳位负电压),同时输出功率管因栅极电压抬升而打开,形成电流通路来泄放电感能量,有效防止功率管损坏。这一设计让芯片在驱动感性负载时无需额外钳位管(可减少8个外部钳位管),从而显著降低系统BOM成本与板级尺寸。

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  图3 输出功率管 Active Clamp

  芯片单通道在室温下可承受高达50mJ的钳位能量,而在实际应用中,继电器负载产生的能量通常低于10mJ,足以覆盖典型继电器、电磁阀等感性负载的能量需求,确保系统运行的稳定与可靠。

  车规品质,灵活选型

  NSD56xxx-Q1系列8通道智能高低边驱动产品现已全部量产,满足AEC-Q100 Grade 1标准,工作温度范围覆盖-40℃至125℃,封装采用HTSOP24(8.65×3.9mm),该系列提供丰富的高边、低边及可配高低边的组合方案,灵活满足不同系统架构和负载需求。

  凭借全面的高低边组合、丰富的智能功能和车规级可靠性,纳芯微可为车身电子的各类型负载驱动提供多通道高集成度的解决方案,帮助客户快速搭建安全可靠、灵活高效的系统设计。

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  图4 NSD56xxx-Q1选型表


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让驱动状态可视可控,纳芯微发布集成电源状态反馈的隔离半桥驱动NSI6602Ux
  纳芯微推出车规级隔离半桥驱动芯片NSI6602Ux系列,该系列基于明星产品NSI6602全面升级,驱动侧电压提升至32V,相比上一代产品具备更强的抗冲击能力与系统适配能力。  此外,NSI6602Ux集成输入/输出侧电源状态反馈功能,并兼具高隔离电压、低延时、死区可配、输入互锁、欠压阈值可选等特性,适用于驱动SiC、IGBT等器件,可广泛应用于新能源汽车OBC、DC-DC、主动悬架等场景。  输入/输出侧电源状态反馈,  助力功率器件开关安全  在OBC/DC-DC、工业电源、电机驱动等功率电子系统中,驱动芯片的可靠性直接决定功率器件的开关安全。随着SiC、GaN等第三代功率器件的应用,器件驱动阈值更敏感、响应速度更快,这使得系统对驱动芯片的状态监测精度和响应及时性的要求大幅提升。  传统方案通常依赖外部电压监测电路来判断驱动芯片是否就绪,这不仅增加系统复杂度,还可能因延迟或干扰带来误驱动风险,进而引发功率器件损坏、系统失控等潜在安全隐患,同时也限制了第三代功率器件性能的充分发挥。  纳芯微NSI6602Ux创新性集成了RDY状态反馈功能,可实时输出芯片供电状态,直接反馈至MCU/DSP,实现芯片级“就绪可见”。无需额外监测电路,即可有效避免未就绪驱动、误触发等风险,从系统架构层面提升功率器件开关安全性。  NSI6602Ux(右图)与NSI6602(左图)功能框图对比  高性能驱动与多重保护协同,  提升系统可靠性与效率  NSI6602Ux具备4A峰值拉电流与6A峰值灌电流的强劲驱动能力,可直接驱动IGBT、SiC等功率器件,支持最高2MHz开关频率,无需额外增设缓冲器或驱动放大电路,显著简化外围设计。  器件支持最高32V驱动电压,并集成欠压锁定(UVLO)保护,可有效应对高压冲击场景。同时,内置输入侧IN+/IN-互锁功能,从硬件层面避免上下桥臂直通风险,大幅提升了系统的可靠性和抗干扰能力。此外,通过DT引脚可灵活配置死区时间,搭配多档UVLO阈值选择,进一步提升系统设计的安全裕量与适配能力。  在性能方面,NSI6602Ux具备45ns传播延时、5ns延迟匹配、4ns脉宽失真,处于行业领先水平。并支持±150kV/μs高CMTI,有效抑制共模干扰,避免延时波动,在复杂工况下仍可保持稳定运行。  灵活控制与接口兼容设计,  降低系统复杂度与BOM成本  NSI6602Ux支持DIS/EN两种使能逻辑配置,可灵活适配不同控制架构;输入侧支持2.8V~5.5V宽电压供电,可直接兼容MCU、DSP,无需额外电平转换电路。  通过减少外围器件、简化接口设计与控制逻辑,有效降低系统设计复杂度与BOM成本,同时提升整体方案的通用性与可扩展性。  NSI6602Ux产品特性:  5.7kVrms隔离耐压,可驱动高压SiC和IGBT  高CMTI:150kV/μs  输入侧电源电压:2.8V~5.5V并支持欠压2.35V保护  驱动侧电源电压:最高可达 32V  峰值拉灌电流:+4A/-6A  驱动电源欠压:8V/17V两档可选  支持输入、输出侧电源监控上报RDY  可编程死区时间  支持使能逻辑控制  典型传播延时:45ns  工作环境温度:-40℃~125℃  符合面向汽车应用的AEC-Q100 标准  符合RoHS标准的封装类型:SOW14/16,SOP16  通过UL、VDE、CQC等多项安全认证  NSI6602Ux典型应用电路  封装与选型  纳芯微NSI6602Ux系列现已全面量产,产品覆盖多种隔离电压等级、UVLO选项及封装,可灵活适配不同应用场景。进一步咨询NSI6602Ux产品,可邮件sales@novosns.com;更多产品信息、技术资料敬请访问www.novosns.com。  NSI6602Ux系列选型表
2026-05-22 10:31 reading:325
全球出货量Top4,纳芯微磁传感器如何贯穿整车系统?
  随着汽车电动化、智能化、网联化持续深入,电流、位置、角度、速度等核心状态感知需求快速攀升,磁传感器已成为汽车电子系统的基础器件。据Yole Group《2026 磁传感器产业报告》预测,2031年全球汽车与移动出行领域磁传感器出货量将突破42亿颗。  目前,纳芯微磁传感器已可覆盖整车关键系统,应用于车身、底盘、动力总成及热管理等领域。Yole Group数据显示,纳芯微在汽车磁传感器市场出货量全球第四、营收全球第七,位居国产厂商首位。  构建多维技术体系:支撑复杂应用需求  完整磁传感器产品矩阵:围绕汽车多样化感知需求,纳芯微已构建覆盖电流、角度、位置与速度的磁传感器产品矩阵。  多技术路线协同布局:纳芯微持续布局并推进多种磁感知技术协同发展,包括平面霍尔、垂直霍尔、AMR、TMR及电感式传感技术在内的多个关键技术路线,结合自研BendingMag™ BFC聚磁技术,实现不同应用场景的精准适配,在精度、功耗与抗干扰能力之间取得平衡。  同时,依托自主IP与核心专利,纳芯微磁传感器在温度补偿、低噪声信号链及零点漂移控制等关键环节持续优化,进一步提升产品在复杂车规环境下的稳定性与一致性。  规模量产,全球市场领先:纳芯微磁传感器累计出货量超过20亿颗,市场表现位居全球前列。  多场景渗透,磁传感器贯穿整车系统  动力域:关键电流检测  在逆变器、电驱、OBC/DC-DC及电池管理系统中,磁传感器广泛应用于新能源汽车动力系统的各类电流监测场景。纳芯微提供高精度的电流传感器产品系列:  NSM201x与NSM211x系列集成式电流传感器:覆盖约5A至200A电流检测范围,兼具高带宽与精度表现。NSM211x可支持MHz级带宽,满足快速响应需求;  NSM204x系列集成式电流传感器:通过小型化封装与稳定性能输出,提升系统集成度,适配多样化电流检测场景;  MT9519系列线性电流传感器:支持不同结构下的开环电流检测方案,具备250kHz高带宽与快速响应能力,可覆盖几十安培至1000A电流检测范围,适用于电驱系统等高可靠性电流检测场景;  NSM203x系列线性电流传感器:面向基于聚磁环的大量程电流检测场景,面向电驱系统等大电流检测场景,具备400kHz高带宽、1.5μs快速响应及优异噪声表现。  车身域:高频位置检测  在车身控制系统中,磁传感器广泛应用于车窗、门把手、电动尾门、天窗及座椅等位置检测场景。针对高可靠感知、低干扰传输的核心诉求,纳芯微提供丰富磁开关产品系列:  MT72xx系列:采用两线制电流型输出,降低线束复杂度,提升长线束抗干扰能力;  MT73xx系列:基于3D霍尔技术,提供双路正交信号输出,可同步获取速度与方向信息,提升检测精度与系统响应一致性;  NSM101x系列:三线制霍尔开关/锁存器,支持宽电压输入与灵活参数配置,具备完善保护机制与良好系统兼容性。  底盘域:高精度安全感知  在电动助力转向、制动及悬架系统中,磁传感器承担关键角度、轮速与位置检测任务,对精度、实时性及可靠性要求严苛。  NSM4xxx轮速传感器系列:集成功能安全诊断机制及振动抑制模块,具备良好的抗干扰能力与宽温稳定性,为ABS、ESP等系统提供可靠速度信号;  MT6511 角度传感器:基于差分霍尔技术,角度检测精度<±1°max,提供<10μs的低系统延时,具备较强抗杂散磁场干扰能力及多接口输出特性;  MT652x角度传感器:基于水平霍尔与BendingMag™ BFC聚磁技术,实现多平面磁场感知与高精度角度测量(精度<±1°),支持灵活曲线编程与多接口输出。  热管理系统:执行层关键感知  随着热管理系统复杂度提升,执行部件对角度与电流感知的要求持续提高。纳芯微角度传感器支持高精度位置检测与多接口输出,满足复杂控制需求;同时配合电流传感器实现从高隔离到高带宽的检测能力覆盖,支撑系统高效稳定运行。  传统动力系统:稳定角度检测  在燃油车及混动车动力系统中,磁传感器广泛应用于电子节气门、EGR阀及涡轮增压器系统中的角度检测场景。纳芯微角度传感器支持0–360°连续测量,具备良好的温度稳定性与抗干扰能力,并提供多种接口形式,兼顾控制精度与长期可靠性。
2026-05-21 09:44 reading:338
开赛!纳芯微NSSine™MCU助力电力电子大赛
纳芯微推出固态继电器NSI7117,以卓越EMC性能应对汽车BMS系统电磁挑战
  纳芯微今日正式推出新一代固态继电器NSI7117系列,新器件面向新能源汽车电池管理系统(BMS)等关键应用场景,针对性地优化了电磁兼容性能(EMC),在电磁干扰抑制(EMI)与电磁抗扰度(EMS)两方面实现系统级提升,全面满足新能源汽车日益严苛的电磁兼容要求,为高可靠的汽车应用提供坚实支撑。  新能源汽车BMS系统由于直接连接高压电池包,本身就对电磁兼容性能有着极高要求,需要在复杂电磁环境下保证采样、检测与控制功能的稳定运行。  如今,在新能源汽车轻量化的趋势下,其电池系统正加速向多材料电池壳体架构演进,复合材料的引入在实现轻量化与结构集成的同时,也削弱了传统金属壳体对电磁干扰的天然屏蔽能力,使BMS系统面临更加复杂和严苛的电磁环境。  在此背景下,纳芯微新一代固态继电器NSI7117通过优化的EMC设计,助力整车厂与电池厂商在多材料结构趋势下实现更高水平的系统可靠性。  卓越的EMC性能,  适配多材料电池系统的严苛电磁环境  纳芯微NSI7117针对BMS高压应用中的电磁干扰特性进行了系统级优化,实现了业内卓越的电磁兼容性能。在和头部客户基于实际应用场景的系统联调测试中,NSI7117在电磁干扰发射(EMI)方面表现优异:  静电放电抗扰(ESD,ISO 10605)在下电模式下通过±8kV测试;  电快速瞬变脉冲群(EFT,IEC 61000-4-4)达到Class 4等级;  传导与辐射发射(CISPR 25)分别达到电压法Class 3或4(根据不同频点)、电流法Class 5及辐射发射Class 5水平,有效降低开关过程中引入的系统级电磁辐射。  得益于优异的EMI控制能力,客户在整机开发过程中可显著减少滤波、屏蔽等板级整改措施,降低EMC调试复杂度,缩短开发周期。  在电磁抗扰度(EMS)方面,NSI7117同样具备出色的系统鲁棒性。器件可在全频段范围内通过200mA大电流注入测试(BCI,ISO 11452-4,Class A),并顺利通过辐射抗扰测试(RI,ISO 11452-2,Class A)及手持发射机抗扰测试(PTI,ISO 11452-9,Class 2)。  在多材料电池壳体导致屏蔽能力下降、系统电磁环境更加复杂的背景下,NSI7117能够有效降低误触发与异常开关风险,为BMS系统提供更高裕量的电磁可靠性与安全保障。同时,其高抗扰设计有助于减少系统层面的防护冗余设计,进一步简化硬件架构与验证流程。  可靠性全面升级,  加速替代机械继电器与光耦继电器  相较机械继电器与光耦继电器,固态继电器在新能源汽车BMS中具备更优的综合性能。机械继电器存在触点磨损、寿命有限和响应较慢等问题;光耦继电器虽提升隔离能力,但在耐压、漏电流及长期稳定性方面仍有局限。  固态继电器基于半导体无触点开关,具备更高可靠性与更长寿命,并可在高压、高温等严苛工况下稳定工作,有效降低系统失效风险,正成为高压BMS系统中开关器件的重要选择。  在此基础上,纳芯微NSI7117进一步在高压能力与极端工况可靠性方面实现突破。产品内部集成两颗SiC MOSFET,每颗器件支持高达1700V耐压,具有优秀的抗雪崩能力与瞬态过压承受能力。这一特性使其在电池系统异常工况(如浪涌、电压尖峰)下仍能保持稳定运行,有效提升系统安全边界。  同时,NSI7117在高压高温条件下的漏电控制能力同样表现突出。在1000V工作电压、125℃高温环境下,器件漏电流可控制在1μA以内,显著优于传统方案。这一特性有助于提升电池包整体绝缘阻抗水平,降低系统误判风险,并提高绝缘检测精度,从而增强整车在高压状态下的人机交互安全性。  满足各类安规要求,  降低系统验证时间  NSI7117提供SOW12封装,兼容市场主流光耦继电器,便于客户无缝替换升级。在SOW12封装下,NSI7117实现5.91mm副边爬电距离,原边副边爬电距离也达到8mm,满足IEC 60747-17相关要求。  结合纳芯微成熟的电容隔离技术,NSI7117隔离耐压能力高达5kVrms,并满足UL、CQC及VDE等权威认证标准要求,有助于客户简化系统级认证流程,缩短产品开发与上市周期。  同时,NSI7117采用全国产供应链,进一步提升供应安全性与交付稳定性。NSI7117即将进入量产阶段,车规版本NSI7117-Q1满足AEC-Q100 Grade 1要求,支持–40°C至125°C宽工作温度范围,同时亦提供工规版本,满足不同应用场景需求。  NSI7117现已支持送样,请登录纳芯微官网(www.novosns.com),进行样片申请。
2026-05-13 10:19 reading:468
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