让驱动状态可视可控，纳芯微发布集成电源状态反馈的隔离半桥驱动N<span style='color:red'>SI</span>6602Ux
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让驱动状态可视可控，纳芯微发布集成电源状态反馈的隔离半桥驱动NSI6602Ux

　　纳芯微推出车规级隔离半桥驱动芯片NSI6602Ux系列，该系列基于明星产品NSI6602全面升级，驱动侧电压提升至32V，相比上一代产品具备更强的抗冲击能力与系统适配能力。　　此外，NSI6602Ux集成输入/输出侧电源状态反馈功能，并兼具高隔离电压、低延时、死区可配、输入互锁、欠压阈值可选等特性，适用于驱动SiC、IGBT等器件，可广泛应用于新能源汽车OBC、DC-DC、主动悬架等场景。　　输入/输出侧电源状态反馈，　　助力功率器件开关安全　　在OBC/DC-DC、工业电源、电机驱动等功率电子系统中，驱动芯片的可靠性直接决定功率器件的开关安全。随着SiC、GaN等第三代功率器件的应用，器件驱动阈值更敏感、响应速度更快，这使得系统对驱动芯片的状态监测精度和响应及时性的要求大幅提升。　　传统方案通常依赖外部电压监测电路来判断驱动芯片是否就绪，这不仅增加系统复杂度，还可能因延迟或干扰带来误驱动风险，进而引发功率器件损坏、系统失控等潜在安全隐患，同时也限制了第三代功率器件性能的充分发挥。　　纳芯微NSI6602Ux创新性集成了RDY状态反馈功能，可实时输出芯片供电状态，直接反馈至MCU/DSP，实现芯片级“就绪可见”。无需额外监测电路，即可有效避免未就绪驱动、误触发等风险，从系统架构层面提升功率器件开关安全性。　　NSI6602Ux(右图)与NSI6602(左图)功能框图对比　　高性能驱动与多重保护协同，　　提升系统可靠性与效率　　NSI6602Ux具备4A峰值拉电流与6A峰值灌电流的强劲驱动能力，可直接驱动IGBT、SiC等功率器件，支持最高2MHz开关频率，无需额外增设缓冲器或驱动放大电路，显著简化外围设计。　　器件支持最高32V驱动电压，并集成欠压锁定(UVLO)保护，可有效应对高压冲击场景。同时，内置输入侧IN+/IN-互锁功能，从硬件层面避免上下桥臂直通风险，大幅提升了系统的可靠性和抗干扰能力。此外，通过DT引脚可灵活配置死区时间，搭配多档UVLO阈值选择，进一步提升系统设计的安全裕量与适配能力。　　在性能方面，NSI6602Ux具备45ns传播延时、5ns延迟匹配、4ns脉宽失真，处于行业领先水平。并支持±150kV/μs高CMTI，有效抑制共模干扰，避免延时波动，在复杂工况下仍可保持稳定运行。　　灵活控制与接口兼容设计，　　降低系统复杂度与BOM成本　　NSI6602Ux支持DIS/EN两种使能逻辑配置，可灵活适配不同控制架构;输入侧支持2.8V~5.5V宽电压供电，可直接兼容MCU、DSP，无需额外电平转换电路。　　通过减少外围器件、简化接口设计与控制逻辑，有效降低系统设计复杂度与BOM成本，同时提升整体方案的通用性与可扩展性。　　NSI6602Ux产品特性：　　5.7kVrms隔离耐压，可驱动高压SiC和IGBT　　高CMTI：150kV/μs　　输入侧电源电压：2.8V~5.5V并支持欠压2.35V保护　　驱动侧电源电压：最高可达 32V　　峰值拉灌电流：+4A/-6A　　驱动电源欠压：8V/17V两档可选　　支持输入、输出侧电源监控上报RDY　　可编程死区时间　　支持使能逻辑控制　　典型传播延时：45ns　　工作环境温度：-40℃~125℃　　符合面向汽车应用的AEC-Q100 标准　　符合RoHS标准的封装类型：SOW14/16，SOP16　　通过UL、VDE、CQC等多项安全认证　　NSI6602Ux典型应用电路　　封装与选型　　纳芯微NSI6602Ux系列现已全面量产，产品覆盖多种隔离电压等级、UVLO选项及封装，可灵活适配不同应用场景。进一步咨询NSI6602Ux产品，可邮件sales@novosns.com;更多产品信息、技术资料敬请访问www.novosns.com。　　NSI6602Ux系列选型表
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发布时间：2026-05-22 10:31 阅读量：324 继续阅读>>
开赛！纳芯微NSSine™MCU助力电力电子大赛
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开赛！纳芯微NSSine™MCU助力电力电子大赛

　　第十二届高校电力电子应用设计大赛启动仪式正式开幕!纳芯微作为合作伙伴，全程支持本届以新能源与储能竞赛的赛事开展。　　纳芯微将以实时控制 MCU、隔离栅极驱动等芯片为核心支撑，为参赛团队提供技术支持，助力学子完成方案设计。　　优选芯片|用 MCU & 栅极驱动，赢在自适应与损耗优化　　纳芯微NSSine™系列实时控制 MCU/DSP —— 用作高速策略大脑　　• 高性能实时 M7 内核;高速 ADC+高精度 PWM;自研 IDE Novo Studio。　　• 赛场用途：导通压降检测、工况识别、自适应驱动算法调度、保护逻辑管理。　　• 更多信息：www.novosns.com/real-time-mcu　　纳芯微隔离栅极驱动 —— 驱动模块核心器件　　• 针对宽禁带器件开发;2kV 工作耐压 + 5700V 冲击耐压;高集成化;驱动能力强、延时低。　　• 赛场用途：SiC MOSFET 开关控制、负压关断、串扰抑制、快速短路保护。　　• 更多信息：www.novosns.com/gate-drivers
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发布时间：2026-05-15 10:22 阅读量：493 继续阅读>>
纳芯微推出固态继电器N<span style='color:red'>SI</span>7117，以卓越EMC性能应对汽车BMS系统电磁挑战
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纳芯微推出固态继电器NSI7117，以卓越EMC性能应对汽车BMS系统电磁挑战

　　纳芯微今日正式推出新一代固态继电器NSI7117系列，新器件面向新能源汽车电池管理系统(BMS)等关键应用场景，针对性地优化了电磁兼容性能(EMC)，在电磁干扰抑制(EMI)与电磁抗扰度(EMS)两方面实现系统级提升，全面满足新能源汽车日益严苛的电磁兼容要求，为高可靠的汽车应用提供坚实支撑。　　新能源汽车BMS系统由于直接连接高压电池包，本身就对电磁兼容性能有着极高要求，需要在复杂电磁环境下保证采样、检测与控制功能的稳定运行。　　如今，在新能源汽车轻量化的趋势下，其电池系统正加速向多材料电池壳体架构演进，复合材料的引入在实现轻量化与结构集成的同时，也削弱了传统金属壳体对电磁干扰的天然屏蔽能力，使BMS系统面临更加复杂和严苛的电磁环境。　　在此背景下，纳芯微新一代固态继电器NSI7117通过优化的EMC设计，助力整车厂与电池厂商在多材料结构趋势下实现更高水平的系统可靠性。　　卓越的EMC性能，　　适配多材料电池系统的严苛电磁环境　　纳芯微NSI7117针对BMS高压应用中的电磁干扰特性进行了系统级优化，实现了业内卓越的电磁兼容性能。在和头部客户基于实际应用场景的系统联调测试中，NSI7117在电磁干扰发射(EMI)方面表现优异：　　静电放电抗扰(ESD，ISO 10605)在下电模式下通过±8kV测试;　　电快速瞬变脉冲群(EFT，IEC 61000-4-4)达到Class 4等级;　　传导与辐射发射(CISPR 25)分别达到电压法Class 3或4(根据不同频点)、电流法Class 5及辐射发射Class 5水平，有效降低开关过程中引入的系统级电磁辐射。　　得益于优异的EMI控制能力，客户在整机开发过程中可显著减少滤波、屏蔽等板级整改措施，降低EMC调试复杂度，缩短开发周期。　　在电磁抗扰度(EMS)方面，NSI7117同样具备出色的系统鲁棒性。器件可在全频段范围内通过200mA大电流注入测试(BCI，ISO 11452-4，Class A)，并顺利通过辐射抗扰测试(RI，ISO 11452-2，Class A)及手持发射机抗扰测试(PTI，ISO 11452-9，Class 2)。　　在多材料电池壳体导致屏蔽能力下降、系统电磁环境更加复杂的背景下，NSI7117能够有效降低误触发与异常开关风险，为BMS系统提供更高裕量的电磁可靠性与安全保障。同时，其高抗扰设计有助于减少系统层面的防护冗余设计，进一步简化硬件架构与验证流程。　　可靠性全面升级，　　加速替代机械继电器与光耦继电器　　相较机械继电器与光耦继电器，固态继电器在新能源汽车BMS中具备更优的综合性能。机械继电器存在触点磨损、寿命有限和响应较慢等问题;光耦继电器虽提升隔离能力，但在耐压、漏电流及长期稳定性方面仍有局限。　　固态继电器基于半导体无触点开关，具备更高可靠性与更长寿命，并可在高压、高温等严苛工况下稳定工作，有效降低系统失效风险，正成为高压BMS系统中开关器件的重要选择。　　在此基础上，纳芯微NSI7117进一步在高压能力与极端工况可靠性方面实现突破。产品内部集成两颗SiC MOSFET，每颗器件支持高达1700V耐压，具有优秀的抗雪崩能力与瞬态过压承受能力。这一特性使其在电池系统异常工况(如浪涌、电压尖峰)下仍能保持稳定运行，有效提升系统安全边界。　　同时，NSI7117在高压高温条件下的漏电控制能力同样表现突出。在1000V工作电压、125℃高温环境下，器件漏电流可控制在1μA以内，显著优于传统方案。这一特性有助于提升电池包整体绝缘阻抗水平，降低系统误判风险，并提高绝缘检测精度，从而增强整车在高压状态下的人机交互安全性。　　满足各类安规要求，　　降低系统验证时间　　NSI7117提供SOW12封装，兼容市场主流光耦继电器，便于客户无缝替换升级。在SOW12封装下，NSI7117实现5.91mm副边爬电距离，原边副边爬电距离也达到8mm，满足IEC 60747-17相关要求。　　结合纳芯微成熟的电容隔离技术，NSI7117隔离耐压能力高达5kVrms，并满足UL、CQC及VDE等权威认证标准要求，有助于客户简化系统级认证流程，缩短产品开发与上市周期。　　同时，NSI7117采用全国产供应链，进一步提升供应安全性与交付稳定性。NSI7117即将进入量产阶段，车规版本NSI7117-Q1满足AEC-Q100 Grade 1要求，支持–40°C至125°C宽工作温度范围，同时亦提供工规版本，满足不同应用场景需求。　　NSI7117现已支持送样，请登录纳芯微官网(www.novosns.com)，进行样片申请。
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发布时间：2026-05-13 10:19 阅读量：466 继续阅读>>
ROHM PLECS Simulator上线！实现电力电子电路的快速验证
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ROHM PLECS Simulator上线！实现电力电子电路的快速验证

　　中国上海，2026年4月23日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，在ROHM官网上发布了基于仿真软件PLECS® *开发的仿真工具“ROHM PLECS Simulator”，该工具可在Web上高速仿真ROHM功率器件的工作情况，非常适合电力电子电路的设计人员和系统设计人员使用。　　“ROHM PLECS Simulator”可以通过从官网的列表中选择电力电子电路的拓扑以及ROHM提供的各种功率器件，在数秒到数分钟内即可完成损耗和温升等参数的仿真。在电路设计的初期阶段，该工具可大幅减少理想器件选型所需的工时。ROHM官网上目前已发布20种拓扑，并且计划未来将进一步扩充SiC器件、IGBT和功率模块等产品的器件模型及拓扑。　　本仿真工具只需在ROHM官网上完成用户注册，即可免费使用。另外，在专题页面上，除了该仿真工具的访问入口外，还发布了用户使用时所需的资料(用户操作手册、电路工作说明应用指南)。　　在电路设计时，尤其是在电力电子电路中，通常会采用仿真来代替成本高又耗时长的硬件试制。ROHM于2020年发布了可一次性验证功率器件产品和IC产品的“ROHM Solution Simulator”，并致力于不断扩充拓扑和器件模型。通过ROHM提供的高精度SPICE模型，用户能够以高度的复现性确认接近实际设备的波形，这一点获得了广泛好评。另一方面，用户还希望在开发初期阶段，能够基于损耗和发热验证，在短时间内选出理想的功率器件。　　针对这一需求，ROHM推出了“ROHM PLECS Simulator”，专门用于损耗和热计算。用户可以利用PLECS®进行快速的初期探讨，运用“ROHM Solution Simulator”的优势进行详细且高精度的验证，并根据不同的开发阶段进行区分使用，进而实现从设计的损耗和发热验证到波形检查的一体化仿真。　　<术语解说>　　*) PLECS®　　为了在虚拟空间中对含有控制的复杂电气与电力系统进行建模和仿真而开发的电力电子电路及系统的仿真工具。擅长进行损耗等参数的高速计算，能够在开发的上游阶段快速验证整个系统的响应性能。　　PLECS® 是 Plexim,Inc.的注册商标。
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发布时间：2026-04-23 16:21 阅读量：620 继续阅读>>
国内首款，纳芯微推出通过TÜV莱茵认证的A<span style='color:red'>SI</span>L D等级隔离栅极驱动N<span style='color:red'>SI</span>6911F系列
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国内首款，纳芯微推出通过TÜV莱茵认证的ASIL D等级隔离栅极驱动NSI6911F系列

　　纳芯微今日宣布推出国内首款基于全国产供应链、通过TÜV莱茵认证并达到ISO 26262 ASIL D等级的隔离栅极驱动——NSI6911F系列。　　该系列产品专为新能源汽车主驱逆变器、车载充电机及DC-DC转换器等高压应用设计，具备高达19A的峰值驱动能力、±150kV/μs的共模瞬态抗扰度(CMTI)，并集成12位高精度隔离采样ADC与先进诊断架构，为新能源汽车电驱系统提供更高安全性与系统集成度的解决方案。　　随着新能源汽车向800V高压平台及SiC功率器件加速演进，电驱系统的开关速度显著提升，dv/dt水平不断提高，对栅极驱动器在抗干扰能力、驱动性能及系统可靠性方面提出了更高要求。同时，根据《GB/T 43254-2023 电动汽车用驱动电机系统功能安全要求及试验方法》及《GB 21670-2025 乘用车制动系统技术要求及试验方法》等最新国家标准，电驱系统在防范非预期扭矩及协同制动能量回收等关键场景中，其功能安全等级需达到ASIL C甚至最高等级ASIL D。　　在此背景下，具备高等级功能安全能力并可直接支撑系统设计的隔离栅极驱动芯片，正成为整车厂与Tier 1实现安全合规与规模化量产的关键基础。　　TÜV莱茵权威认证，　　满足最高ASIL D功能安全等级　　NSI6911F系列已通过TÜV莱茵权威认证，达到ISO 26262 ASIL D等级，可为客户提供符合最高功能安全要求的硬件基础。　　该系列严格遵循ISO 26262 V-Model开发流程，从SEooC假设定义、硬件安全需求分解到功能安全验证，均经过系统化分析与严格验证。结合纳芯微完善的功能安全文档体系与技术支持能力，NSI6911F可助力整车厂及Tier 1高效完成电驱系统级功能安全评估，显著缩短开发周期。　　NSI6911F系列通过TÜV莱茵ASIL D功能安全认证　　领先驱动能力与全方位保护架构，　　打造高可靠电驱系统　　NSI6911F系列提供高达19A的峰值驱动能力，并具备±150kV/μs的高CMTI性能，可满足SiC及IGBT器件在高频、高dv/dt环境下的稳定驱动需求。产品集成米勒钳位、过温保护、可调DESAT/SC/OC、可调UVLO、可调软关断及两电平关断等关键保护功能，能够灵活且有效地优化功率器件的开关性能，降低开关损耗与短路失效风险，为电驱系统提供全面保护。　　在故障处理方面，NSI6911F系列支持三态输出策略，使驱动在异常情况下具备更合理的响应路径，显著提升整车电驱系统的鲁棒性。　　同时，NSI6911F系列丰富的电源管理与保护阈值配置选项可满足不同应用场景下的灵活设计需求，简化系统替换与开发流程。NSI6911F支持原边最高32V输入，并提供5V LDO电源，副边支持5V LDO电源及14V-21V的宽范围可调VCC2 LDO，丰富的内置电源可以为上层系统节约低压侧前级Pre DC-DC以及高压侧电源，灵活的可调电压可以提高系统适用性，减少上层系统电源设计变更。　　纳芯微功能安全驱动NSI6911F一览　　集成12位高精度隔离ADC，　　“就地感知”提升系统实时性　　NSI6911F系列集成业内领先的、达到ASIL B等级的12位高精度隔离ADC，实现系统关键电压与电流信号的本地高精度采样与隔离传输。相比传统分立方案，该设计显著减少外部运放、隔离器及独立ADC等器件数量，有效降低系统复杂度与BOM成本。ASIL B等级的ADC也具备在线诊断能力以及噪声抑制等技术，使得NSI6911F能够同时提升采样鲁棒性与与抗干扰能力。　　在高dv/dt环境下，内置隔离ADC可提供更稳定、低延迟的数据反馈，为控制与保护决策提供可靠依据。此外，该集成方案可直接支撑功能安全设计需求，提升关键参数的可观测性与诊断覆盖率，助力客户构建更高集成度与更高可靠性的电驱系统。　　引脚兼容设计与全国产供应链，　　保障快速导入与稳定交付　　NSI6911系列采用SSOW32封装设计，与对标器件实现Pin to Pin/BOM to BOM级兼容，支持客户在现有设计基础上快速替换，无需调整PCB布局，从而显著降低导入门槛并缩短开发周期。　　在供应链方面，该系列基于从晶圆制造到封装测试的全国产体系构建，具备更高的可控性与稳定性，有效降低外部环境变化带来的供货风险。结合纳芯微本地化技术支持与灵活交付能力，NSI6911F系列可助力整车厂及Tier 1在保障性能与功能安全的前提下，实现更高效率的产品迭代与量产落地。　　NSI6911F系列选型表　　筑牢安全底座，　　持续构建完善的功能安全体系能力　　作为国内汽车模拟芯片行业的头部企业，纳芯微始终重视功能安全体系和产品开发能力建设。早在2021年，纳芯微就已获得TÜV莱茵颁发的ISO 26262功能安全管理体系ASIL D “Managed”等级认证。2025年，纳芯微正式通过TÜV莱茵审核的ISO 26262 ASIL D “Defined–Practiced”级别功能安全管理体系认证，证明纳芯微已全面建立起从管理体系到工程实践的完整能力框架。　　这套成熟的体系已成功赋能多款关键产品的全生命周期开发，实现从标准到落地、从流程到产品的可靠闭环。NSI6911F系列芯片获得权威机构TÜV莱茵ASIL D产品认证，正是这一体系实力的最佳例证。　　纳芯微的功能安全核心能力体现于三大维度：　　深度融合的正向开发流程：公司已将ISO 26262功能安全标准系统性融入研发全流程，确保安全要求内生于每个开发环节，并通过持续迭代优化，确保流程始终为产品的高安全与高可靠赋能。　　覆盖系统至芯片的全链路能力：纳芯微具备从系统级安全概念定义到芯片架构、设计与实现的端到端技术能力，能为客户提供跨系统与芯片的完整功能安全解决方案。　　可靠协同的组织文化：专职的功能安全团队自产品定义阶段即深入参与，全程赋能。项目之外，更致力于构建纳芯微安全文化，并通过设立功能安全能力中心(FuSa CoC)，建立跨部门协同与独立审核机制，确保每一项安全活动均受控、可信、可追溯。纳芯微ISO 26262 V-Model开发流程　　纳芯微通过 TÜV 莱茵 ISO 26262 ASIL D　　"Defined-Practiced" 级别认证　　在智能汽车技术的飞速演进中，安全是永不妥协的必选项，也是最复杂的挑战之一。纳芯微凭借从芯片到系统的全链路功能安全能力、经权威机构认证的流程体系，以及不断丰富的SafeNovo®功能安全产品矩阵，构建起完整的“功能安全赋能体系”。通过“流程管控”与“技术聚焦”的深度融合，确保每颗芯片都成为系统安全最可靠的保障。纳芯微致力于携手业界伙伴，以坚实的半导体技术和功能安全开发体系，守护每一程出行的安全。
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发布时间：2026-04-22 09:17 阅读量：462 继续阅读>>
ROHM开发出第5代SiC MOSFET，高温下导通电阻可降低约30%！
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ROHM开发出第5代SiC MOSFET，高温下导通电阻可降低约30%！

　　中国上海，2026年4月21日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，开发出新一代EcoSiC™——“第5代SiC MOSFET”，该产品非常适用于xEV(电动汽车)用牵引逆变器*等汽车电动动力总成系统以及AI服务器电源和数据中心等工业设备的电源。　　ROHM在开发第5代SiC MOSFET的过程中，通过改进器件结构并优化制造工艺，与以往的第4代产品相比，成功地将功率电子电路实际使用环境中备受重视的高温工作时(Tj=175℃)的导通电阻降低约30%(相同耐压、相同芯片尺寸条件下比较)。在xEV用牵引逆变器等需要在高温环境下使用的应用中，该产品有助于缩小单元体积，提高输出功率。　　第5代SiC MOSFET已于2025年起先行提供裸芯片样品，并于2026年3月完成开发。　　另外，ROHM计划从2026年7月起开始提供配有第5代SiC MOSFET的分立器件和模块的样品。未来，ROHM将进一步扩大产品阵容，同时完善设计工具，并强化针对应用产品设计的支持体系。　　<开发背景>　　近年来，在工业设备领域，随着生成式AI和大规模数据处理技术的普及，用于AI处理等的高性能服务器的引进速度不断加快。由于这类应用的功率密度不断提高，引发了业界对电力系统负荷加重以及局部供需紧张的担忧。作为解决这一难题的对策，将太阳能等可再生能源与供电网络等相结合的智能电网备受关注，但能源转换和蓄电过程中的损耗降低仍是一大挑战。在车载领域的下一代电动汽车中，除了延长续航里程和提升充电速度之外，还要求进一步降低逆变器损耗、提升OBC(车载充电器)性能。因此，在上述数千瓦到数百千瓦级大功率应用中，能够实现损耗降低与高效化兼顾的SiC器件正在加速普及。　　ROHM于2010年在全球率先开始量产SiC MOSFET，并很早就推出了符合车规级可靠性标准(AEC-Q101)的产品群，通过将SiC广泛应用于各种大功率应用中，助力降低能源损耗。此外，第4代SiC MOSFET于2020年6月开始提供样品，并在SiC的普及阶段就推出了分立器件和模块等丰富多样的产品阵容，目前已在全球车载设备和工业设备领域得到了广泛应用。此次ROHM开发出的第5代SiC MOSFET实现了业界超低损耗，将进一步扩大SiC的应用领域。　　未来，ROHM计划进一步扩充第5代SiC MOSFET的耐压和封装阵容，同时，通过推动已进入普及阶段的SiC在各个领域的实际应用，为提高各种大功率应用的电能利用效率持续贡献力量。　　<应用示例>　　车载设备：xEV用牵引逆变器、车载充电器(OBC)、DC-DC转换器、电动压缩机　　工业设备：AI服务器及数据中心等的电源、PV逆变器、ESS(储能系统)、UPS(不间断电源)　　eVTOL、AC伺服　　<关于“EcoSiC™”品牌>　　EcoSiC™是采用了因性能优于硅(Si)而在功率元器件领域备受关注的碳化硅(SiC)的元器件品牌。从晶圆生产到制造工艺、封装和品质管理方法，ROHM一直在自主开发SiC产品升级所必需的技术。另外，ROHM在制造过程中采用的是一贯制生产体系，目前已经确立了SiC领域先进企业的地位。　　EcoSiC™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。　　<术语解说>　　*) 牵引逆变器　　电动汽车的驱动电机采用的是相位差为120度的三相交流电驱动。将来自电池的直流电转换为交流电以实现这种三相交流电的逆变器即牵引逆变器。
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发布时间：2026-04-22 09:07 阅读量：530 继续阅读>>
纳芯微推出新一代隔离式CAN收发器N<span style='color:red'>SI</span>1150，支持±70V总线保护耐压和更高的通信速率
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纳芯微推出新一代隔离式CAN收发器NSI1150，支持±70V总线保护耐压和更高的通信速率

　　纳芯微今日宣布推出全新工规级隔离式CAN收发器NSI1150，新器件基于纳芯微第三代隔离技术，提供±70V的总线保护耐压和高达±150kV/μs(典型值)的CMTI，可靠性和抗扰性相比前代产品(NSI1050)实现了全面提升，NSI1150亦集成了纳芯微自研的CAN FD收发器，可提供高达5Mbps的通信速率。　　NSI1150支持SOW16，SOW8，SOP8，SOWW8，DUB8等多种封装，满足用户的多样化设计需要，可广泛适用于工业自动化与控制、能源电力、通信与服务器等高电压、强干扰、多节点的应用场景。　　可靠性全面升级　　应对严苛应用需求　　NSI1150在可靠性与抗扰性上实现了业内领先的水平，以±150kV/μs(典型值)的高CMTI与±70V的总线保护耐压，轻松应对严苛场景中的强电磁干扰与地电位差挑战。　　此外，NSI1150全引脚支持±6kV HBM ESD防护与10kV隔离栅浪涌耐受，确保极端环境下的稳定通信;隔离耐压覆盖3kVRMS，5kVRMS，7.5kVRMS多档选择，满足各类应用的严苛安规需求，为工业自动化、能源电力等关键场景筑牢安全屏障。　　多种封装可选　　支持多样化设计需要　　NSI1150提供SOW16，SOW8，SOP8，SOWW8，DUB8五大主流封装选择，适配不同设计的空间与安规需求。其中新推出的SOWW8超宽体封装凭借高达15mm的爬电距离优势，可从容应对光伏、充电桩、工业电源等领域对爬电距离的强制要求，简化安规认证流程，为高功率密度系统设计提供更灵活的布局空间。多封装的矩阵化产品族，进一步支持了用户多样化的设计需要，提高系统落地效率。　　NSI1150系列选型表　　丰富的“隔离+”产品　　引领隔离芯片标杆　　凭借在隔离技术方面的积累和领先优势，纳芯微提供涵盖数字隔离器、隔离采样、隔离接口、隔离电源、隔离驱动等一系列“隔离+”产品。纳芯微正以全生态“隔离+”产品矩阵，为高压系统筑造安全可靠的防线：　　“+”代表增强安全：纳芯微“隔离+”产品提供超越基本隔离标准的安全等级，为客户系统构筑更坚固的高低压安全边界。　　“+”代表全产品生态：纳芯微以成熟的电容隔离技术IP为核心，拓展出包括数字隔离器、隔离采样、隔离接口、隔离电源、隔离驱动等完整产品组合，为客户提供隔离器件的一站式解决方案。　　“+”代表深度赋能应用：纳芯微“隔离+”产品可满足电动汽车高压平台、大功率光储充系统，以及高集成、高效率AI服务器电源等场景的核心需求，实现系统级安全、可靠与高效。　　纳芯微全面的“隔离+”产品布局，以核心技术IP和全产品生态，引领隔离芯片标杆，为不同客户提供一站式的隔离芯片解决方案。
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发布时间：2026-04-16 10:14 阅读量：582 继续阅读>>
突破地面局限！芯讯通联合Skylo启动<span style='color:red'>SI</span>M7070G-HP-S模组NTN认证
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突破地面局限！芯讯通联合Skylo启动SIM7070G-HP-S模组NTN认证

　　芯讯通正式宣布，与非地面网络通信领域的先驱企业Skylo携手，启动SIM7070G-HP-S模组的NTN认证工作。　　此次启动认证的SIM7070G-HP-S模组，是芯讯通专为卫星物联网场景自主研发的NTN模组，支持3GPP Rel.17 5G IoT-NTN协议、兼容全球卫星网络，采用LCC+LGA封装，接口丰富、扩展性强。24×24×2.3mm的尺寸可灵活适配各类小型化物联网设备设计需求。　　依托芯讯通成熟的低功耗技术，SIM7070G-HP-S通过PSM和eDRX技术可将设备电池寿命延长至10年，覆盖能力优于GSM，适配低延迟、低吞吐量的卫星物联网通信场景。　　此次SIM7070G-HP-S模组NTN认证的启动，是芯讯通与Skylo前期合作的深化，更是芯讯通布局卫星物联网领域的重要一步。芯讯通将充分发挥自身在模组研发、生产及全球布局的优势，结合Skylo的卫星网络资源，突破传统地面网络局限，为全球客户提供无缝可靠的连接支撑。　　SIM7070G-HP-S可广泛应用于资产追踪、智能抄表、远程监控等场景，有效填补偏远地区物联网覆盖空白，进一步拓展芯讯通的产品应用边界。未来，芯讯通将与Skylo携手加快认证进程，推动解决方案全球部署，实现物联网全域覆盖，推动卫星物联网产业高质量发展。
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发布时间：2026-04-08 09:44 阅读量：617 继续阅读>>
高性能高性价比 | 纳芯微NSSine™系列实时控制MCU/DSP以稳定供给支撑应用落地
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高性能高性价比 | 纳芯微NSSine™系列实时控制MCU/DSP以稳定供给支撑应用落地

　　在电子制造业向高效化、精细化发展的当下，工业控制、汽车电子等市场面临着供应链管控与产品竞争力的双重挑战。纳芯微NSSine™系列实时控制MCU/DSP深度洞察行业痛点，兼顾高性能、高兼容性与高性价比，全方位满足各类场景的系统成本控制与更高效的产品开发。　　核心优势：硬件不改，软件小改　　在性能表现上，NSSine™系列实时控制MCU/DSP 基于Arm® Cortex®-M7内核正向开发专属外设，搭载eMATH & mMath 数学加速核，具备超高运算速度与皮秒级 PWM 控制能力，能够高效处理复杂算法，大幅提升终端设备的响应效率与控制精度。　　在兼容性与易用性方面，NSSine™系列进行了针对性优化，硬件不改，软件小改：无需改动现有PCB板，可直接适配现有设计方案，极大降低了客户的硬件改板成本与项目周期风险，助力企业快速完成产品迭代。同时，纳芯微提供完善的底层驱动库，工程师仅需进行简单的软件适配，即可快速完成算法迁移，轻松上手使用，进一步提升研发效率，降低研发成本。　　此外，该系列产品具备优异的抗干扰能力与稳定性，采用先进的隔离技术与封装工艺，能够在高温、高湿、高压等复杂工业环境下稳定运行，有效降低终端设备的故障率，提升产品使用寿命，为客户减少后期维护成本。　　全系列产品矩阵：从入门到高端全覆盖　　为满足不同行业、不同目标的应用需求，NSSine™系列构建了全档位产品矩阵，实现从入门到高性能算力的全面覆盖，同时提供工规与车规(AEC-Q100 Grade1)双版本，适配工业控制、汽车电子、数字电源等多元场景，为客户提供一站式芯片解决方案。　　以下为NSSine™系列核心产品型号，可广泛适配各类主流应用场景，为客户提供多元化选择：　　国产供应链与完善开发生态　　纳芯微始终以客户需求为导向，构建了完善的供应链体系与开发生态，为客户提供全流程服务保障。　　在供应链方面，NSSine™系列采用全国产供应链体系(大陆本土晶圆制造)，有效保障芯片供应的稳定性与安全性，同时简化供应链流程，降低采购成本。　　在开发生态建设上，NSSine™系列全面支持Keil MDK、IAR EWARM等主流工具链。同时纳芯微推出自研免费IDE：NovoStudio开发平台(基于Eclipse/GCC)，集成数字示波器、图形化代码生成等实用功能，开箱即用，大幅降低工程师的开发门槛，缩短开发周期，加快产品上市。
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发布时间：2026-04-02 10:36 阅读量：646 继续阅读>>
美光与Cadence Design Systems合作，加速DLEP验证和合规进程
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美光与Cadence Design Systems合作，加速DLEP验证和合规进程

　　半导体生态系统是一个高度复杂、互相关联的框架，其中包括各种行业、技术和机构，旨在促进半导体器件的设计、制造、分销和应用。设计和知识产权 (IP) 提供商是该框架的组成部分，在经历了各种大幅演变之后，这些提供商已成为当代芯片开发中不可或缺的参与者。　　随着上世纪 80 年代电子设计自动化 (EDA) 工具的出现，以及上世纪 90 年代半导体 IP 产业的发展，片上系统 (SoC) 设计越来越依赖于可复用的 IP 模块。目前，在 SoC 所包含的器件中，超过 80% 为可复用 IP，典型的芯片会集成 200 多个 IP 模块。1　　在半导体市场引入新技术，是一个相当复杂的过程。其中生态系统伙伴(包括 IP 提供商和验证 IP (VIP) 软件供应商)对新技术的支持程度往往起着决定性作用——可能会阻碍新技术的普及，也可能加速商业上的成功。　　美光与 Cadence Design Systems 之间的战略合作，标志着内存技术进步旅程中的重大里程碑。此次合作的重点是将直接链路 ECC 协议 (DLEP) 功能嵌入 Cadence 最新的 LPDDR5/5X 内存控制器 IP、物理层 (PHY) IP 和验证 IP (VIP) 中，从而显著提高人工智能、汽车和数据中心应用中的系统性能。　　DLEP 在内存技术中的重要性　　DLEP 是一项重大创新，旨在解决传统内联纠错码 (ECC) 技术的固有局限性。对于现代车辆中的高性能 AI 应用和高可靠性高级驾驶辅助系统 (ADAS) 应用而言，该技术尤为重要。DLEP 的核心优势在于其能够回收较大比例的有效负载内存空间和带宽，否则这些空间和带宽将被分配给内联 ECC 使用。这种回收能力，是 DLEP 能够提高系统性能和资源效率的基础。美光与 Cadence 携手合作，充分实现了这些增强功能。　　DLEP 是一项重大创新，旨在解决传统内联 ECC 技术存在的局限性。DLEP 所实现的改进对于需要高可靠性和极高性能的应用至关重要，例如汽车行业中的 AI 加速器和 ADAS。使用标准 DRAM 与使用支持 DLEP 的 DRAM 进行 ECC 数据传输的对比　　DLEP 的主要优势之一是它能够回收相当大比例的有效负载内存空间、至少 6% 的额外可寻址内存空间和带宽，可将带宽增加 15% 至 25%。如果没有 DLEP，这些空间和带宽将被用于内联 ECC 纠错。这种回收能力可带来系统性能和效率的提高，从内存管理的角度来看，功耗(pJ/b，皮焦耳/位)可降低约 10%。2 美光与 Cadence 之间的合作确保了这些优势的充分发挥。　　从图中可以看出，与内联 ECC 相比，DLEP 的带宽要增加 15% 至 25%　　通过战略合作确保集成和验证　　美光的高级 DLEP 功能已无缝集成到 Cadence 的 LPDDR5/5X IP 组合和 VIP 工具套件中。这种集成旨在优化复杂 SoC 设计的验证过程，从而能够在各种应用中高效部署 DLEP 技术。VIP 解决方案对于验证新兴内存技术的运行和效率起到重要作用。美光与 Cadence 建立了稳固的合作关系，以确保 DLEP 的快速普及，从而为内存技术确立新的标准。　　Cadence 的 VIP 工具集提供了一些至关重要的优势，例如对复杂 SoC 架构进行彻底验证、提高验证准确性、加速产品上市、降低成本，以及协议合规性评估和自动测试生成等高级功能，所有这些优势都有助于可靠、高效地部署新的内存解决方案。Cadence 的 LPDDR5X VIP 内存模型3支持 DLEP 功能，允许开发人员在调试模式下访问用于存储 ECC 的额外内存单元，在读取/写入时即时回调覆盖存储位的值，以及在启用 DLEP 时检查被禁用的模式。　　这种集成方法有助于充分实现 DLEP 技术的优势，为下一代解决方案提供底层支持。　　DLEP 在 AI 和汽车应用中的优势　　将 DLEP 集成到内存架构中，可为 AI、汽车行业以及其他需要增强的可靠性、卓越性能、数据完整性和更高能效的行业带来巨大优势。所有这些优势相结合，可延长任务关键型系统的正常使用期限。此外，这些技术进步还有助于降低成本，增大 DLEP 技术所带来的价值。　　推动 DLEP 普及　　Cadence 与美光的合作正在推动 DLEP 技术普及，使系统设计人员能够实现更高的带宽、更好的内存利用率、更低的功耗，同时满足严格的功能安全要求。通过将 DLEP 集成到 Cadence 的 LPDDR5/5X 控制器、PHY IP 和 VIP 中，工程师可从经过硅验证的强大解决方案中受益——这些解决方案可简化验证过程，缩短产品上市时间。随着数据密集型工作负载和安全关键型工作负载不断增加，Cadence 和美光的合作为汽车、AI 等领域带来了高效可靠的高性能内存解决方案。　　1带有增强型 ECC 功能的 LPDDR5X 直面汽车行业挑战 | 美光科技。 典型内联系统 ECC 方案与 DLEP 进行对比测试的结果值　　2《知识产权的发展趋势》，全球半导体联盟知识产权利益小组　　3https://www.cadence.com/en_US/home/tools/system-design-and-verification/verification-ip/simulation-vip/memory-models/dram/lpddr5.html
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发布时间：2026-03-12 13:55 阅读量：581 继续阅读>>

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